[發(fā)明專利]噴墨打印方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201710842271.5
• 申請日: 2017-09-18
• 公開（公告）號: CN109515020B
• 公開（公告）日: 2021-03-23
• 發(fā)明（設計）人: 趙景訓;卜維亮;彭兆基
• 申請（專利權）人: 云谷（固安）科技有限公司
• 主分類號: B41M5/00
• 分類號: B41M5/00
• 代理公司: 上海波拓知識產(chǎn)權代理有限公司 31264
• 代理人: 楊波

1.一種噴墨打印方法，其特征在于，包括：

提供一待處理表面；

提供一掩膜版，所述掩膜版設置在所述待處理表面上方的設定距離處，所述掩膜版具有一開口，將所述掩膜版的開口中心與所述待處理表面的中心對齊，所述開口的面積小于所述待處理表面的面積；

利用所述掩膜版對所述待處理表面進行表面處理，使所述待處理表面上和所述開口對應的區(qū)域與墨水的接觸角小于其它區(qū)域與墨水的接觸角，所述待處理表面上和所述開口對應的區(qū)域的邊緣具有接觸角過渡區(qū)，所述接觸角過渡區(qū)與墨水的接觸角向遠離所述待處理表面中心的方向逐漸變大；

移除所述掩膜版，在所述待處理表面上噴墨打印薄膜層。

2.如權利要求1所述的噴墨打印方法，其特征在于，所述開口形成于所述掩膜版的中間區(qū)域，所述開口為矩形開口。

3.如權利要求1所述的噴墨打印方法，其特征在于，所述利用所述掩膜版對所述待處理表面進行表面處理的步驟包括：

利用等離子體對所述待處理表面進行表面處理，使等離子體的處理面積小于所述待處理表面的面積。

4.如權利要求3所述的噴墨打印方法，其特征在于，所述等離子體為氧氣等離子體、氬氣等離子體或氦氣等離子體。

5.如權利要求1所述的噴墨打印方法，其特征在于，所述利用所述掩膜版對所述待處理表面進行表面處理的步驟包括：

在所述待處理表面沉積無機薄膜層，使所述無機薄膜層的覆蓋面積小于所述待處理表面的面積。

6.如權利要求5所述的噴墨打印方法，其特征在于，利用化學氣相沉積工藝在所述待處理表面沉積所述無機薄膜層。

7.如權利要求5所述的噴墨打印方法，其特征在于，所述無機薄膜層為氧化硅薄膜層或氮氧化硅薄膜層。

8.如權利要求1-7中任一項所述的噴墨打印方法，其特征在于，所述提供一待處理表面的步驟，包括：

提供一基板；

在所述基板上形成一薄膜封裝阻擋層，所述薄膜封裝阻擋層背向所述基板一側的表面為待處理表面。

9.如權利要求8所述的噴墨打印方法，其特征在于，所述薄膜封裝阻擋層為無機或有機薄膜層。