[發(fā)明專利]一種陣列基板及其制備方法、顯示裝置有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201710846528.4 | 申請日: | 2017-09-18 |
| 公開(公告)號: | CN107527927B | 公開(公告)日: | 2019-08-30 |
| 發(fā)明(設計)人: | 石龍強 | 申請(專利權)人: | 深圳市華星光電半導體顯示技術有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/12 | 分類號: | H01L27/12;H01L21/77 |
| 代理公司: | 深圳市威世博知識產權代理事務所(普通合伙) 44280 | 代理人: | 袁江龍 |
| 地址: | 518000 廣東省深*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 陣列 及其 制備 方法 顯示裝置 | ||
技術領域
本發(fā)明涉及顯示技術領域,特別是涉及一種陣列基板及其制備方法、顯示裝置。
背景技術
隨著科技的發(fā)展,顯示器的尺寸越來越大,而大尺寸的顯示器中數(shù)據(jù)線及掃描線有著很大的電阻電容負載,過大的電阻電容負載會造成輸出波形的延遲,導致顯示的異常。
發(fā)明內容
本發(fā)明主要提供一種陣列基板及其制備方法、顯示裝置,旨在解決數(shù)據(jù)線或掃描線的電阻過大而導致顯示異常的問題。
為解決上述技術問題,本發(fā)明采用的一個技術方案是:提供一種陣列基板,所述陣列基板包括襯底基板、金屬圖案層、數(shù)據(jù)線圖案層及掃描線圖案層;其中,所述金屬圖案層設置于所述襯底基板上,所述數(shù)據(jù)線圖案層或所述掃描線圖案層與所述金屬圖案層不同層設置,且所述數(shù)據(jù)線圖案層或所述掃描線圖案層與所述金屬圖案層電連接。
為解決上述技術問題,本發(fā)明采用的另一個技術方案是:提供一種顯示裝置,所述顯示裝置包括上述的陣列基板。
為解決上述技術問題,本發(fā)明采用的又一個技術方案是:提供一種陣列基板的制備方法,所述方法包括:在襯底基板上沉積金屬以形成間隔設置的金屬圖案層與遮光層;形成覆蓋所述金屬圖案層的緩沖層并開設貫穿所述緩沖層且連通所述金屬圖案層的第一過孔;在所述緩沖層依次形成層疊設置的有源層及第一絕緣層;通過同一道光刻工藝分別在所述第一絕緣層與所述緩沖層上形成柵極圖案層和掃描線圖案層,所述掃描線圖案層通過所述第一過孔與所述金屬圖案層電連接;在所述緩沖層上形成第二絕緣層;在所述第二絕緣層上形成源極圖案層、漏極圖案層和數(shù)據(jù)線圖案層。
本發(fā)明的有益效果是:區(qū)別于現(xiàn)有技術的情況,本發(fā)明通過在基板上設置金屬圖案層,數(shù)據(jù)線圖案層與金屬圖案層異層設置且與金屬圖案層電連接或掃描線圖案層與金屬圖案層異層設置且與金屬圖案層電連接的方法,使得數(shù)據(jù)線圖案層或掃描線圖案層與金屬圖案層形成一個并聯(lián)結構,由于該并聯(lián)結構的電阻小于數(shù)據(jù)線圖案層或掃描線圖案層電阻,使得該并聯(lián)結構作為數(shù)據(jù)線或掃描線使用時的電阻變小,提高顯示效果。
附圖說明
圖1是本發(fā)明提供的陣列基板第一實施例的結構示意圖;
圖2是本發(fā)明提供的陣列基板第二實施例的結構示意圖;
圖3是本發(fā)明提供的陣列基板第三實施例的結構示意圖;
圖4是本發(fā)明提供的陣列基板第四實施例的結構示意圖;
圖5是本發(fā)明提供的陣列基板第五實施例的結構示意圖
圖6是本發(fā)明提供的顯示裝置實施例的結構示意圖;
圖7是本發(fā)明提供的陣列基板的制備方法實施例的流程示意圖。
具體實施方式
為使本領域的技術人員更好地理解本發(fā)明的技術方案,下面結合附圖和具體實施方式對本發(fā)明所提供的一種陣列基板及其制備方法、顯示裝置做進一步詳細描述。
參閱圖1,本發(fā)明提供的陣列基板第一實施例包括襯底基板101、金屬圖案層102、掃描線圖案層103及數(shù)據(jù)線圖案層104。
其中,金屬圖案層102設置于襯底基板101上,進一步的,襯底基板101上還設有遮光層105,遮光層105與金屬圖案層102同層間隔設置且通過同一道光刻工藝形成。
具體的,可通過物理氣相沉積法或等離子體氣相沉積法在襯底基板101上沉積金屬材料層,然后通過曝光、顯影、蝕刻及剝離的光刻工藝在襯底基板101上同時形成金屬圖案層102以及遮光層105。
可選的,金屬材料層的金屬材料為包括但不限于鋁或鉬的金屬材料。
進一步的,掃描線圖案層103與金屬圖案層102電連接。
具體的,襯底基板101上還設有覆蓋金屬圖案層102的緩沖層106,緩沖層106設有貫穿緩沖層106且連通金屬圖案層102的第一過孔1061,具體的,可使用物理氣相沉積法或等離子體氣相沉積法在襯底基板101上沉積覆蓋金屬圖案層102的氧化硅層以形成緩沖層106,在形成緩沖層106之后,通過曝光、顯影、蝕刻及剝離的光刻工藝在緩沖層106蝕刻出連通金屬圖案層102的第一過孔1061,掃描線圖案層103設置于緩沖層102上以通過第一過孔1061與金屬圖案層102電連接。
進一步的,緩沖層106上設有依次層疊設置的有源層107、第一絕緣層108及柵極圖案層109,其中,掃描線圖案層103與柵極圖案層109通過同一道光刻工藝形成。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





