[發明專利]嵌入式組件封裝結構及其制造方法

有效

• 申請號: 201710846829.7
• 申請日: 2017-09-19
• 公開（公告）號: CN107845613B
• 公開（公告）日: 2019-05-24
• 發明（設計）人: 李志成;田興國;蔡麗娟
• 申請（專利權）人: 日月光半導體制造股份有限公司
• 主分類號: H01L23/31
• 分類號: H01L23/31;H01L23/367;H01L23/488;H01L21/56;H01L21/60
• 代理公司: 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287
• 代理人: 蕭輔寬

1.一種封裝結構，其包括：

載體，其具有第一表面及與所述第一表面相對的第二表面，所述載體界定從所述第一表面延伸到所述第二表面的空腔；

至少一個裸片，其安置在所述空腔中，所述裸片具有一或多個側表面、有源表面及與所述有源表面相對的背表面，其中所述裸片包括位于所述有源表面上的多個接觸墊；

電介質材料，其填充在所述裸片的所述一或多個側表面周圍及所述裸片的所述有源表面上方的所述空腔；

第一導電層，其安置在所述載體的所述第一表面上方；

第一電介質層，其安置在所述裸片的所述有源表面上方，且進一步安置在所述第一導電層及所述載體的所述第一表面上方；

第一導電圖案，其安置在所述第一電介質層上方，所述第一導電圖案電連接到所述第一導電層及所述裸片的所述有源表面；

第二電介質層，其安置在所述載體的所述第二表面上方且界定孔，其中所述孔具有與所述空腔的側壁對準的壁；

第二導電層，其安置在所述第二電介質層上方；及

第三導電層，其安置在所述空腔的所述側壁及所述第二電介質層的所述壁上方，所述第三導電層電連接所述第一導電層及所述第二導電層；

其中所述第一導電圖案電連接到所述第一導電層、所述第二導電層及所述第三導電層。

2.根據權利要求1所述的封裝結構，其進一步包括形成在所述第一電介質層內的多個通孔，其中所述通孔將所述接觸墊電連接到所述第一導電圖案、所述第一導電層、所述第二導電層及第三導電層，且其中所述通孔、所述第一導電圖案、所述第一導電層及所述第三導電層形成從所述接觸墊到所述第二導電層的熱耗散路徑。

3.根據權利要求2所述的封裝結構，其進一步包括安置在所述第一電介質層上方的第三電介質層及安置在所述第三電介質層上方的第二導電圖案，其中所述第二導電圖案電連接到所述接觸墊。

4.根據權利要求1所述的封裝結構，其中所述裸片從所述空腔暴露。

5.根據權利要求1所述的封裝結構，其進一步包括粘著材料，其中所述裸片的所述背表面通過所述粘著材料附接到所述第二導電層。

6.根據權利要求1所述的封裝結構，其中所述裸片的所述背表面直接地接觸所述第二導電層。

7.一種封裝結構，其包括：

載體，其具有第一表面及與所述第一表面相對的第二表面，所述載體界定從所述第一表面延伸到所述第二表面的空腔；

至少一個裸片，其安置在所述空腔中，所述裸片具有有源表面及與所述有源表面相對的背表面，所述裸片包括位于所述有源表面上的多個接觸墊，其中沒有所述裸片的接觸墊在所述裸片的所述背表面上；

第一導電層，其安置在所述載體的所述第一表面上方；

第一電介質層，其安置在所述裸片的所述有源表面上方，所述第一電介質層進一步安置在所述第一導電層及所述載體的所述第一表面上方；

第一導電圖案，其安置在所述第一電介質層上方，所述第一導電圖案電連接到所述第一導電層及所述裸片的所述有源表面；

第二導電層，其安置在所述載體的所述第二表面上方；及

第三導電層，其安置在所述空腔的側壁上方且將所述第一導電層電連接到所述第二導電層；

其中所述第一導電圖案電連接到所述第一導電層、所述第二導電層及所述第三導電層。

8.根據權利要求7所述的封裝結構，其進一步包括形成在所述第一電介質層內且將所述接觸墊電連接到所述第一導電圖案、所述第一導電層、所述第二導電層及所述第三導電層的多個通孔，其中所述通孔、所述第一導電圖案、所述第一導電層及所述第三導電層形成從所述接觸墊到所述第二導電層的熱耗散路徑。

9.根據權利要求7所述的封裝結構，其進一步包括安置在所述第二導電層上方的第二電介質層，及安置在所述第二電介質層上方的第四導電層。