[發明專利]低功耗單平衡諧波混頻器

在審

• 申請號: 201710840650.0
• 申請日: 2017-09-18
• 公開（公告）號: CN107659270A
• 公開（公告）日: 2018-02-02
• 發明（設計）人: 曾傳德
• 申請（專利權）人: 曾傳德
• 主分類號: H03D7/14
• 分類號: H03D7/14
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.低功耗單平衡諧波混頻器，其特征在于，所述混頻器包括：

跨導級、開關級、負載級、輸出緩沖級；其中，跨導級與開關級連接，開關級與負載級和輸出緩沖級均連接；跨導級、開關級中的NMOS管均工作在亞閾值區。

2.根據權利要求1所述的低功耗單平衡諧波混頻器，其特征在于，跨導級包括：NMOS管M1、電感L1、電容C1、電容C2；開關級包括：NMOS管M2和M3、電感L2和L3、電容C3和C4；緩沖級包括：電容C5和C6、電阻R2、NMOS管M4、電阻R3；電容C1的正極與電容C2的正極均與射頻信號RF的輸入端連接，電容C1的負極接地，電容C2的負極與NMOS管M1的柵極和電感L1的一端連接，電感L1的另一端與偏置電壓Vrf的輸入端連接，NMOS管M1的源極接地，NMOS管M1的漏極與NMOS管M2的源極和NMOS管M3的源極均連接；電容C4和C3的正極分別與本振差分信號的一路LO+輸入端和本振差分信號的另一路LO-輸入端連接，電容C4的負極和C3的負極分別與NMOS管M2的柵極和NMOS管M3的柵極連接，偏置電壓Vlo的輸入端與電感L2的一端和電感L3的一端均連接，電感L2的另一端與NMOS管M2的柵極連接，電感L3的另一端與NMOS管M3的柵極連接，NMOS管M2的漏極、NMOS管M3的漏極、電容C5的正極均與負載級的一端連接，負載級的另一端與電源VDD連接；電容C5的負極與電阻R2的一端和NMOS管M4的柵極均連接，NMOS管M4漏級和電阻R2的另一端均與電源VDD連接，NMOS管M4的源極與電阻R3的一端和電容C6的正極相連接，電阻R3的另一端接地，電容C6的負極接信號輸出端。

3.根據權利要求2所述的低功耗單平衡諧波混頻器，其特征在于，NMOS管M1、M2、M3柵極均采用電感接偏置電壓。

4.根據權利要求2所述的低功耗單平衡諧波混頻器，其特征在于，開關級電路為差分電路，開關級電路中M2和M3相同、L2和L3相同、C3和C4相同，差分信號LO+和LO-的電壓幅度相同，相位相反。

5.根據權利要求2所述的低功耗單平衡諧波混頻器，其特征在于，負載級為電阻R1，電阻R1阻值范圍為2000-2600歐姆。

6.根據權利要求2所述的低功耗單平衡諧波混頻器，其特征在于，信號輸出端采用源級跟隨器作為緩沖級。

7.根據權利要求2所述的低功耗單平衡諧波混頻器，其特征在于，混頻器在加工芯片的時將電容C6去除，混頻器在測試的時將電容C6外加。