[發(fā)明專利]一種單分散硫化銻量子點的制備方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201710841943.0 | 申請日: | 2017-09-18 |
| 公開(公告)號: | CN107758740A | 公開(公告)日: | 2018-03-06 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 閆雪蓮;孟祥;胡榮;李璐;程江 | 申請(專利權(quán))人: | 重慶文理學(xué)院 |
| 主分類號: | C01G30/00 | 分類號: | C01G30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司: | 北京挺立專利事務(wù)所(普通合伙)11265 | 代理人: | 李鑫 |
| 地址: | 402160 *** | 國省代碼: | 重慶;85 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 分散 硫化銻 量子 制備 方法 | ||
本發(fā)明屬于化合物半導(dǎo)體納米材料制備技術(shù)領(lǐng)域,涉及一種單分散硫化銻量子點的制備方法,合成路線是按照以下方式進行的:硫代乙酰胺和乙酸銻分別溶于一種有機溶劑,先加熱硫代乙酰胺溶液,然后快速加入乙酸銻溶液并快速冷卻,通過上述兩者快速反應(yīng)合成獲得硫化銻量子點并密封保存,制備的單分散硫化銻量子點分散性好,能在常見溶劑例如去離子水、乙醇、乙二醇甲醚、二氯甲烷等溶劑中形成較穩(wěn)定的分散液,因此該硫化銻量子點可與低成本的噴墨打印、旋涂、噴涂等技術(shù)兼容,實現(xiàn)器件化應(yīng)用。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明屬于化合物半導(dǎo)體納米材料制備技術(shù)領(lǐng)域,涉及一種單分散硫化銻量子點的制備方法。
背景技術(shù)
當(dāng)前能源問題變得越來越迫切,而太陽能作為一種清潔能源具有很大的發(fā)展?jié)摿Γ侠淼睦锰柲苣苡行У木徑饽茉磫栴},而太陽能電池作為合理利用太陽能的典型代表經(jīng)過多年的發(fā)展已經(jīng)歷經(jīng)了好幾代,也取得了很大的突破,目前迅速發(fā)展的第三代太陽能電池主要有染料敏化太陽電池和有機電池,有機電池的光電轉(zhuǎn)化效率目前已經(jīng)超10%,電池結(jié)構(gòu)簡單且能通過卷對卷的方式做成薄膜狀具有很大的工業(yè)化前景,但是有機電池目前在穩(wěn)定性方面受到很大的限制,而且它也受限于電池效率的理想極限值。染料敏化太陽能電池目前達到的最高效率超過了12%,染料敏化電池是一種三明治結(jié)構(gòu)的電池,典型的敏化劑是N719。N719 在可見光部分具有較強的吸收,但是吸光范圍有限,而且N719是一種釕配合物,釕屬于稀有金屬,染料制作過程復(fù)雜,所以有所限制。
量子點是指三個維度上的尺寸都不大于其對應(yīng)的半導(dǎo)體材料的激子玻爾半徑兩倍的零維材料,一般尺寸<20nm,可以廣泛應(yīng)用于發(fā)光與顯示、生物傳感器、生物標記和太陽能電池等領(lǐng)域,是一類重要的光學(xué)和光電子納米半導(dǎo)體材料。硫化銻量子點作為一種優(yōu)異敏化劑材料,在量子點敏化太陽能能電池中具有良好的應(yīng)用。此外。硫化銻量子點作為P-I-N異質(zhì)結(jié)太陽能電池的中間能帶層,可以有效提高太陽能電池的效率。
硫化銻量子的良好應(yīng)用前景對其制備技術(shù)提出了較高的要求,一方面要求量子點的質(zhì)量優(yōu)良,包括要求尺寸分布均勻,物理化學(xué)穩(wěn)定性良好,另一方面需要簡單低成本和可以大規(guī)模生產(chǎn)的合成方法。目前存在少數(shù)硫化銻量子點的合成技術(shù),如文獻“Mishra,R.K.,Vedeshwar,A.G.,&Tandon,R.P.(2013).Sb2s3quantum dots:diffusion‐controlledgrowth and characterization.physica status solidi(RRL)- Rapid ResearchLetters,7(11),975-979.”報道了一種在1100℃高溫爐內(nèi),利用固相沉積于玻璃襯底的方法。又如文獻“Kim,K.,Jung,K.,Lee,M.J.,&Ahn,J.M.(2016). Effect of processingparameters on photovoltaic properties of sb2s3quantum dot-sensitisedinorganic-organic heterojunction solar cells.International Journal ofNanotechnology,13(4/5/6),345.”報道了采用化學(xué)水浴(CBD)在多孔氧化鈦上沉積硫化銻量子點的方法。此外,還有一些類似的報道,原理和操作基本類似,都是將量子點沉積于某些特定的襯底材料上,而不是單分散的硫化銻量子點。因此,硫化銻量子點應(yīng)用過程中,無法與低成本、大面積的生產(chǎn)技術(shù),如噴墨打印、絲網(wǎng)印刷、卷對卷生產(chǎn)等技術(shù)兼容。
發(fā)明內(nèi)容
有鑒于此,本發(fā)明為了解決上述硫化銻量子點應(yīng)用過程中存在的問題,提供一種單分散硫化銻量子點的制備方法。
為達到上述目的,本發(fā)明提供一種單分散硫化銻量子點的制備方法,包括以下步驟:
A、將硫源溶于有機醇溶液中,配置成0.06~0.5mol/L的硫源溶液;
B、將銻鹽溶于有機酸溶液中,配置成0.08~0.5mol/L的銻鹽溶液;
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