[發明專利]一種陣列基板及其制程方法、液晶顯示面板

在審

• 申請號: 201710843744.3
• 申請日: 2017-09-15
• 公開（公告）號: CN107505787A
• 公開（公告）日: 2017-12-22
• 發明（設計）人: 孫杰;莫超德
• 申請（專利權）人: 深圳市華星光電技術有限公司
• 主分類號: G02F1/1362
• 分類號: G02F1/1362;G02F1/1368;H01L27/12;H01L21/77
• 代理公司: 深圳市威世博知識產權代理事務所(普通合伙)44280
• 代理人: 鐘子敏

技術領域

本發明涉及顯示技術領域，特別是涉及一種陣列基板及其制程方法、液晶顯示面板。

背景技術

隨著液晶顯示技術的不斷發展，液晶顯示面板作為顯示部件已廣泛應用于移動電話、數碼相機、掌上電腦(Personal Digital Assistant，PDA)等電子產品中。然而，對于采用垂直配向(Vertical Alignmen，VA)模式的液晶顯示面板來講，往往還存在大視角色偏的問題。

目前，改善VA模式的液晶顯示面板色偏的方法具有多種，而采用雙薄膜晶體管的結構來使主像素區域與次像素區域達到不同電位的八疇顯示可有效改善色偏現象。

本申請的發明人在長期的研發過程中，發現該種方法往往也要引入一條多余的數據線或掃描線，從而導致開口率降低。

發明內容

本發明主要解決的技術問題是提供一種陣列基板及其制程方法、液晶顯示面板，能夠在不引入多余的數據線或掃描線的情況下，改善色偏現象。

為解決上述技術問題，本發明采用的一個技術方案是：提供襯底基板；

多條數據線，設置在所述襯底基板上；和

多條掃描線，設置在所述襯底基板上，其中，所述多條數據線和所述多條掃描線交錯設置以將所述陣列基板分割成多個像素單元；

其中，每個所述像素單元分別包括：

主像素區域，其包括第一薄膜晶體管和第一像素電極，其中，所述第一薄膜晶體管電性連接至一條對應的所述掃描線和一條對應的所述數據線，且所述第一像素電極連接至所述第一薄膜晶體管以通過所述第一薄膜晶體管而連接至所述對應的數據線；

次像素區域，其包括第二薄膜晶體管和第二像素電極，其中，所述第二薄膜晶體管電性連接至一條對應的所述掃描線和一條對應的所述數據線，且所述第二像素電極連接至所述第二薄膜晶體管以通過所述第二薄膜晶體管而連接至所述對應的數據線；

其中，每一所述像素單元中的所述第一薄膜晶體管和所述第二薄膜晶體管均連接至同一條所述掃描線和同一條所述數據線，以通過所述同一條掃描線而控制所述第一薄膜晶體管和所述第二薄膜晶體管的開關狀態，通過所述同一條數據線而將數據電壓分別寫入至所述第一像素電極和所述第二像素電極；

且所述第一薄膜晶體管和所述第二薄膜晶體管為不同結構類型的薄膜晶體管，以在寫入所述數據電壓時，所述第一像素電極和所述第二像素電極上接收的電壓不同。

為解決上述技術問題，本發明采用的另一個技術方案是：一種陣列基板的制程方法，包括：

提供襯底基板；

在所述襯底基板上沉積第一金屬層，并將所述第一金屬層圖案化，從而形成數據線、第一薄膜晶體管的第一柵極、第二薄膜晶體管的第二源極；

在完成前述步驟的所述襯底基板上形成柵極絕緣層，其中，所述柵極絕緣層包括所述第一薄膜晶體管的第一柵極絕緣層和所述第二薄膜晶體管的第二柵極絕緣層；

在完成前述步驟的所述襯底基板上沉積半導體層并將所述半導體層進行圖案化從而形成所述第一薄膜晶體管的第一有源層和所述第二薄膜晶體管的第二有源層，其中，所述第一有源層設置在所述第一柵極絕緣層之上且對應于所述第一柵極所在的區域，而所述第二有源層設置在所述第二柵極絕緣層內開設的通孔內以與所述第二源極相接觸；

在完成前述步驟的所述襯底基板上沉積第二金屬層，并將所述第二金屬層進行圖案化，從而形成掃描線、所述第一薄膜晶體管的第一源極和第一漏極、以及所述第二薄膜晶體管的第二柵極，其中，所述第一源極和第一漏極彼此間隔地形成在所述第一有源層上且與所述第一有源層相接觸，而所述第二柵極環繞所述第二有源層設置，且所述第二柵極與所述第二有源層之間設置有所述第二柵極絕緣層的至少部分以隔離所述第二柵極與所述第二有源層；

在完成前述步驟的所述襯底基板上形成鈍化層，其中，所述鈍化層包括所述第一薄膜晶體管的第一鈍化層和所述第二薄膜晶體管的第二鈍化層；

在完成前述步驟的所述襯底基板上沉積透明導電材料層，并對所述透明導電材料層進行圖案化，從而形成第一像素電極、所述第二薄膜晶體管的第二漏極、和第二像素電極，其中，所述第二漏極與所述第二像素電極連接，且所述第二漏極設置在所述第二鈍化層內開設的第二通孔內以與所述第二有源層相接觸，而所述第一像素電極通過所述第一鈍化層內開設的第三通孔而連接至所述第一漏極。