[發明專利]一種LED芯片光功率的測試方法

有效

• 申請號: 201710828420.2
• 申請日: 2017-09-14
• 公開（公告）號: CN107515043B
• 公開（公告）日: 2020-06-12
• 發明（設計）人: 吳永軍;潘堯波;劉亞柱;唐軍;呂振興
• 申請（專利權）人: 合肥彩虹藍光科技有限公司
• 主分類號: G01J1/00
• 分類號: G01J1/00
• 代理公司: 上海光華專利事務所(普通合伙) 31219
• 代理人: 王華英

本發明提供一種LED芯片光功率的測試方法，包括以下步驟：在相同條件下生長待測試LED芯片和純熱阻芯片，其中，純熱阻芯片在生長發光量子阱時不進行In摻雜，以保證純熱阻芯片工作時不會發光；在相同條件下計算待測試LED芯片的輸入功率W₁和純熱阻芯片的輸入功率W₂，所述純熱阻芯片的輸入功率W₂即待測試LED芯片的熱功率；計算待測試LED芯片的光功率＝W₁－W₂。本發明計算出的待測試LED芯片光功率與電功率相對應，測試值真實性高；該方法不需要再次定標，不受測試設備種類、新舊及標定系數影響；可應用于全波段光功率的測試，尤其是深紫外芯片的光功率測試；該方法可以準確推算出光功率/熱功率占比，對LED理論探索有指導性意義。

技術領域

本發明屬于LED芯片測試技術領域，特別是涉及一種LED芯片光功率的測試方法。

背景技術

LED芯片發光技術以其亮度高、功耗低、壽命長、體積小等諸多優點被越來越多的應用在顯示器背光、家用及商用照明領域。

由于LED芯片測試設備或測試標準存在差異，其光功率測試很難做到統一，同一顆芯片在不同設備或不同標準下獲得的光功率可能會存在較大差異。根本原因是現有的光功率測試方法均采用“光強感應”加“系數標定”的方法，即直接測試法。直接測試法的優勢是簡便快捷，但由于其采用系數標定的方法定義光功率，并非真實功率，與電功率無法對應，其數值受測試設備種類、新舊及標定系數影響；另外，該種測試設備往往只適合可見波長段范圍，而很難適用于不可見的紫外光波段。

發明內容

鑒于以上所述現有技術的缺點，本發明的目的在于提供一種LED芯片光功率的測試方法，用于解決現有測試LED光功率方法中存在的定標不一、測試值不真實、無法測試全波段等問題。

為實現上述目的，本發明采用以下方案：一種LED芯片光功率的測試方法，所述測試方法包括以下步驟：步驟1、在相同條件下生長待測試LED芯片和純熱阻芯片，其中，純熱阻芯片在生長發光量子阱時不進行In摻雜，以保證純熱阻芯片工作時不會發光；步驟2、在相同條件下計算待測試LED芯片的輸入功率W₁和純熱阻芯片的輸入功率W₂，所述純熱阻芯片的輸入功率W₂即待測試LED芯片的熱功率；步驟3、計算待測試LED芯片的光功率P，待測試LED芯片的光功率P＝待測試LED芯片的輸入功率W₁－純熱阻芯片的輸入功率W₂。

于本發明的一實施方式中，在所述步驟1中，所述相同條件包括采用相同工藝同批次進行待測試LED芯片和純熱阻芯片的材料生長，所述待測試LED芯片和純熱阻芯片的襯底材質、導電材質、外觀形貌均一致。

于本發明的一實施方式中，所述步驟2包括以下步驟：步驟21、制作兩個相同的金屬散熱底座，在兩個金屬散熱底座的相同位置均開孔，放入測溫熱電偶探頭并連接相同的測溫設備；步驟22、將相同數量的純熱阻芯片和待測試LED芯片使用相同的工藝固定在金屬散熱底座上，并將金屬散熱底座放在相同的環境中；步驟23、將待測試LED芯片點亮，至溫度達到平衡，記錄溫度T及待測試LED芯片的輸入電流I₁和輸入電壓Vf₁；步驟24、調整純熱阻芯片輸入電流，直至溫度達到平衡時T₁＝T，記錄純熱阻芯片的輸入電流I₂和輸入電壓Vf₂；步驟25、計算待測試LED芯片的輸入功率W₁＝Vf₁×I₁，計算純熱阻芯片的輸入功率W₂＝Vf₂×I₂。

于本發明的一實施方式中，在所述步驟21中，所述孔的深度為25mm，所述孔的直徑與所述測溫熱電偶探頭相適配。

于本發明的一實施方式中，在所述步驟21中，切割兩塊大小相同的鋁塊制作所述金屬散熱底座。