[發(fā)明專利]封裝結(jié)構(gòu)及其制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201710845069.8
• 申請日: 2017-09-19
• 公開（公告）號: CN109243981B
• 公開（公告）日: 2021-05-11
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 林漢文;徐宏欣;張簡上煜;林南君
• 申請（專利權(quán)）人: 力成科技股份有限公司
• 主分類號: H01L21/48
• 分類號: H01L21/48;H01L21/683;H01L23/498
• 代理公司: 北京同立鈞成知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11205
• 代理人: 馬雯雯;臧建明

1.一種封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，包括：

提供載體；

于所述載體上設(shè)置半導(dǎo)體晶粒以及至少一犧牲結(jié)構(gòu)；

通過多條導(dǎo)線將所述半導(dǎo)體晶粒電線連接至所述犧牲結(jié)構(gòu)上的接合墊；

于所述載體上形成封裝體以密封所述半導(dǎo)體晶粒、所述犧牲結(jié)構(gòu)以及所述多條導(dǎo)線；

剝離所述載體；

通過薄化工程來移除所述犧牲結(jié)構(gòu)；以及

于所述半導(dǎo)體晶粒與所述封裝體上形成重布線層，其中所述重布線層通過所述多條導(dǎo)線電性連接至所述半導(dǎo)體晶粒。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，所述犧牲結(jié)構(gòu)是設(shè)置在所述載體上，所述半導(dǎo)體晶粒是設(shè)置在所述犧牲結(jié)構(gòu)上，且所述犧牲結(jié)構(gòu)的寬度大于所述半導(dǎo)體晶粒的寬度。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，所述重布線層是在移除所述犧牲結(jié)構(gòu)后形成在所述半導(dǎo)體晶粒與所述封裝體上，并且將多個被動元件設(shè)置在所述重布線層上。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，在進(jìn)行所述薄化工程之后會暴露出所述接合墊或是暴露出所述多條導(dǎo)線。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，多個所述犧牲結(jié)構(gòu)是設(shè)置在所述載體上以環(huán)繞所述半導(dǎo)體晶粒，且所述半導(dǎo)體晶粒與所述犧牲結(jié)構(gòu)是設(shè)置在所述載體的同一平面及同一表面上。

6.一種封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括：

封裝體，其具有頂表面以及與所述頂表面相對的底表面；

堆疊晶粒，嵌入于所述封裝體中，所述堆疊晶粒具有通過所述封裝體而暴露出的第一表面；

多條導(dǎo)線，嵌入于所述封裝體中，所述封裝體僅暴露出所述多條導(dǎo)線的連接端點，其中所述堆疊晶粒與所述多條導(dǎo)線電性連接，且所述連接端點與所述堆疊晶粒的所述第一表面為共平面；以及

重布線層，設(shè)置于所述堆疊晶粒上且位于所述封裝體的所述頂表面上，其中所述重布線層直接接觸所述多條導(dǎo)線的所述連接端點且通過所述多條導(dǎo)線與所述堆疊晶粒電性連接。

7.根據(jù)權(quán)利要求6項所述的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，還包括：

至少一被動元件，設(shè)置于所述重布線層的第二表面上，并且暴露在所述封裝結(jié)構(gòu)的外部。

8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述堆疊晶粒的所述第一表面與所述封裝體的所述頂表面為共平面。

9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述堆疊晶粒包括：

第一晶粒，其具有通過所述封裝體而暴露出的所述第一表面；

第二晶粒，堆疊在所述第一晶粒上與所述第一表面相對的一側(cè)，且所述第二晶粒覆蓋所述第一晶粒的一部分，且未被第二晶粒覆蓋的所述第一晶粒的其他部分包括晶粒焊盤，且所述第一晶粒的所述晶粒焊盤與所述多條導(dǎo)線電性連接。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述堆疊晶粒還包括：

第三晶粒，堆疊在所述第二晶粒上，且所述第三晶粒覆蓋所述第二晶粒的一部分，且未被第三晶粒覆蓋的所述第二晶粒的其他部分包括晶粒焊盤，且所述第二晶粒的所述晶粒焊盤與所述多條導(dǎo)線電性連接。