[發(fā)明專利]具有標(biāo)準(zhǔn)單元的集成電路有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201710830604.2 | 申請日: | 2017-09-15 |
| 公開(公告)號: | CN109509747B | 公開(公告)日: | 2021-07-06 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 許振賢;陳建孚;蔡承洋;王偉任;林肇尉;黃智宏;顧政宗;楊進(jìn)盛 | 申請(專利權(quán))人: | 聯(lián)華電子股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/02 | 分類號: | H01L27/02 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律師事務(wù)所 11105 | 代理人: | 陳小雯 |
| 地址: | 中國臺*** | 國省代碼: | 臺灣;71 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 具有 標(biāo)準(zhǔn) 單元 集成電路 | ||
1.一種具有標(biāo)準(zhǔn)單元(standard cell)的集成電路,包含:
第一金屬線以及第二金屬線,兩者沿著一第一方向延伸;
一組第一虛置柵極以及一組第二虛置柵極,沿著一第二方向延伸,其中該第一金屬線、該第二金屬線、該組第一虛置柵極以及該組第二虛置柵極包圍的區(qū)域定義為一標(biāo)準(zhǔn)單元區(qū),該標(biāo)準(zhǔn)單元區(qū)具有N型區(qū)以及P型區(qū);
多個鰭狀結(jié)構(gòu),設(shè)置在該標(biāo)準(zhǔn)單元區(qū)中,該多個鰭狀結(jié)構(gòu)平行于該第一方向;
柵極結(jié)構(gòu),設(shè)置在該標(biāo)準(zhǔn)單元區(qū)中,位于該鰭狀結(jié)構(gòu)上且平行于該第二方向;
兩個短接觸插栓以及兩個長接觸插栓,設(shè)置在該標(biāo)準(zhǔn)單元區(qū)中,該兩個長接觸插栓位于該柵極結(jié)構(gòu)的一側(cè),該兩個短接觸插栓位于該柵極結(jié)構(gòu)的另一側(cè);
柵極接觸插栓,設(shè)置在該柵極結(jié)構(gòu)上;
多個通孔插栓,設(shè)置在該兩個長接觸插栓、該兩個短接觸插栓及該柵極接觸插栓上并與之電連接,其中所述多個通孔插栓中的一個電連接至在該N型區(qū)或該P(yáng)型區(qū)外的該長接觸插栓,且所述多個通孔插栓中的另一個電連接至在該N型區(qū)或該P(yáng)型區(qū)內(nèi)的該短接觸插栓,且電連接至該長接觸插栓和該短接觸插栓的所述兩個通孔插栓的位置不互相對稱;以及
金屬層,設(shè)置在該多個通孔插栓上并與之電連接,該金屬層包含該第一金屬線、該第二金屬線、一第三金屬線以及一第四金屬線。
2.如權(quán)利要求1所述的集成電路,其中該組第一虛置柵極包含兩個彼此不接觸的該第一虛置柵極,該組第二虛置柵極包含兩個彼此不接觸的該第二虛置柵極。
3.如權(quán)利要求1所述的集成電路,其中該P(yáng)型區(qū)具有N個該鰭狀結(jié)構(gòu),該N型區(qū)具有M個該鰭狀結(jié)構(gòu),N與M都為奇數(shù),且N大于或等于M。
4.如權(quán)利要求1所述的集成電路,其中該兩個長接觸插栓位于該第一方向上的投影完全重疊,該兩個短接觸插栓位于該第一方向上的投影完全重疊。
5.如權(quán)利要求1所述的集成電路,其中一個該長接觸插栓以及一個該短接觸插栓穿越過該P(yáng)型區(qū),另一個該長接觸插栓與另一個該短接觸插栓穿越該N型區(qū)。
6.如權(quán)利要求1所述的集成電路,其中該兩個長接觸插栓還進(jìn)一步延伸至該標(biāo)準(zhǔn)單元區(qū)外。
7.如權(quán)利要求1所述的集成電路,其中該多個通孔插栓包含兩個短通孔插栓、兩個長通孔插栓以及一柵極通孔插栓。
8.如權(quán)利要求7所述的集成電路,其中該第一金屬線連接其中一個該長通孔插栓,該第二金屬線連接另外一個該長通孔插栓。
9.如權(quán)利要求8所述的集成電路,其中該第三金屬線連接該柵極通孔插栓。
10.如權(quán)利要求8所述的集成電路,其中該第四金屬線連接該兩個短通孔插栓。
11.一種具有標(biāo)準(zhǔn)單元的集成電路,包含:
第一金屬線以及第二金屬線,兩者沿著一第一方向平行;
一組第一虛置柵極以及一組第二虛置柵極,沿著一第二方向延伸,其中該第一金屬線、該第二金屬線、該組第一虛置柵極以及該組第二虛置柵極包圍的區(qū)域定義為一標(biāo)準(zhǔn)單元區(qū),該標(biāo)準(zhǔn)單元區(qū)包含N型區(qū)以及P型區(qū);
多個鰭狀結(jié)構(gòu),設(shè)置在該標(biāo)準(zhǔn)單元區(qū)中,該多個鰭狀結(jié)構(gòu)平行于該第一方向;
兩個柵極結(jié)構(gòu),設(shè)置在該標(biāo)準(zhǔn)單元區(qū)中,位于該多個鰭狀結(jié)構(gòu)上且平行于該第二方向;
三個短接觸插栓以及三個長接觸插栓,設(shè)置在該標(biāo)準(zhǔn)單元區(qū)中,其中兩個該長接觸插栓位于一個該柵極結(jié)構(gòu)與該組第一虛置柵極結(jié)構(gòu)之間,兩個該短接觸插栓位于兩個該柵極結(jié)構(gòu)之間,一個該長接觸插栓與一個該短接觸插栓位于另一個該柵極結(jié)構(gòu)與該組第二虛置柵極之間;
兩個柵極接觸插栓,分別設(shè)置在該兩個柵極結(jié)構(gòu)上;
多個通孔插栓,設(shè)置在該三個長接觸插栓、該三個短接觸插栓以及該兩個柵極接觸插栓上并與之電連接;以及
金屬層,設(shè)置在該多個通孔插栓上,該金屬層包含該第一金屬線、該第二金屬線、一第三金屬線、一第四金屬線以及一第五金屬線。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的多個半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





