[發(fā)明專利]結(jié)晶ITO薄膜的制備方法、On?cell型觸控面板的制備方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201710842690.9 | 申請日： | 2017-09-18 |
| 公開（公告）號： | CN107463031A | 公開（公告）日： | 2017-12-12 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 呂紹卿 | 申請（專利權(quán)）人： | 武漢華星光電技術(shù)有限公司 |
| 主分類號： | G02F1/1343 | 分類號： | G02F1/1343;G02F1/1333 |
| 代理公司： | 深圳市銘粵知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司44304 | 代理人： | 孫偉峰,黃進(jìn) |
| 地址： | 430070 湖北省武漢市*** | 國省代碼： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 結(jié)晶 ito 薄膜 制備 方法 on cell 型觸控 面板 | ||
1.一種結(jié)晶ITO薄膜的制備方法，用于在液晶面板上制備形成結(jié)晶ITO薄膜，所述液晶面板包括相對設(shè)置的陣列基板和彩膜基板，所述陣列基板和所述彩膜基板之間設(shè)置有液晶層，其特征在于，所述制備方法包括：
應(yīng)用沉積工藝，在所述彩膜基板的背離所述液晶層一側(cè)的表面上制備形成非結(jié)晶ITO薄膜；
在預(yù)設(shè)溫度下，應(yīng)用準(zhǔn)分子激光退火工藝，使所述非結(jié)晶ITO薄膜晶化，獲得結(jié)晶ITO薄膜。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的結(jié)晶ITO薄膜的制備方法，其特征在于，所述沉積工藝為低溫磁控濺射工藝。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的結(jié)晶ITO薄膜的制備方法，其特征在于，所述結(jié)晶ITO薄膜的厚度為50～80nm。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的結(jié)晶ITO薄膜的制備方法，其特征在于，所述預(yù)設(shè)溫度不超過100℃。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的結(jié)晶ITO薄膜的制備方法，其特征在于，所述預(yù)設(shè)溫度不超過60℃。
6.一種On-cell型觸控面板的制備方法，包括在液晶面板上制備形成觸控感應(yīng)電極層的步驟，所述液晶面板包括相對設(shè)置的陣列基板和彩膜基板，所述陣列基板和所述彩膜基板之間設(shè)置有液晶層，其特征在于，在液晶面板上制備形成觸控感應(yīng)電極層的步驟包括：
應(yīng)用沉積工藝，在所述彩膜基板的背離所述液晶層一側(cè)的表面上制備形成非結(jié)晶ITO薄膜；
應(yīng)用光刻工藝，將所述非結(jié)晶ITO薄膜刻蝕形成圖案化的觸控感應(yīng)電極；
在預(yù)設(shè)溫度下，應(yīng)用準(zhǔn)分子激光退火工藝，使圖案化的觸控感應(yīng)電極對應(yīng)的非結(jié)晶ITO薄膜晶化形成結(jié)晶ITO薄膜。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的On-cell型觸控面板的制備方法，其特征在于，所述沉積工藝為低溫磁控濺射工藝。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的On-cell型觸控面板的制備方法，其特征在于，所述結(jié)晶ITO薄膜的厚度為50～80nm。
9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的On-cell型觸控面板的制備方法，其特征在于，所述預(yù)設(shè)溫度不超過100℃。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的On-cell型觸控面板的制備方法，其特征在于，所述預(yù)設(shè)溫度不超過60℃。
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G02F 用于控制光的強(qiáng)度、顏色、相位、偏振或方向的器件或裝置，例如轉(zhuǎn)換、選通、調(diào)制或解調(diào)，上述器件或裝置的光學(xué)操作是通過改變器件或裝置的介質(zhì)的光學(xué)性質(zhì)來修改的；用于上述操作的技術(shù)或工藝；變頻；非線性光學(xué)；光學(xué)
G02F1-00 控制來自獨(dú)立光源的光的強(qiáng)度、顏色、相位、偏振或方向的器件或裝置，例如，轉(zhuǎn)換、選通或調(diào)制；非線性光學(xué)
G02F1-01 .對強(qiáng)度、相位、偏振或顏色的控制
G02F1-29 .用于光束的位置或方向的控制，即偏轉(zhuǎn)
G02F1-35 .非線性光學(xué)
G02F1-355 ..以所用材料為特征的
G02F1-365 ..在光波導(dǎo)結(jié)構(gòu)中的
