[發明專利]陣列基板的制造方法

有效

• 申請號: 201710833667.3
• 申請日: 2017-09-15
• 公開（公告）號: CN107658267B
• 公開（公告）日: 2020-11-06
• 發明（設計）人: 何懷亮
• 申請（專利權）人: 惠科股份有限公司
• 主分類號: H01L21/77
• 分類號: H01L21/77;H01L27/12
• 代理公司: 北京匯澤知識產權代理有限公司 11228
• 代理人: 亓贏

1.一種陣列基板的制造方法，其特征在于，包括：

提供一第一基底；

將一柵極層形成于所述第一基底上；

將一柵極絕緣層形成于所述第一基底上，并覆蓋所述柵極層；

將一非晶硅層形成于所述柵極絕緣層上；

將一金屬層形成于所述非晶硅層上；

將一感光性光阻層形成于所述金屬層上；

將所述非晶硅層透過惰性氣體或氮離子體進行蝕刻而形成一凹槽；

進而形成一源極層和一漏極層；

剝離所述感光性光阻層；以及

將一鈍化層形成于所述源極層上；

其中，在所述感光性光阻層進行一烘烤制程，使感光性光阻層發生一定程度的流淌，產生一保護層，以覆蓋非主動開關溝道區域的金屬層。

2.如權利要求1所述的陣列基板的制造方法，其特征在于，所述將一感光性光阻層形成于所述金屬層上的步驟包括：

涂布所述感光性光阻層，使其膜厚≥2.5μm；

通過光罩進行曝光處理，同時減小主動開關溝道處對應的所述感光性光阻層的膜厚，并在所述主動開關的溝道處形成一個凹槽，使得所述凹槽的膜厚≤0.5μm。

3.如權利要求1所述的陣列基板的制造方法，其特征在于，所述將所述非晶硅層透過惰性氣體或氮離子體進行蝕刻而形成一凹槽的步驟包括：

進行第一次濕蝕刻包括：

對所述金屬層進行第一次濕蝕刻，并蝕刻掉未被所述感光性光阻層所涵蓋的所述金屬層。

4.如權利要求3所述的陣列基板的制造方法，其特征在于，所述將所述非晶硅層透過惰性氣體或氮離子體進行蝕刻而形成一凹槽的步驟包括：

進行第一次干蝕刻包括：

對所述非晶硅層進行蝕刻，蝕刻掉未被所述感光性光阻層所涵蓋的所述非晶硅層；

以及對所述感光性光阻層進行一烘烤制程，用來包住所述金屬層；以及

進行第二次干蝕刻包括：

對所述感光性光阻層的主動開關溝道處進行灰化，并蝕刻掉所述感光性光阻層的所述凹槽，暴露出部分所述金屬層。

5.如權利要求4所述的陣列基板的制造方法，其特征在于，所述將所述非晶硅層透過惰性氣體或氮離子體進行蝕刻而形成一凹槽的步驟包括：

進行第二次濕蝕刻包括：

對主動開關溝道處的暴露出的部分所述金屬層進行蝕刻，形成所述源極層和所述漏極層，并暴露出部分所述非晶硅層。

6.如權利要求5所述的陣列基板的制造方法，其特征在于，所述將所述非晶硅層透過惰性氣體或氮離子體進行蝕刻而形成一凹槽的步驟包括：

進行第三次干蝕刻包括：

透過惰性氣體或氮離子體，蝕刻暴露出的部分所述非晶硅層，使所述非晶硅層形成一凹槽。

7.如權利要求4所述的陣列基板的制造方法，其特征在于，所述惰性氣體為氦氣、氖氣、氬氣、氪氣、氙氣或氡氣。

8.如權利要求4所述的陣列基板的制造方法，其特征在于，所述氮離子體中的氮元素為氮族元素及其化合物所提供。

9.如權利要求1所述的陣列基板的制造方法，其特征在于，所述柵極絕緣層的材料為氮化硅，氧化硅，氮氧化硅，氧化鋁，或氧化鉿。