[發(fā)明專利]一種面積優(yōu)化設(shè)計(jì)的阻抗校正電路有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201710845950.8 | 申請(qǐng)日: | 2017-09-19 |
| 公開(公告)號(hào): | CN107590342B | 公開(公告)日: | 2020-09-08 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 楊煜;趙玉月;沈廣振;胡凱;閆華 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 無(wú)錫中微億芯有限公司 |
| 主分類號(hào): | G06F30/30 | 分類號(hào): | G06F30/30;G06F30/36;G06F30/392;G06F111/06 |
| 代理公司: | 南京經(jīng)緯專利商標(biāo)代理有限公司 32200 | 代理人: | 姜慧勤 |
| 地址: | 214072 江蘇省*** | 國(guó)省代碼: | 江蘇;32 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說(shuō)明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 面積 優(yōu)化 設(shè)計(jì) 阻抗 校正 電路 | ||
本發(fā)明公開了一種面積優(yōu)化設(shè)計(jì)的阻抗校正電路,包括外部精確阻值電阻,內(nèi)部電流鏡、電阻、比較器、加/減計(jì)數(shù)器。通過比較器來(lái)判斷外部電阻和內(nèi)部電阻電壓的高低,進(jìn)而去控制加/減計(jì)數(shù)器的輸出值,從而調(diào)節(jié)內(nèi)部50?或75?電阻。外部電阻和內(nèi)部電阻的電流比由電流鏡控制,該電流鏡的電流比值由加/減計(jì)數(shù)器的輸出控制。本發(fā)明通過電阻矯正來(lái)實(shí)現(xiàn)阻抗匹配,既節(jié)省面積又降低功耗。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及一種面積優(yōu)化設(shè)計(jì)的阻抗校正電路,具體涉及用于輸入/輸出阻抗匹配的阻抗校正電路,屬于集成電路中的高速通信技術(shù)領(lǐng)域。
背景技術(shù)
高速信號(hào)輸入輸出電路要求阻抗匹配來(lái)減少反射,達(dá)到最大傳輸功率,保證通信質(zhì)量。芯片內(nèi)部電阻隨工藝、溫度、電源波動(dòng)可以達(dá)到10%~20%,為了達(dá)到阻抗匹配需要內(nèi)部設(shè)計(jì)電阻矯正電路。
傳統(tǒng)阻抗校正電路如圖1所示:VCC_ext為芯片外部電源、Rext為芯片外部精確50Ω或75Ω的參考電阻、VCC_int為芯片內(nèi)部電源、Rint為芯片內(nèi)部可調(diào)節(jié)電阻、CMP為比較器、加/減計(jì)數(shù)器。一般情況下,VCC_ext=VCC_int,通過比較Rext與Rint的大小來(lái)調(diào)節(jié)Rint,最終使得Rext=Rint。由于片內(nèi)性能穩(wěn)定的電阻一般為poly電阻,其方塊阻值為幾百歐姆,要實(shí)現(xiàn)50Ω或75Ω的電阻占用較大的芯片面積,尤其是考慮到極端偏差,Rint修調(diào)范圍比較大,精度越高,N就越大,就越需要更多電阻即更多芯片面積。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是:提供一種面積優(yōu)化設(shè)計(jì)的阻抗校正電路,解決了傳統(tǒng)電路中可修調(diào)電阻Rint消耗大量芯片面積的問題,既節(jié)省了芯片面積又降低了功耗。
本發(fā)明為解決上述技術(shù)問題采用以下技術(shù)方案:
一種面積優(yōu)化設(shè)計(jì)的阻抗校正電路,包括芯片外部的參考電阻,還包括芯片內(nèi)部的放大器、電阻、比較器、加/減計(jì)數(shù)器、第一PMOS管、電流鏡;電流鏡包括第二NMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管至第N+四NMOS管、與第四NMOS管至第N+四NMOS管一一對(duì)應(yīng)的第四開關(guān)至第N+四開關(guān);
