[發明專利]封裝結構及其制造方法有效
| 申請號: | 201710845069.8 | 申請日: | 2017-09-19 |
| 公開(公告)號: | CN109243981B | 公開(公告)日: | 2021-05-11 |
| 發明(設計)人: | 林漢文;徐宏欣;張簡上煜;林南君 | 申請(專利權)人: | 力成科技股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/48 | 分類號: | H01L21/48;H01L21/683;H01L23/498 |
| 代理公司: | 北京同立鈞成知識產權代理有限公司 11205 | 代理人: | 馬雯雯;臧建明 |
| 地址: | 中國臺灣新竹縣*** | 國省代碼: | 臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 封裝 結構 及其 制造 方法 | ||
本發明提供一種封裝結構及其制造方法。所述制造方法包括以下步驟:提供載體,在載體上設置半導體晶粒以及至少一犧牲結構;通過多條導線使半導體晶粒與犧牲結構上的接合墊電性連接;于載體上形成封裝體以密封半導體晶粒、犧牲結構以及導線;剝離載體,并通過薄化工程來移除犧牲結構的至少一部分;于半導體晶粒與封裝體上形成重布線層,所述重布線層通過導線電性連接至半導體晶粒。
技術領域
本發明涉及一種封裝結構,尤其涉及一種使用犧牲結構用于引線接合(wirebonding)的一種封裝結構的制造方法。
背景技術
為了使電子產品設計實現輕薄、短小的特征,半導體封裝技術不斷進步以試圖開發出體積更小、重量更輕、整合性更高以及在市場上競爭力更高的產品。舉例來說,由于集成扇出封裝(integrated fan-out package)的緊密性,其變得越來越受歡迎。然而,在現有的扇出封裝設計中,如果封裝需要多晶粒的堆疊,則通常需要兩個重布線層(redistribution layer)以及較大的支柱(pillars)來提供連結。對于此類型的封裝設計,其制造過程通常較為復雜、較為耗時,且也有翹曲的問題存在。因此,目前需要生產成本較低且經簡化的制造方法/產品設計。
發明內容
本發明提供一種封裝結構及其制造方法,其通過使用犧牲結構來固定用于引線接合的導線的位置。所述方法有效地降低了封裝的尺寸和制造成本,并且克服了芯片或面板的翹曲問題。
本發明提供一種封裝結構的制造方法。所述方法包括以下步驟。提供一載體。在載體上設置半導體晶粒以及犧牲結構。通過多條導線使半導體晶粒與犧牲結構上的接合墊電性連接。于載體上形成封裝體以密封半導體晶粒、犧牲結構以及導線。剝離載體,并通過薄化工程來移除犧牲結構以暴露出接合墊或是導線。于半導體晶粒與封裝體上形成重布線層。所述重布線層通過導線電性連接至半導體晶粒。
在本發明的一實施例中,所述薄化工程會移除半導體晶粒的一部分以形成薄化半導體晶粒。
在本發明的一實施例中,所述封裝結構的制造方法,還包括:于犧牲結構上形成多個被動元件,且形成封裝體以密封被動元件。
在本發明的一實施例中,在移除犧牲結構之后,重布線層是形成在半導體晶粒與封裝體上,且重布線層是與半導體晶粒以及被動元件電性連接。
本發明另提供一種封裝結構,其包括封裝體、堆疊晶粒、多個接合墊、多條導線以及重布線層。所述封裝體具有頂表面以及與頂表面相對的底表面。堆疊晶粒嵌入于封裝體中。接合墊嵌入于封裝體中,其中接合墊暴露在封裝體的頂表面上。導線嵌入于封裝體中,其中堆疊晶粒通過導線與接合墊電性連接。重布線層設置于堆疊晶粒上且位于封裝體的頂表面上,其中重布線層通過接合墊及導線與堆疊晶粒電性連接。
在本發明的一實施例中,所述封裝體具有第一厚度,且重布線層具有比第一厚度還小的第二厚度。
在本發明的一實施例中,所述封裝體提供第一剛性,重布線層提供第二剛性,且第一剛性大于第二剛性。
在本發明的一實施例中,所述封裝結構還包括:多個導電球設置在重布線層上。
在本發明的一實施例中,所述接合墊以第一間距配置,導電球以第二間距配置,且第二間距大于第一間距。
基于上述,是通過使用犧牲結構來固定導線的位置。因此,當移除犧牲結構時,能夠提供導線或焊點的具體位置以用于進一步的連接。此外,可以在進行薄化工程期間有效地控制半導體晶粒的厚度,從而可以減小封裝結構的整體尺寸。另外,由于犧牲結構的存在,晶粒與封裝體之間的面積比可降低。因此,可以解決芯片或面板的翹曲問題。整體來說,能夠實現封裝結構制造工程的簡化,進而降低制造成本。
為讓本發明的上述特征和優點能更明顯易懂,下文特舉實施例,并配合附圖作詳細說明如下。
附圖說明
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





