[發明專利]陣列基板及其制造方法、顯示裝置有效
| 申請號: | 201710845982.8 | 申請日: | 2017-09-19 |
| 公開(公告)號: | CN107564922B | 公開(公告)日: | 2020-03-13 |
| 發明(設計)人: | 田茂坤;黃中浩;吳旭 | 申請(專利權)人: | 京東方科技集團股份有限公司;重慶京東方光電科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/12 | 分類號: | H01L27/12;H01L21/77;G02F1/1333;G02F1/1343;G02F1/1362 |
| 代理公司: | 北京三高永信知識產權代理有限責任公司 11138 | 代理人: | 滕一斌 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 陣列 及其 制造 方法 顯示裝置 | ||
1.一種陣列基板,其特征在于,包括金屬電極層、隔墊層、第一絕緣層、第一透明導電層和第二透明導電層;其中,
所述隔墊層的形成材料為透明導電材料,所述隔墊層與所述第二透明導電層在同一次構圖工藝中形成;所述金屬電極層包括導電層和位于所述導電層兩側表面上的保護層,所述隔墊層與所述金屬電極層連接;
所述第一絕緣層覆蓋在所述第二透明導電層、所述金屬電極層和所述隔墊層上,所述第一透明導電層位于所述第一絕緣層之上;
所述第一絕緣層中設有過孔,所述第一透明導電層通過所述過孔與所述隔墊層相連;所述金屬電極層的設置區域位于所述過孔的設置區域之外,所述第一透明導電層經過位于所述過孔與所述金屬電極層之間的隔墊層與所述金屬電極層相連。
2.根據權利要求1所述的陣列基板,其特征在于,所述金屬電極層的設置區域位于所述第一透明導電層的設置區域之外,所述第一透明導電層經過位于所述第一透明導電層與所述金屬電極層之間的隔墊層與所述金屬電極層相連。
3.根據權利要求1所述的陣列基板,其特征在于,所述陣列基板還包括柵極導電層、柵絕緣層和有源層;其中,
所述金屬電極層與所述有源層之間存在連接,所述金屬電極層、所述有源層、所述第二透明導電層均位于所述柵絕緣層之上;
所述柵極導電層與所述有源層彼此交疊,所述柵絕緣層覆蓋在所述柵極導電層上。
4.根據權利要求1所述的陣列基板,其特征在于,所述陣列基板還包括源漏導電層和有源層,所述金屬電極層包括公共電壓線和柵電極,所述第一絕緣層包括柵絕緣層和鈍化層;其中,
所述公共電壓線與所述隔墊層連接,所述柵絕緣層覆蓋在所述金屬電極層、所述隔墊層和所述第二透明導電層上;
所述有源層與所述柵電極彼此交疊,所述源漏導電層與所述有源層之間存在連接;
所述鈍化層覆蓋在所述柵絕緣層、所述源漏導電層和所述有源層上;
所述第一透明導電層位于所述鈍化層之上,所述柵絕緣層和所述鈍化層中設有過孔,所述第一透明導電層通過該過孔與所述隔墊層相連。
5.根據權利要求1至4中任一項所述的陣列基板,其特征在于,所述導電層的形成材料為鋁、銅、含鋁的合金或者含銅的合金;所述保護層的形成材料為鉬、鈮、含鉬的合金或者含鈮的合金。
6.一種陣列基板的制造方法,其特征在于,包括:
形成包括金屬電極層的圖形,所述金屬電極層包括導電層和位于所述導電層兩側表面上的保護層;
形成包括隔墊層和第二透明導電層的圖形,所述隔墊層與所述金屬電極層連接;
形成覆蓋在所述第二透明導電層、所述金屬電極層和所述隔墊層上的第一絕緣層;
在所述第一絕緣層中形成過孔;
在所述第一絕緣層之上形成包括第一透明導電層的圖形,所述第一透明導電層通過所述過孔與所述隔墊層相連;
其中,所述金屬電極層的設置區域位于所述過孔的設置區域之外,所述第一透明導電層經過所述過孔與所述金屬電極層之間的隔墊層與所述金屬電極層相連。
7.一種顯示裝置,其特征在于,包括如權利要求1至5中任一項所述的陣列基板。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





