[發明專利]一種半導體裝置及其制備方法

有效

• 申請號: 201710831396.8
• 申請日: 2017-09-15
• 公開（公告）號: CN107658317B
• 公開（公告）日: 2019-01-01
• 發明（設計）人: 朱繼鋒;呂震宇;陳俊;胡禺石;陶謙;楊士寧;楊偉毅
• 申請（專利權）人: 長江存儲科技有限責任公司
• 主分類號: H01L27/11578
• 分類號: H01L27/11578;H01L27/1157;H01L27/11551;H01L27/11524
• 代理公司: 北京辰權知識產權代理有限公司 11619
• 代理人: 劉廣達

1.一種NAND存儲器，包括：

硅襯底；

形成在所述硅襯底上方的一個或多個NAND串；

形成在所述NAND串上方的一個或多個外圍器件；

形成在所述一個或多個外圍器件上方的單晶硅層，和

形成在所述一個或多個外圍器件和一個或多個NAND串之間的一個或多個第一互聯層；

形成在所述一個或多個外圍器件上方的第二互聯層，其中，所述第二互聯層包含一個或多個形成在一個或多個絕緣層中的導體層。

2.如權利要求1所述的一種NAND存儲器，其中,所述一個或多個外圍器件包括一個或多個MOSFET器件。

3.如權利要求1所述的一種NAND存儲器，其中,每一個NAND串包括：

多個導體/絕緣體疊層；

垂直延伸穿過所述多個導體/絕緣體疊層的半導體通道；

形成在所述多個導體/絕緣體疊層和所述半導體通道之間的隧道層；

和形成在所述隧道層和多個導體/絕緣體疊層之間的存儲單元層。

4.如權利要求1所述的一種NAND存儲器，進一步包括第一觸點，其中，所述第一觸點垂直延伸穿過所述多個導體/絕緣體疊層，并且具有與所述硅襯底接觸的下端。

5.如權利要求1所述的一種NAND存儲器，其中，當形成多個NAND串時，所述多個NAND串包括形成在另一個NAND串上的一個NAND串。

6.如權利要求5所述的一種NAND存儲器，其中，所述形成在另一NAND串上的所述NAND串通過形成在所述NAND串和另一個NAND串之間的導體部分與另一個NAND串連接。

7.如權利要求1所述的一種NAND存儲器，進一步包括貫穿硅觸點，其中所述貫穿硅觸點垂直延伸貫穿所述單晶硅層，并且所述貫穿硅觸點的一端與所述第一互聯層連接。

8.一種制造NAND存儲器的方法，包括：

在第一硅襯底上形成一個或多個NAND串；

在第二硅襯底上形成一個或多個外圍器件；

將所述一個或多個外圍器件放置在所述一個或多個NAND串上方，從而使得第二硅襯底位于所述一個或多個外圍器件上方；

通過結合處理將所述一個或多個NAND串和所述一個或多個外圍器件結合在一起；并且

減薄所述第二硅襯底以使其形成所述一個或多個外圍器件上方的單晶硅層。

9.如權利要求8所述的方法，其中，形成所述NAND串包括：在第一硅襯底上形成多個導體/絕緣體疊層。

10.如權利要求8所述的方法，進一步包括形成一個或多個第一觸點，其中，每個所述第一觸點垂直延伸并且具有一個與所述第一硅襯底連接的接觸端。

11.如權利要求8所述的方法，進一步包括形成在所述第一硅襯底上方的所述一個或多個NAND串的第一互聯層，用以連接所述NAND串和所述一個或多個外圍器件。