所述參考電阻一端接芯片外部電源,另一端接第一PMOS管的源極、放大器負(fù)輸入端;放大器正輸入端接第一基準(zhǔn)電壓,放大器輸出端接第一PMOS管的柵極;第一PMOS管的漏極接?xùn)怕┒探拥牡谌齆MOS管的漏極;第四NMOS管至第N+四NMOS管中,每個(gè)NMOS管的柵極經(jīng)各自對(duì)應(yīng)的開關(guān)與該NMOS管的漏極短接后接第一PMOS管的漏極,每個(gè)NMOS管的源極接地;第三NMOS管的源極接地,第三NMOS管的柵極接第二NMOS管的柵極;第二NMOS管的源極接地,漏極經(jīng)電阻接芯片內(nèi)部電源;第二NMOS管的漏極還接比較器負(fù)輸入端,比較器正輸入端接第二基準(zhǔn)電壓,比較器輸出端接加/減計(jì)數(shù)器輸入端;加/減計(jì)數(shù)器的輸出控制第四開關(guān)至第N+四開關(guān)的導(dǎo)通與關(guān)斷,同時(shí),加/減計(jì)數(shù)器的輸出調(diào)節(jié)I/O電路中需要校正的電阻。
作為本發(fā)明的一種優(yōu)選方案,所述I/O電路包括需要校正的電阻,需要校正的電阻包括第一電阻、第二電阻至第N+2電阻、與第二電阻至第N+2電阻一一對(duì)應(yīng)的第N+12開關(guān)至第2N+12開關(guān);第二電阻至第N+2電阻中,每個(gè)電阻和與該電阻一一對(duì)應(yīng)的開關(guān)串聯(lián)后,并聯(lián)在第一電阻的兩端;由加/減計(jì)數(shù)器的輸出控制第N+12開關(guān)至第2N+12開關(guān)的導(dǎo)通與關(guān)斷。
作為本發(fā)明的一種優(yōu)選方案,所述參考電阻(Rext)的阻值由如下公式推導(dǎo):
其中,VCC_int代表芯片內(nèi)部電源,VCC_ext代表芯片外部電源,Vref1代表第一基準(zhǔn)電壓,Vref2代表第二基準(zhǔn)電壓,Rint代表需要校正的電阻,M為正整數(shù)。
作為本發(fā)明的一種優(yōu)選方案,所述第四NMOS管至第N+四NMOS管的尺寸依次為20*W/L~2N*W/L,其中,W代表溝道寬度,L代表溝道長(zhǎng)度。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于無(wú)錫中微億芯有限公司,未經(jīng)無(wú)錫中微億芯有限公司許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購(gòu)買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請(qǐng)聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201710845950.8/2.html,轉(zhuǎn)載請(qǐng)聲明來(lái)源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 針織設(shè)計(jì)裝置和設(shè)計(jì)方法、設(shè)計(jì)程序
- 燈具(設(shè)計(jì)1?設(shè)計(jì)3)
- 頭燈(設(shè)計(jì)1?設(shè)計(jì)2?設(shè)計(jì)3)
- LED透鏡(設(shè)計(jì)1、設(shè)計(jì)2、設(shè)計(jì)3)
- 設(shè)計(jì)用圖形設(shè)計(jì)桌
- 手機(jī)殼(設(shè)計(jì)1設(shè)計(jì)2設(shè)計(jì)3設(shè)計(jì)4)
- 機(jī)床鉆夾頭(設(shè)計(jì)1設(shè)計(jì)2設(shè)計(jì)3設(shè)計(jì)4)
- 吹風(fēng)機(jī)支架(設(shè)計(jì)1設(shè)計(jì)2設(shè)計(jì)3設(shè)計(jì)4)
- 設(shè)計(jì)桌(平面設(shè)計(jì))
- 設(shè)計(jì)臺(tái)(雕塑設(shè)計(jì)用)





