[發明專利]一種陣列基板及其制備方法、顯示裝置有效
| 申請號: | 201710846528.4 | 申請日: | 2017-09-18 |
| 公開(公告)號: | CN107527927B | 公開(公告)日: | 2019-08-30 |
| 發明(設計)人: | 石龍強 | 申請(專利權)人: | 深圳市華星光電半導體顯示技術有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/12 | 分類號: | H01L27/12;H01L21/77 |
| 代理公司: | 深圳市威世博知識產權代理事務所(普通合伙) 44280 | 代理人: | 袁江龍 |
| 地址: | 518000 廣東省深*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 陣列 及其 制備 方法 顯示裝置 | ||
1.一種陣列基板,其特征在于,所述陣列基板包括襯底基板、金屬圖案層、數據線圖案層及掃描線圖案層;
其中,所述金屬圖案層設置于所述襯底基板上,所述數據線圖案層與所述金屬圖案層異層設置且與所述金屬圖案層電連接或所述掃描線圖案層與所述金屬圖案層異層設置且與所述金屬圖案層電連接。
2.根據權利要求1所述的基板,其特征在于,所述襯底基板上設有遮光層,所述金屬圖案層與所述遮光層同層間隔設置且通過同一道光刻工藝形成。
3.根據權利要求2所述的基板,其特征在于,所述襯底基板上設有覆蓋所述金屬圖案層的緩沖層,所述緩沖層上設有依次層疊的有源層、第一絕緣層及柵極圖案層,所述掃描線圖案層與所述柵極圖案層通過同一道光刻工藝形成。
4.根據權利要求3所述的基板,其特征在于,所述緩沖層設有貫穿所述緩沖層且連通所述金屬圖案層的第一過孔,所述掃描線圖案層通過所述第一過孔與所述金屬圖案層電連接。
5.根據權利要求4所述的基板,其特征在于,所述緩沖層上還設有與所述有源層間隔設置且通過同一道光刻工藝形成的第一導電層,所述第一導電層通過所述第一過孔與所述金屬圖案層電連接,所述掃描線圖案層設置于所述第一導電層上。
6.根據權利要求2所述的基板,其特征在于,所述陣列基板進一步包括第二絕緣層以及設置于所述第二絕緣層上的源極圖案層和漏極圖案層,所述數據線圖案層設置于所述第二絕緣層上且與所述源極圖案層和漏極圖案層通過同一道光刻工藝形成,所述第二絕緣層設有貫穿所述第二絕緣層且與所述金屬圖案層連通的第二過孔,所述數據線圖案層通過所述第二過孔與所述金屬圖案層電連接。
7.根據權利要求6所述的基板,其特征在于,所述襯底基板上還設有覆蓋所述金屬圖案層的緩沖層,所述第二絕緣層設置于所述緩沖層上,所述緩沖層設有貫穿所述緩沖層且與所述金屬圖案層連通的第三過孔,所述第三過孔與所述第二過孔連通,以使得所述數據線圖案層通過所述第三過孔與所述第二過孔與所述金屬圖案層電連接。
8.根據權利要求7所述的基板,其特征在于,所述緩沖層上設有有源層及第二導電層,所述第二導電層與所述有源層間隔設置且通過同一道光刻工藝形成,所述第二導電層位于所述第二過孔和所述第三過孔之間,以使得所述數據線圖案層通過所述第二導電層與所述金屬圖案層電連接。
9.一種顯示裝置,其特征在于,所述顯示裝置包括如權利要求1~8任一項所述的陣列基板。
10.一種陣列基板的制備方法,其特征在于,所述方法包括:
在襯底基板上沉積金屬以形成間隔設置的金屬圖案層與遮光層;
形成覆蓋所述金屬圖案層的緩沖層并開設貫穿所述緩沖層且連通所述金屬圖案層的第一過孔;
在所述緩沖層依次形成層疊設置的有源層及第一絕緣層;
通過同一道光刻工藝分別在所述第一絕緣層與所述緩沖層上形成柵極圖案層和掃描線圖案層,所述掃描線圖案層通過所述第一過孔與所述金屬圖案層電連接;
在所述緩沖層上形成第二絕緣層;
在所述第二絕緣層上形成源極圖案層、漏極圖案層和數據線圖案層。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





