[發明專利]一種用于預清洗機的水道裝置、預清洗機以及預清洗方法

有效

• 申請號: 201710839318.2
• 申請日: 2017-09-15
• 公開（公告）號: CN109509696B
• 公開（公告）日: 2020-12-22
• 發明（設計）人: 劉源;汪燕
• 申請（專利權）人: 上海新昇半導體科技有限公司
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02;H01L21/67
• 代理公司: 北京市磐華律師事務所 11336
• 代理人: 高偉;張建

本發明提供一種用于預清洗機的水道裝置、預清洗機以及預清洗方法，該水道裝置包括：水槽以及設置在水槽側壁上的進水口和出水口，并且所述進水口和出水口設置在所述水槽的與所述水槽延伸方向平行的側壁上或者設置在所述水槽的與所述水槽延伸方向垂直的側壁上。該用于預清洗機的水道裝置可以降低甚至避免拋光液對晶圓的腐蝕。該預清洗機及預清洗方法具有類似的優點。

技術領域

本發明涉及半導體技術領域，具體而言涉及一種水道裝置、預清洗機以及預清洗方法。

背景技術

12寸硅片對顆粒的要求已經達到了極致的地步。硅片的顆粒性能(particleperformance)分為LPD(light point defect)和LPDN(light point defect-nonremovable)兩種。LPD一般指凸起的可以被清洗去除的顆粒，而LPDN指凹的，不可以被移除的缺陷。隨著IC(集成電路)技術節點已接近10nm以下，即使是1顆20nm左右的顆粒，不論是LPD或者LPDN，都將會是器件殺手，對后道IC制程造成良率損失。因此，毛晶圓(barewafer)本身的顆粒性能就變得尤為重要。

對顆粒造成最重要影響的是最終拋光(final polish，FP)和拋光后的預清洗(preclean)兩道工藝，最終拋光通過對晶圓(即硅片)正面進行拋光能有效去除顆粒。而拋光中引入的顆粒，如拋光液(slurry)殘留，硅碎屑等則能夠通過預清洗有效去除。然而在實際中，存在一個最終拋光與預清洗之間的等待時間(Q-time)的問題。由于最終拋光使用的拋光液呈堿性，當拋光液殘留在晶圓上時，如果在一定時間內沒有及時去除，拋光液會腐蝕晶圓表面，造成LPDN增多。目前的清洗機為增加產量(throughtput)，往往設計有水道(waterchannel)。水道置于清洗機中清洗藥液槽(wet batch)之前，用于盛放暫時未能投入清洗藥液槽的一盒晶圓(lot，25片晶圓)。由于清洗槽清洗時間的限制，一般每15分鐘才允許投入一組晶圓(即一個batch，50片晶圓，兩個lot)，而一般水道中可盛放10盒晶圓(10lot)，這就意味著最后一組晶圓(即最后一個batch)需要經過至少4x15＝60min的等待時間，才能開始清洗，這樣就增加了等待時間，造成潛在的拋光液對晶圓的腐蝕。

因此有必要提出一種用于預清洗機的水道裝置、預清洗機以及預清洗方法，以至少部分解決上述問題。

發明內容

在發明內容部分中引入了一系列簡化形式的概念，這將在具體實施方式部分中進一步詳細說明。本發明的發明內容部分并不意味著要試圖限定出所要求保護的技術方案的關鍵特征和必要技術特征，更不意味著試圖確定所要求保護的技術方案的保護范圍。

針對現有技術的不足，本發明提出一種用于預清洗機的水道裝置、預清洗機以及預清洗方法，可以降低甚至避免拋光液對晶圓的腐蝕。

為了克服目前存在的問題，本發明的一方面提供一種用于預清洗機的水道裝置，包括：水槽以及設置在水槽側壁上的進水口和出水口，并且所述進水口和出水口設置在所述水槽的與所述水槽延伸方向平行的側壁上或者設置在所述水槽的與所述水槽延伸方向垂直的側壁上。

可選地，所述進水口和出水口分別設置在所述水槽相對的兩個側壁上。

可選地，所述進水口和出水口均勻設置在所述水槽的側壁上。

本發明的另一方面提供一種用于預清洗機的水道裝置，包括：

第一水道，所述第一水道包括第一水槽和設置在所述第一水槽中的側壁上的第一進水口和第一出水口，并且所述第一進水口和第一出水口分別設置在所述水槽的與所述水槽延伸方向平行的兩個側壁上；

第二水道，所述第二水道包括第二水槽和設置在所述第二水槽中的側壁上的第二進水口和第二出水口，并且所述第二進水口和第二出水口分別設置在所述水槽的與所述水槽延伸方向垂直的兩個側壁上。