[發明專利]一種拋光盤基座、拋光盤、拋光機以及最終拋光方法

在審

• 申請號: 201710829117.4
• 申請日: 2017-09-14
• 公開（公告）號: CN109500716A
• 公開（公告）日: 2019-03-22
• 發明（設計）人: 劉源;汪燕
• 申請（專利權）人: 上海新昇半導體科技有限公司
• 主分類號: B24B29/02
• 分類號: B24B29/02;B24B41/04
• 代理公司: 北京市磐華律師事務所 11336
• 代理人: 高偉;張建

本發明提供一種拋光盤基座、拋光盤、拋光機以及最終拋光方法，該拋光盤基座包括：基體、在所述基體的第一表面上同心設置的內環部和外環部，以及在所述基體的第二表面上設置的內環部氣流通道和外環部氣流通道。該拋光盤基座可以克服晶圓最終拋光后邊緣平坦度比中間平坦度差的問題。該拋光盤、拋光機和最終拋光方法具有類似的優點。

技術領域

本發明涉及半導體技術領域，具體而言涉及一種拋光盤基座、拋光盤、拋光機以及最終拋光方法。

背景技術

隨著IC(集成電路)技術的不斷發展，半導體行業對硅片襯底的要求也越來越高。其中為了防止曝光時失焦，對硅片的平坦度要求也達到了近乎嚴苛的地步。其中關于平坦度最重要的參數為局部平坦度(SFQR)，局部平坦度是將硅片劃分成為若干區域(如25x25mm)，獨立計算每塊區域的平坦度。對于襯底而言，晶圓(即硅片襯底)邊緣的局部平坦度往往比中心處的局部平坦度差，同時隨著對良率的不斷追求，對晶圓邊緣的芯片的良率也有一定的要求，這就要求對襯底硅片邊緣的局部平坦度做嚴格的控制。

造成晶圓邊緣局部平坦度惡化主要有如下原因：硅片表面拋光往往需要經過雙面拋光(dsp，double side polish)和正面最終拋光(FP，final polish)兩個拋光步驟來完成。雙面拋光可研磨晶圓的正反兩面，且可以通過拋光盤的控制實現期望的晶圓形狀。而最終拋光由于僅僅對晶圓正面拋光，且最終拋光通過CDA(condensed dry air，壓縮干燥空氣)壓力將晶圓壓在拋光墊上，往往造成晶圓發生彈性形變，由此造成對晶圓中心的拋光效率高于晶圓邊緣的拋光效率，從而導致晶圓邊緣區域的平坦度差于中間區域的平坦度。

因此有必要提出一種拋光盤基座、拋光盤、拋光機以及最終拋光方法，以至少部分解決上述問題。

發明內容

在發明內容部分中引入了一系列簡化形式的概念，這將在具體實施方式部分中進一步詳細說明。本發明的發明內容部分并不意味著要試圖限定出所要求保護的技術方案的關鍵特征和必要技術特征，更不意味著試圖確定所要求保護的技術方案的保護范圍。

針對現有技術的不足，本發明提出一種拋光盤基座、拋光盤、拋光機以及最終拋光方法，可以克服晶圓最終拋光后邊緣平坦度比中間平坦度差的問題。

為了克服目前存在的問題，本發明一方面提供一種拋光盤基座，包括：基體、在所述基體的第一表面上同心設置的內環部和外環部，以及在所述基體的第二表面上設置的內環部氣流通道和外環部氣流通道。

可選地，所述內環部氣流通道設置在所述基體的中心位置。

可選地，所述外環部氣流通道設置在所述內環部和外環部之間。

可選地，所述外環部氣流通道在周向上對稱設置。

可選地，所述外環部氣流通道的數量為4個。

根據本發明的拋光盤基座，在基體上設置內環部和外環部，這樣使用具有這種拋光盤基座的拋光盤進行拋光時，便可以向晶圓的中心區域和邊緣區域施加不同的壓力，實現對阱晶圓翹曲形狀的改變，從而克服晶圓最終拋光后邊緣平坦度比中間平坦度差的問題。

本發明另一方面提供一種拋光盤，包括：上述的拋光盤基座，以及依次設置在所述拋光盤基座之上的用于支撐晶圓的背襯墊和用于夾持晶圓的載具環，

其中，所述拋光盤基座和所述背襯墊圍成腔室，且所述內環部將所述腔體分隔為內腔室和外腔室。

根據本發明的拋光盤，由于具有上述拋光盤基座，因此在進行拋光時，可以向晶圓的中心區域和邊緣區域施加不同的壓力，實現對阱晶圓翹曲形狀的改變，從而克服晶圓最終拋光后邊緣平坦度比中間平坦度差的問題。

本發明又一方面提供一種拋光機，包括：拋光墊，以及設置在所述在拋光墊之上的如權利要求6所述的拋光盤。