[發明專利]OLED顯示面板的封裝方法及封裝結構在審
| 申請號: | 201710835567.4 | 申請日: | 2017-09-15 |
| 公開(公告)號: | CN107644946A | 公開(公告)日: | 2018-01-30 |
| 發明(設計)人: | 夏存軍 | 申請(專利權)人: | 武漢華星光電半導體顯示技術有限公司 |
| 主分類號: | H01L51/52 | 分類號: | H01L51/52;H01L51/56;H01L27/32 |
| 代理公司: | 深圳市德力知識產權代理事務所44265 | 代理人: | 林才桂 |
| 地址: | 430070 湖北省武漢市東湖新技術*** | 國省代碼: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | oled 顯示 面板 封裝 方法 結構 | ||
1.一種OLED顯示面板的封裝方法,其特征在于,包括如下步驟:
步驟S1、提供薄膜封裝層(200),所述薄膜封裝層(200)包括交替層疊設置的多層無機阻擋層(201)和多層有機緩沖層(202),其中,薄膜封裝層(200)中最外面一層為無機阻擋層(201),該層無機阻擋層(201)為首層無機阻擋層;在所述首層無機阻擋層上形成多圈環狀相間隔的第一凹槽(2031),相鄰兩圈第一凹槽(2031)之間構成一圈第二凸起(2032);
步驟S2、提供基板(101),在所述基板(101)上形成多圈環狀相間隔的第一凸起(1031),相鄰兩圈第一凸起(1031)之間構成一圈第二凹槽(1032),在所述基板(101)上于所述多圈第一凸起(1031)包圍的區域內形成OLED層(102),得到OLED基板(100);
步驟S3、將所述OLED基板(100)和薄膜封裝層(200)進行對位貼合,所述第一凸起(1031)一一對應的伸入所述第一凹槽(2031)中,所述第二凸起(2032)一一對應的伸入所述第二凹槽(1032)中,在所述OLED基板(100)和薄膜封裝層(200)之間形成粘結層(300),使得OLED基板(100)和薄膜封裝層(200)通過所述多圈第一凸起(1031)和多圈第一凹槽(2031)相嚙合并通過粘結層(300)相粘接在一起;
所述步驟S1和步驟S2任意順序進行。
2.如權利要求1所述的OLED顯示面板的封裝方法,其特征在于,所述步驟S1中薄膜封裝層(200)具體的形成方法為:提供襯底(500),在所述襯底(500)上形成一層光學膠層(600),在所述光學膠層(600)上制作薄膜封裝層(200),將所述光學膠層(600)和薄膜封裝層(200)從所述塑料襯底(500)上剝離下來,再將光學膠層(600)從薄膜封裝層(200)上去除,從而將薄膜封裝層(200)與所述光學膠層(600)分離,得到薄膜封裝層(200);
所述步驟S2中,所述基板(101)包括第二襯底(1011)、形成在所述第二襯底(1011)上的薄膜晶體管層(1012)、以及形成在第二襯底(1011)上并包圍所述薄膜晶體管層(1012)的無機層(1013),所述第一凸起(1031)和第二凹槽(1032)形成在所述無機層(1013)上,所述OLED層(102)形成在所述薄膜晶體管層(1012)上。
3.如權利要求2所述的OLED顯示面板的封裝方法,其特征在于,所述襯底(500)為塑料襯底;所述無機阻擋層(201)通過化學氣相沉積、原子層沉積或物理氣相沉積的方法形成;所述步驟S1中采用光刻工藝在所述首層無機阻擋層上形成所述多圈第一凹槽(2031)。
4.如權利要求1所述的OLED顯示面板的封裝方法,其特征在于,所述多層無機阻擋層(201)中,所述首層無機阻擋層的膜厚為15-17μm;
所述有機緩沖層(202)的膜厚為1-3μm。
5.如權利要求1所述的OLED顯示面板的封裝方法,其特征在于,所述步驟S1中薄膜封裝層(200)還包括有機平坦層(204),所述有機平坦層(204)設置在所述多層無機阻擋層(201)和多層有機緩沖層(202)遠離所述第一凹槽(2031)和第二凸起(2032)的一側。
6.如權利要求5所述的OLED顯示面板的封裝方法,其特征在于,所述薄膜封裝層(200)還包括設置在所述有機平坦層(204)遠離所述第一凹槽(2031)和第二凸起(2032)一側的保護板(205)。
7.如權利要求2所述的OLED顯示面板的封裝方法,其特征在于,所述步驟S1還包括將光學膠層(600)從薄膜封裝層(200)上去除后,通過光刻工藝在所述首層無機阻擋層上形成發光區凹槽(2035),該發光區凹槽(2035)與所述步驟S2中所形成的OLED層(102)對應設置。
8.如權利要求7所述的OLED顯示面板的封裝方法,其特征在于,所述步驟S3中,所述OLED基板(100)和薄膜封裝層(200)進行對位貼合后,該發光區凹槽(2035)為對應位于所述OLED層(102)的上方。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L51-00 使用有機材料作有源部分或使用有機材料與其他材料的組合作有源部分的固態器件;專門適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設備
H01L51-05 .專門適用于整流、放大、振蕩或切換且并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的;具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的電容器或電阻器
H01L51-42 .專門適用于感應紅外線輻射、光、較短波長的電磁輻射或微粒輻射;專門適用于將這些輻射能轉換為電能,或者適用于通過這樣的輻射進行電能的控制
H01L51-50 .專門適用于光發射的,如有機發光二極管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料選擇





