[發明專利]半導體存儲裝置

有效

• 申請號: 201710849929.5
• 申請日: 2017-09-20
• 公開（公告）號: CN107863121B
• 公開（公告）日: 2021-08-31
• 發明（設計）人: 金龍燮
• 申請（專利權）人: 愛思開海力士有限公司
• 主分類號: G11C7/10
• 分類號: G11C7/10
• 代理公司: 北京弘權知識產權代理有限公司 11363
• 代理人: 郭放;許偉群

一種半導體存儲裝置包括：寫入控制電路，其適用于在寫入操作中響應于寫入電壓的電壓電平來產生寫入取消信號和重寫信號；以及驅動電路，其適用于在寫入操作中響應于寫入取消信號和重寫信號來將數據傳輸到數據儲存區域。

相關申請的交叉引用

本申請要求2016年9月22日提交的申請號為10-2016-0121539的韓國專利申請的優先權，其通過引用整體合并于此。

技術領域

各種實施例總體而言涉及一種半導體集成電路，更具體地，涉及一種半導體存儲裝置。

背景技術

半導體存儲裝置被配置為儲存數據并且輸出被儲存的數據。

隨著半導體存儲裝置趨向于大容量和高速操作，正在開發半導體存儲裝置以通過一次操作來正常儲存大量的數據。

發明內容

在一個實施例中，半導體存儲裝置可以包括：寫入控制電路，其適用于在寫入操作中響應于寫入電壓的電壓電平來產生寫入取消信號和重寫信號；以及驅動電路，其適用于在寫入操作中響應于寫入取消信號和重寫信號來將數據傳輸到數據儲存區域。

在一個實施例中，半導體存儲裝置可以包括：寫入電壓檢測電路，其適用于檢測寫入電壓的電壓電平并且產生檢測信號；寫入控制電路，其適用于響應于檢測信號來產生寫入取消信號和重寫信號；以及驅動電路，其適用于當響應于寫入使能信號、寫入取消信號和重寫信號而被激活時驅動數據，并且將所驅動的數據傳輸到數據存儲區。

在一個實施例中，半導體存儲裝置可以包括：多個驅動電路，其適用于被施加寫入電壓并且將數據傳輸到數據儲存區域；寫入電壓檢測電路，其適用于檢測寫入電壓的電壓電平并且產生檢測信號；以及寫入控制電路，其適用于響應于寫入使能信號、速率控制信號、速率使能信號以及檢測信號，同時激活多個驅動電路，或者首先激活多個驅動電路中的一部分驅動電路，并且在激活所述多個驅動電路一部分的驅動電路之后激活剩余的驅動電路。

附圖說明

圖1是示出根據實施例的半導體存儲裝置的代表示例的配置圖。

圖2是示出圖1所示的寫入取消控制電路的代表示例的配置圖。

圖3是示出圖1所示的重寫控制電路的代表示例的配置圖。

圖4是示出圖1所示的第二驅動電路的代表示例的配置圖。

圖5是示出圖1所示的第三驅動電路的代表示例的配置圖。

圖6是用于幫助解釋根據實施例的半導體存儲裝置的操作的時序圖的代表示例。

具體實施方式

在下文中，將參考附圖通過實施例的各種示例來描述半導體存儲裝置。

如圖1所示，根據實施例的半導體存儲裝置可以包括寫入電壓檢測電路100，寫入控制電路200，第一驅動電路至第八驅動電路310、320、330、340、350、360、370和380，以及數據儲存區域400。

寫入電壓檢測電路100可以通過基于特定電平檢測當數據被儲存在半導體存儲裝置中時(即，在寫入操作中)所消耗的寫入電壓V_wt的電壓電平來產生檢測信號Det。例如，當寫入電壓V_wt的電壓電平變得比目標電平低時，寫入電壓檢測電路100可以使能檢測信號Det。寫入電壓V_wt可以為被施加到第一驅動電路至第八驅動電路310、320、330、340、350、360、370和380的驅動電壓。