[發明專利]陣列基板及其制造方法、顯示裝置有效
| 申請號: | 201710845982.8 | 申請日: | 2017-09-19 |
| 公開(公告)號: | CN107564922B | 公開(公告)日: | 2020-03-13 |
| 發明(設計)人: | 田茂坤;黃中浩;吳旭 | 申請(專利權)人: | 京東方科技集團股份有限公司;重慶京東方光電科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/12 | 分類號: | H01L27/12;H01L21/77;G02F1/1333;G02F1/1343;G02F1/1362 |
| 代理公司: | 北京三高永信知識產權代理有限責任公司 11138 | 代理人: | 滕一斌 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 陣列 及其 制造 方法 顯示裝置 | ||
本申請公開了一種陣列基板其制造方法、顯示裝置,屬于顯示領域。其中的陣列基板包括金屬電極層、隔墊層、第一絕緣層和第一透明導電層;其中,隔墊層的形成材料為透明導電材料,金屬電極層包括導電層和位于導電層兩側表面上的保護層,隔墊層與金屬電極層連接;第一絕緣層覆蓋在金屬電極層和隔墊層上,第一透明導電層位于第一絕緣層之上;第一絕緣層中設有過孔,第一透明導電層通過過孔與隔墊層相連。本公開能夠解決銅電極或鋁電極的顯示器件中電極保護層容易在過孔刻蝕中嚴重受損的問題,從而大幅減小保護層所需要的厚度,避免大接觸電阻的形成,節約成本和產能,并實現更優的產品性能。
技術領域
本公開涉及顯示領域,特別涉及一種陣列基板及其制造方法、顯示裝置。
背景技術
目前的顯示器件中,銅、鋁等高電導率材料已經逐漸取代傳統材料而成為了金屬電極主體材質的首選,促成這一轉變的重要技術是保護層的運用——采用穩定性更好的鉬、鈮等材料在銅層或鋁層兩側形成保護層,起到阻止原子擴散、防止材料氧化、改善表面特性、改善接觸電阻等作用。但是,這一轉變也給原有的制造工藝帶來了新的問題。在刻蝕過孔以形成電極連接的工序中,為了避免局部過孔欠刻蝕,一般都會參照最深的過孔而進行超過過孔深度的刻蝕。而具體在銅電極或鋁電極的方案中,上述過刻蝕的手段就會導致保護層的刻蝕損傷。如果過孔底部的保護層被刻蝕貫穿,失去保護的銅或鋁就會很容易擴散或氧化,并在過孔處形成一個非常大的接觸電阻,甚至造成開路。而目前為了避免保護層因過刻而貫穿,會大幅增加上層保護層的厚度,這不僅增大了靶材的消耗以及成膜花費的時間,還增大了基板的整體厚度和高低落差,引發成本、產能以及器件性能上的各種問題。
發明內容
本公開提供一種陣列基板及其制造方法、顯示裝置,可以解決銅電極或鋁電極的顯示器件中電極保護層容易在過孔刻蝕中嚴重受損的問題。
第一方面,本公開提供了一種陣列基板,所述陣列基板包括金屬電極層、隔墊層、第一絕緣層和第一透明導電層;其中,
所述隔墊層的形成材料為透明導電材料,所述金屬電極層包括導電層和位于所述導電層兩側表面上的保護層,所述隔墊層與所述金屬電極層連接;
所述第一絕緣層覆蓋在所述金屬電極層和所述隔墊層上,所述第一透明導電層位于所述第一絕緣層之上;
所述第一絕緣層中設有過孔,所述第一透明導電層通過所述過孔與所述隔墊層相連。
在一種可能的實現方式中,所述金屬電極層的設置區域位于所述過孔的設置區域之外,所述第一透明導電層經過位于所述過孔與所述金屬電極層之間的隔墊層與所述金屬電極層相連。
在一種可能的實現方式中,所述金屬電極層的設置區域位于所述第一透明導電層的設置區域之外,所述第一透明導電層經過位于所述第一透明導電層與所述金屬電極層之間的隔墊層與所述金屬電極層相連。
在一種可能的實現方式中,所述過孔的設置區域位于所述金屬電極層的設置區域之內,所述第一透明導電層經過位于所述過孔的底部的隔墊層與所述金屬電極層相連。
在一種可能的實現方式中,所述陣列基板還包括第二透明導電層,所述第一絕緣層覆蓋在所述第二透明導電層上;所述隔墊層與所述第二透明導電層在同一次構圖工藝中形成。
在一種可能的實現方式中,所述陣列基板還包括柵極導電層、柵絕緣層和有源層;其中,
所述金屬電極層與所述有源層之間存在連接,所述金屬電極層、所述有源層、所述第二透明導電層均位于所述柵絕緣層之上;
所述柵極導電層與所述有源層彼此交疊,所述柵絕緣層覆蓋在所述柵極導電層上。
在一種可能的實現方式中,所述陣列基板還包括源漏導電層和有源層,所述金屬電極層包括公共電壓線和柵電極,所述第一絕緣層包括柵絕緣層和鈍化層;其中,
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





