[發明專利]一種陣列基板及其制程方法、液晶顯示面板

在審

• 申請號: 201710843744.3
• 申請日: 2017-09-15
• 公開（公告）號: CN107505787A
• 公開（公告）日: 2017-12-22
• 發明（設計）人: 孫杰;莫超德
• 申請（專利權）人: 深圳市華星光電技術有限公司
• 主分類號: G02F1/1362
• 分類號: G02F1/1362;G02F1/1368;H01L27/12;H01L21/77
• 代理公司: 深圳市威世博知識產權代理事務所(普通合伙)44280
• 代理人: 鐘子敏

1.一種陣列基板，其特征在于，包括：

襯底基板；

多條數據線，設置在所述襯底基板上；和

多條掃描線，設置在所述襯底基板上，其中，所述多條數據線和所述多條掃描線交錯設置以將所述陣列基板分割成多個像素單元；

其中，每個所述像素單元分別包括：

主像素區域，其包括第一薄膜晶體管和第一像素電極，其中，所述第一薄膜晶體管電性連接至一條對應的所述掃描線和一條對應的所述數據線，且所述第一像素電極連接至所述第一薄膜晶體管以通過所述第一薄膜晶體管而連接至所述對應的數據線；

次像素區域，其包括第二薄膜晶體管和第二像素電極，其中，所述第二薄膜晶體管電性連接至一條對應的所述掃描線和一條對應的所述數據線，且所述第二像素電極連接至所述第二薄膜晶體管以通過所述第二薄膜晶體管而連接至所述對應的數據線；

其中，每一所述像素單元中的所述第一薄膜晶體管和所述第二薄膜晶體管均連接至同一條所述掃描線和同一條所述數據線，以通過所述同一條掃描線而控制所述第一薄膜晶體管和所述第二薄膜晶體管的開關狀態，通過所述同一條數據線而將數據電壓分別寫入至所述第一像素電極和所述第二像素電極；

且所述第一薄膜晶體管和所述第二薄膜晶體管為不同結構類型的薄膜晶體管，以在寫入所述數據電壓時，所述第一像素電極和所述第二像素電極上接收的電壓不同。

2.根據權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述第一薄膜晶體管為底柵式薄膜晶體管，所述第二薄膜晶體管為中柵式薄膜晶體管。

3.根據權利要求2所述的陣列基板，其特征在于，

所述第一薄膜晶體管包括：

第一柵極，設置在所述襯底基板上；

第一柵極絕緣層，覆蓋在所述第一柵極上；

第一有源層，設置在所述第一柵極絕緣層上且相對位于所述第一柵極的上方；

第一源極和第一漏極，其中，所述第一源極和所述第一漏極彼此間隔地形成在所述第一有源層上；

第一鈍化層，覆蓋在所述第一源極、所述第一漏極以及第一柵極絕緣層上；

所述第二薄膜晶體管包括：

第二源極，設置在所述襯底基板上；

第二柵極絕緣層，覆蓋在所述第二源極上，且所述第二柵極絕緣層中開設有第一通孔，以暴露出所述第二源極的至少部分區域；

第二有源層，設置在所述第二源極上且位于所述第二柵極絕緣層中的所述第一通孔中以與所述第二源極相接觸；

第二柵極，設置在所述第二柵極絕緣層的部分區域上且環繞所述第二有源層設置，其中，所述第二柵極絕緣層的至少部分形成在所述第二柵極與所述第二有源層之間以隔離所述第二柵極與所述第二有源層；

第二鈍化層，覆蓋在所述第二柵極、所述第二有源層以及所述第二柵極絕緣層上，其中，所述第二鈍化層中開設有第二通孔，以暴露出所述第二有源層的至少部分區域；

第二漏極，設置在所述第二鈍化層中的所述第二通孔內，以與所述第二有源層相接觸。

4.根據權利要求3所述的陣列基板，其特征在于，所述數據線、所述第一柵極和所述第二源極在同一光罩制程步驟中對第一金屬層圖案化而形成；而所述掃描線、所述第一源極、所述第一漏極和所述第二柵極在同一光罩制程步驟中對第二金屬層圖案化而形成。

5.根據權利要求3所述的陣列基板，其特征在于，所述第一鈍化層中開設有第三通孔，所述第一像素電極設置在所述第一鈍化層上且通過所述第三通孔連接至所述第一薄膜晶體管的所述第一漏極；而所述第二像素電極設置在所述第二鈍化層上并與所述第二薄膜晶體管的所述第二漏極一體成型。

6.根據權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，每一條所述掃描線設置在對應的一行所述像素單元中的所述主像素區域與所述次像素區域之間。