[發明專利]低功耗單平衡諧波混頻器在審
| 申請號: | 201710840650.0 | 申請日: | 2017-09-18 |
| 公開(公告)號: | CN107659270A | 公開(公告)日: | 2018-02-02 |
| 發明(設計)人: | 曾傳德 | 申請(專利權)人: | 曾傳德 |
| 主分類號: | H03D7/14 | 分類號: | H03D7/14 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 610000 四川*** | 國省代碼: | 四川;51 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 功耗 平衡 諧波 混頻器 | ||
技術領域
本發明涉及接收機射頻前端的混頻器研究領域,具體地,涉及低功耗單平衡諧波混頻器。
背景技術
隨著通信技術的進步,無線通信設備已成為人們生活中不可缺少的部分,大家對重量輕、體積小、成本低、功耗低的產品需求越來越強烈。同時,由于深亞微米CMOS工藝的不斷進步和成熟,加上CMOS工藝跟其他工藝相比具有價格低、功耗低、集成度高等特點,用CMOS工藝設計射頻集成電路已成為當前的熱點。
混頻器作為接收機的重要組成部分,其作用在于實現頻率變換功能。線性度、變頻增益、噪聲系數和功耗是混頻器的主要性能指標,直接影響整個接收機系統的性能。為了延長系統電池的使用壽命,則要降低系統功耗,而混頻器作為接收機的核心模塊,其功耗決定著系統的功耗。低功耗的混頻器可用于物聯網、藍牙、WiFi、RFID等含有射頻接發系統的領域。
傳統的混頻器結構常采用如圖1所示的Gilbert混頻器,其主要分為跨導級、開關級和負載級三個部分。跨導級的NMOS管M1和M2作用是把射頻電壓信號轉換成電流信號;開關級的NMOS管M3-M6其實工作在開關狀態,通過控制管子的導通來進行射頻信號與本振信號的混頻,實現頻率轉換;負載級電阻R1和R2的作用在于把電流信號變換成電壓信號,最后輸出得到的中頻信號。Gilbert混頻器采用雙平衡基波混頻結構,其優點為變頻增益較高,隔離度好,但缺點也很明顯,功耗大、版圖面積大。而且基波混頻存在本振自混頻的現象,以及對本振信號要求較高,改用諧波混頻的方法可以解決這些問題。
發明內容
本發明提供了低功耗單平衡諧波混頻器,解決了傳統的混頻器存在的功耗大、版圖面積大的技術問題,實現了單平衡諧波混頻器功耗小、版圖面積小的技術效果。
為解決上述技術問題,本申請提供了低功耗單平衡諧波混頻器,所述混頻器包括:跨導級、開關級、負載級、輸出緩沖級;其中,跨導級與開關級連接,開關級與負載級和輸出緩沖級均連接;跨導級、開關級中的NMOS管均工作在亞閾值區。
進一步的,跨導級包括:NMOS管M1、電感L1、電容C1、電容C2;開關級包括:NMOS管M2和M3、電感L2和L3、電容C3和C4;緩沖級包括:電容C5、電阻R2、NMOS管M4、電阻R3和電容C6;電容C1的正極與電容C2的正極均與射頻信號RF的輸入端連接,電容C1的負極接地,電容C2的負極與NMOS管M1的柵極和電感L1的一端連接,電感L1的另一端與偏置電壓Vrf的輸入端連接,NMOS管M1的源極接地,NMOS管M1的漏極與NMOS管M2的源極和NMOS管M3的源極均連接;電容C4和C3的正極分別與本振差分信號的一路LO+輸入端和本振差分信號的另一路LO-輸入端連接,電容C4的負極和C3的負極分別與NMOS管M2的柵極和NMOS管M3的柵極連接,偏置電壓Vlo的輸入端與電感L2的一端和電感L3的一端均連接,電感L2的另一端與NMOS管M2的柵極連接,電感L3的另一端與NMOS管M3的柵極連接,NMOS管M2的漏極、NMOS管M3的漏極、電容C5的正極均與負載級的一端連接,負載級的另一端與電源VDD連接;電容C5的負極與電阻R2的一端和NMOS管M4的柵極均連接,NMOS管M4漏級和電阻R2的另一端均與電源VDD連接,NMOS管M4的源極與電阻R3的一端和電容C6的正極均連接,電阻R3的另一端接地,電容C6的負極接信號輸出端。
其中,所述跨導級元件包括NMOS管M1、電感L1、電容C1和電容C2。首先,射頻信號RF通過匹配網絡C1和C2加到NMOS管M1的柵極,同時,并聯電容C1可以濾除信號中的高頻成分,串聯電容C2除了參與匹配還有隔直的作用;NMOS管M1的襯底接地,源級也接地,漏級接開關對NMOS管M2和M3相互連接的共源級;偏置電壓Vrf通過電感L1加到M1的柵極,電感L1可防止射頻信號交流接地。
本發明所述開關級包括NMOS管M2和M3、電感L2和L3、電容C3和C4。本振差分信號的一路LO+通過隔直電容C3加到NMOS管M2的柵極,另一路LO-通過隔直電容C4加到NMOS管M3的柵極。所述開關級利用差分信號來控制M2和M3的通斷,可以選擇合適的本振信號與射頻信號進行混頻,再將M2和M3的漏級相互連接。M2和M3的共漏級接負載電阻的一端,偏置電壓Vlo分別通過扼流電感L2和L3加到NMOS管M2和M3的柵極。
本發明所述的開關級電路是差分電路,差分電路要保證其對稱性,故電路中M2和M3、L2和L3、C3和C4完全一樣,差分信號LO+和LO-電壓幅度相同,相位相反。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于曾傳德,未經曾傳德許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201710840650.0/2.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:太陽能發電系統的EL檢測方法和EL檢測系統
- 下一篇:一種新型的上變頻電路





