[發(fā)明專利]陣列基板的制造方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201710833667.3
• 申請(qǐng)日: 2017-09-15
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN107658267B
• 公開(kāi)（公告）日: 2020-11-06
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 何懷亮
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 惠科股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/77
• 分類號(hào): H01L21/77;H01L27/12
• 代理公司: 北京匯澤知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11228
• 代理人: 亓贏

本發(fā)明一種陣列基板的制造方法，陣列基板的制造方法包括：提供一第一基底；將一柵極層形成于所述第一基底上；將一柵極絕緣層形成于所述第一基底上，并覆蓋所述柵極層；將一非晶硅層形成于所述柵極絕緣層上；將一金屬層形成于所述非晶硅層上；將一感光性光阻層形成于所述金屬層上；將所述非晶硅層透過(guò)惰性氣體或氮離子體進(jìn)行蝕刻而形成一凹槽；進(jìn)而形成一源極層和一漏極層；剝離所述感光性光阻層；以及將一鈍化層形成于所述源極層上；其中在所述感光性光阻層進(jìn)行一烘烤制程，使感光性光阻層發(fā)生一定程度的流淌，產(chǎn)生一保護(hù)層，以便覆蓋非主動(dòng)開(kāi)關(guān)溝道區(qū)域的金屬層。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及一種制造方式，特別是涉及一種陣列基板的制造方法。

背景技術(shù)

隨著科技進(jìn)步，具有省電、無(wú)幅射、體積小、低耗電量、平面直角、高分辨率、畫質(zhì)穩(wěn)定等多項(xiàng)優(yōu)勢(shì)的液晶顯示器，尤其是現(xiàn)今各式信息產(chǎn)品如：手機(jī)、筆記本電腦、數(shù)字相機(jī)、PDA、液晶屏幕等產(chǎn)品越來(lái)越普及，亦使得顯示器的需求量大大提升。因此如何滿足日益要求高分辨率的畫素設(shè)計(jì)，且具有高畫質(zhì)、空間利用效率佳、低消耗功率、無(wú)輻射等優(yōu)越特性的開(kāi)關(guān)陣列液晶顯示器(Thin Film Transistor Liquid Crystal Display，TFT-LCD)已逐漸成為市場(chǎng)的主流。其中，陣列基板為組立顯示器的重要構(gòu)件之一。

而非晶硅(a-Si:H)薄膜晶體管(TFT)被應(yīng)用在顯示面板的驅(qū)動(dòng)背板中，其工藝技術(shù)相對(duì)穩(wěn)定，技術(shù)較為成熟，低廉的價(jià)格使其廣泛應(yīng)用在目前LCD顯示行業(yè)。近幾年發(fā)展起來(lái)的四道光罩(4PEP)技術(shù)進(jìn)一步提高了非晶硅(a-Si:H)薄膜晶體管(TFT)背板的時(shí)間與成本優(yōu)勢(shì)，各大面板廠商逐漸開(kāi)始大規(guī)模量產(chǎn)。然而相對(duì)于穩(wěn)定成熟的五道光罩(5PEP)制程與四道光罩(4PEP)制程還存在一些待優(yōu)化克服的問(wèn)題。在四道光罩(4PEP)兩次濕刻和兩次干蝕刻中，由于非晶硅(a-Si:H)與源極層(M2)之間的線寬(CD Bias)差異(源極層線寬損耗較大，非晶硅線寬損耗較小)會(huì)引起非晶硅層在源極層下面有凸出來(lái)的尾端，這個(gè)尾端對(duì)薄膜晶體管(TFT)本身的漏電流影響較大，從而影響顯示面板的質(zhì)量。

發(fā)明內(nèi)容

為了解決上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明的目的在于，提供一種陣列基板的制造方法，將可以減小由于源極層的濕蝕刻與非晶硅層干蝕刻的線寬差異所產(chǎn)生的非晶硅層尾端，能有效防止由于尾端引起的薄膜晶體管(TFT)光漏電流，保證面板顯示質(zhì)量。

本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問(wèn)題是采用以下技術(shù)方案來(lái)實(shí)現(xiàn)的。依據(jù)本發(fā)明提出的一種陣列基板的制造方法，包括：提供一第一基底；將一柵極層形成于所述第一基底上；將一柵極絕緣層形成于所述第一基底上，并覆蓋所述柵極層；將一非晶硅層形成于所述柵極絕緣層上；將一金屬層形成于所述非晶硅層上；將一感光性光阻層形成于所述金屬層上；將所述非晶硅層透過(guò)惰性氣體或氮離子體進(jìn)行蝕刻而形成一凹槽；進(jìn)而形成一源極層和一漏極層；剝離所述感光性光阻層；以及將一鈍化層形成于所述源極層上；其中在所述感光性光阻層進(jìn)行一烘烤制程，使感光性光阻層發(fā)生一定程度的流淌，產(chǎn)生一保護(hù)層，以便覆蓋非主動(dòng)開(kāi)關(guān)溝道區(qū)域的金屬層。

本發(fā)明的另一目的一種陣列基板的制造方法，包括：提供一第一基底；將一柵極層形成于所述第一基底上；將一柵極絕緣層形成于所述第一基底上，并覆蓋所述柵極層；將一非晶硅層形成于所述柵極絕緣層上；將一金屬層形成于所述非晶硅層上；將一感光性光阻層形成于所述金屬層上；將所述非晶硅層透過(guò)惰性氣體或氮離子體進(jìn)行蝕刻而形成一凹槽，并形成源極層和漏極層；剝離所述感光性光阻層；以及將一鈍化層形成于所述源極層上；其中所述將所述非晶硅層透過(guò)惰性氣體或氮離子體進(jìn)行蝕刻而形成一凹槽的步驟包括進(jìn)行第一次濕蝕刻、第一次干蝕刻、第二次干蝕刻、第二次濕蝕刻及第三次干蝕刻；其中所述柵極絕緣層的材料為氮化硅，氧化硅，氮氧化硅，氧化鋁，或氧化鉿。

本發(fā)明解決其技術(shù)問(wèn)題還可采用以下技術(shù)措施進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)。