[發明專利]一種LED芯片光功率的測試方法有效
| 申請號： | 201710828420.2 | 申請日： | 2017-09-14 |
| 公開（公告）號： | CN107515043B | 公開（公告）日： | 2020-06-12 |
| 發明（設計）人： | 吳永軍;潘堯波;劉亞柱;唐軍;呂振興 | 申請（專利權）人： | 合肥彩虹藍光科技有限公司 |
| 主分類號： | G01J1/00 | 分類號： | G01J1/00 |
| 代理公司： | 上海光華專利事務所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 王華英 |
| 地址： | 230011 安*** | 國省代碼： | 安徽;34 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 led 芯片 功率 測試 方法 | ||
1.一種LED芯片光功率的測試方法，其特征在于，所述測試方法包括以下步驟：
步驟1、在相同條件下生長待測試LED芯片和純熱阻芯片，其中，純熱阻芯片在生長發光量子阱時不進行In摻雜，以保證純熱阻芯片工作時不會發光以及所述待測試LED芯片和純熱阻芯片的襯底材質、導電材質、外觀形貌均一致；
步驟2、在相同條件下計算待測試LED芯片的輸入功率W1和純熱阻芯片的輸入功率W2，具體步驟如下：
步驟21、制作兩個相同的金屬散熱底座，在兩個金屬散熱底座的相同位置均開孔，放入測溫熱電偶探頭并連接相同的測溫設備；
步驟22、將相同數量的純熱阻芯片和待測試LED芯片使用相同的工藝固定在金屬散熱底座上，并將金屬散熱底座放在相同的環境中；
步驟23、將待測試LED芯片點亮，至溫度達到平衡，記錄溫度T及待測試LED芯片的輸入電流I1和輸入電壓Vf1；
步驟24、調整純熱阻芯片輸入電流，直至溫度達到平衡時T1＝T，記錄純熱阻芯片的輸入電流I2和輸入電壓Vf2；
步驟25、計算待測試LED芯片的輸入功率W1＝Vf1×I1，計算純熱阻芯片的輸入功率W2＝Vf2×I2；所述純熱阻芯片的輸入功率W2即待測試LED芯片的熱功率；步驟3、計算待測試LED芯片的光功率P，待測試LED芯片的光功率P＝待測試LED芯片的輸入功率W1－純熱阻芯片的輸入功率W2。
2.根據權利要求1所述的LED芯片光功率的測試方法，其特征在于，在所述步驟1中，所述相同條件還包括采用相同工藝同批次進行待測試LED芯片和純熱阻芯片的材料生長。
3.根據權利要求1所述的LED芯片光功率的測試方法，其特征在于，在所述步驟21中，所述孔的深度為25mm，所述孔的直徑與所述測溫熱電偶探頭相適配。
4.根據權利要求1所述的LED芯片光功率的測試方法，其特征在于，在所述步驟21中，切割兩塊大小相同的鋁塊制作所述金屬散熱底座。
5.根據權利要求4所述的LED芯片光功率的測試方法，其特征在于，所述鋁塊的尺寸為50×50×50mm。
6.根據權利要求1所述的LED芯片光功率的測試方法，其特征在于，在所述步驟22中，將尺寸相同的待測試LED芯片和純熱阻芯片使用銀膠分別固定在金屬散熱底座上。
7.根據權利要求1所述的LED芯片光功率的測試方法，其特征在于，在所述步驟22中，使用金線焊接待測試LED芯片和純熱阻芯片，并引出待測試LED芯片和純熱阻芯片的正負極。
8.根據權利要求7所述的LED芯片光功率的測試方法，其特征在于，所述待測試LED芯片和純熱阻芯片的正負極均連接可調輸入電源。
9.根據權利要求1所述的LED芯片光功率的測試方法，其特征在于，在所述步驟23中，使用正常驅動電流點亮待測試LED芯片。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于合肥彩虹藍光科技有限公司，未經合肥彩虹藍光科技有限公司許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201710828420.2/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
