[發(fā)明專利]結(jié)晶ITO薄膜的制備方法、On?cell型觸控面板的制備方法

在審

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• 申請日: 2017-09-18
• 公開（公告）號: CN107463031A
• 公開（公告）日: 2017-12-12
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 呂紹卿
• 申請（專利權(quán)）人: 武漢華星光電技術(shù)有限公司
• 主分類號: G02F1/1343
• 分類號: G02F1/1343;G02F1/1333
• 代理公司: 深圳市銘粵知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司44304
• 代理人: 孫偉峰,黃進(jìn)

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及觸控式顯示裝置的制造工藝,尤其涉及一種結(jié)晶ITO薄膜的制備方法，還涉及一種On-cell型觸控面板的制備方法。

背景技術(shù)

隨著信息時代的發(fā)展及生活節(jié)奏的加快，觸控技術(shù)由于其人性化設(shè)計及簡單快捷的輸入等特點，已經(jīng)逐漸取代傳統(tǒng)的鼠標(biāo)和鍵盤，廣泛的應(yīng)用到各式各樣的電子產(chǎn)品中，其中，電容式觸摸屏由于其具有反應(yīng)速度快，靈敏度高，可靠度佳以及耐用度高等優(yōu)點而被廣為使用。

根據(jù)觸控感測層在顯示面板中的設(shè)置方式不同，觸控顯示面板分為外掛式(Add on Mode)、內(nèi)嵌式(In-cell)和外嵌式(On-cell)等結(jié)構(gòu)。外掛式觸控顯示面板由于觸摸屏與顯示面板是相互獨立設(shè)置，產(chǎn)品厚度較大，不能滿足一些掌上設(shè)備和便攜式設(shè)備的超薄要求。In-cell觸控顯示面板是將觸控感測層集成到顯示面板的彩色濾光片基板內(nèi)側(cè)，但I(xiàn)n-cell觸控顯示面板因結(jié)構(gòu)、制程均比較復(fù)雜而導(dǎo)致其生產(chǎn)良率較低。On-cell觸控顯示面板是將觸控感應(yīng)電極設(shè)置在顯示面板的彩膜(Color Filter，CF)基板外側(cè)，也是目前的主流觸控結(jié)構(gòu)之一，通常，On-cell的觸控感應(yīng)電極是嵌入設(shè)置在彩膜基板和上偏光片之間。

目前，On-cell觸控顯示面板的制備工藝中，通常是先制備形成液晶面板，所述液晶面板包括相對設(shè)置的陣列基板和彩膜基板，所述陣列基板和所述彩膜基板之間設(shè)置有液晶層；然后在液晶面板的彩膜基板上沉積一層ITO薄膜，再將ITO薄膜刻蝕形成圖案化的觸控感應(yīng)電極。結(jié)晶的ITO薄膜相比于非結(jié)晶的ITO薄膜具有更低的阻抗和更高的穿透率的特性，因此，用于制備形成觸控感應(yīng)電極的ITO薄膜最好是結(jié)晶的ITO薄膜。

現(xiàn)有的制備結(jié)晶ITO薄膜的方法主要是高溫退火晶化法：1、采用低溫濺射工藝沉積形成非結(jié)晶的ITO薄膜；2、將非結(jié)晶的ITO薄膜放置于退火爐中進(jìn)行高溫退火晶化處理，獲得結(jié)晶ITO薄膜。但是，在液晶面板上制備結(jié)晶ITO薄膜時，由于液晶面板中的液晶層可以承受的最高溫度應(yīng)當(dāng)小于140℃，而非結(jié)晶的ITO薄膜的晶化溫度一般要大于200℃，因此傳統(tǒng)的采用高溫退火晶化法無法應(yīng)用于在液晶面板上制備結(jié)晶ITO薄膜。

因此，如何在液晶面板上制備獲得結(jié)晶ITO薄膜是業(yè)內(nèi)一直在探索解決的問題。

發(fā)明內(nèi)容

有鑒于此，本發(fā)明提供了一種結(jié)晶ITO薄膜的制備方法，該方法可以在液晶面板上制備獲得具有低阻抗和高穿透率的結(jié)晶ITO薄膜，又能有效地保護(hù)液晶面板中的液晶層不受高溫破壞。

為了實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明采用了如下的技術(shù)方案：

一種結(jié)晶ITO薄膜的制備方法，用于在液晶面板上制備形成結(jié)晶ITO薄膜，所述液晶面板包括相對設(shè)置的陣列基板和彩膜基板，所述陣列基板和所述彩膜基板之間設(shè)置有液晶層，其中，所述制備方法包括：應(yīng)用沉積工藝，在所述彩膜基板的背離所述液晶層一側(cè)的表面上制備形成非結(jié)晶ITO薄膜；在預(yù)設(shè)溫度下，應(yīng)用準(zhǔn)分子激光退火工藝，使所述非結(jié)晶ITO薄膜晶化，獲得結(jié)晶ITO薄膜。

其中，所述沉積工藝為低溫磁控濺射工藝。

其中，所述結(jié)晶ITO薄膜的厚度為50～80nm。

其中，所述預(yù)設(shè)溫度不超過100℃。

其中，所述預(yù)設(shè)溫度不超過60℃。

本發(fā)明還提供了一種On-cell型觸控面板的制備方法，包括在液晶面板上制備形成觸控感應(yīng)電極層的步驟，采用了如上所述的結(jié)晶ITO薄膜的制備方法；具體地，在液晶面板上制備形成觸控感應(yīng)電極層的步驟包括：應(yīng)用沉積工藝，在所述彩膜基板的背離所述液晶層一側(cè)的表面上制備形成非結(jié)晶ITO薄膜；應(yīng)用光刻工藝，將所述非結(jié)晶ITO薄膜刻蝕形成圖案化的觸控感應(yīng)電極；在預(yù)設(shè)溫度下，應(yīng)用準(zhǔn)分子激光退火工藝，使圖案化的觸控感應(yīng)電極對應(yīng)的非結(jié)晶ITO薄膜晶化形成結(jié)晶ITO薄膜。

本發(fā)明實施例中提供的結(jié)晶ITO薄膜的制備方法，在液晶面板上沉積形成非結(jié)晶ITO薄膜之后，采用準(zhǔn)分子激光退火法(Excimer Laser Anneal，ELA)對非結(jié)晶的ITO薄膜進(jìn)行晶化處理，獲得結(jié)晶ITO薄膜。通過使用準(zhǔn)分子激光退火工藝，可以使得位于彩膜基板上的區(qū)域具有較高的溫度，滿足ITO薄膜結(jié)晶的要求，制備獲得具有低阻抗和高穿透率的結(jié)晶ITO薄膜；同時又可以將位于彩膜基板內(nèi)側(cè)的區(qū)域控制得較低，低于液晶層可以承受的最高溫度，有效地保護(hù)液晶面板中的液晶層不受高溫破壞。

附圖說明

圖1是本發(fā)明實施例1提供的結(jié)晶ITO薄膜的制備方法的示例性圖示；