[發明專利]基板排列裝置以及基板排列方法有效
| 申請號: | 201710826502.3 | 申請日: | 2017-09-14 |
| 公開(公告)號: | CN107887298B | 公開(公告)日: | 2021-07-06 |
| 發明(設計)人: | 宮本幸輝 | 申請(專利權)人: | 株式會社斯庫林集團 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67 |
| 代理公司: | 隆天知識產權代理有限公司 72003 | 代理人: | 向勇;崔炳哲 |
| 地址: | 日本京都*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 排列 裝置 以及 方法 | ||
1.一種基板排列裝置,排列多個基板,其中,
所述基板排列裝置具有:
第一保持部,其保持以垂直姿勢沿厚度方向排列的多個第一基板的下緣部;
第二保持部,其保持以垂直姿勢沿厚度方向排列的多個第二基板的下緣部;
基板對準機構,其將具有所述多個第一基板的第一基板組以及具有所述多個第二基板的第二基板組中的至少一個基板組沿周向旋轉并確定周向的朝向;以及
基板排列機構,其使所述第一保持部相對地接近所述第二保持部,從而將所述第一基板組的所述多個第一基板,以與所述多個第二基板正面背面相反的朝向,分別配置在所述第二基板組的所述多個第二基板之間,
所述第一基板組和所述第二基板組的各基板在第一徑向上以最小曲率向厚度方向的一側彎曲,在與所述第一徑向以45度以上135度以下的角度交叉的第二徑向上,以最大曲率向厚度方向的所述一側彎曲,
分別配置在所述多個第二基板之間的所述多個第一基板的所述第一徑向與所述多個第二基板的所述第一徑向正交。
2.根據權利要求1所述的基板排列裝置,其中,
所述基板對準機構將所述第一基板組和所述第二基板組兩者沿周向旋轉并確定周向的朝向。
3.根據權利要求1或2所述的基板排列裝置,其中
由所述第一保持部保持的所述多個第一基板的所述第一徑向朝向上下方向,
由所述第二保持部保持的所述多個第二基板的所述第一徑向朝向水平方向,
所述基板排列機構使所述第一保持部從下方接近所述第二保持部,并將所述多個第一基板從下方插入所述多個第二基板之間。
4.根據權利要求1或2所述的基板排列裝置,其中,
由所述第一保持部保持的所述多個第一基板的所述第一徑向朝向水平方向,
由所述第二保持部保持的所述多個第二基板的所述第一徑向朝向上下方向,
所述基板排列機構使所述第一保持部從下方接近所述第二保持部,并將所述多個第一基板從下方插入所述多個第二基板之間。
5.一種基板排列方法,排列多個基板,其中,
所述基板排列方法包括:
工序a,保持以垂直姿勢沿厚度方向排列的多個第一基板的下緣部;
工序b,保持以垂直姿勢沿厚度方向排列的多個第二基板的下緣部;
工序c,將具有所述多個第一基板的第一基板組以及具有所述多個第二基板的第二基板組中的至少一個基板組沿周向旋轉并確定周向的朝向;以及
工序d,將所述第一基板組的所述多個第一基板,以與所述多個第二基板正面背面相反的朝向,分別配置在所述第二基板組的所述多個第二基板之間,
所述第一基板組和所述第二基板組的各基板在第一徑向上以最小曲率向厚度方向的一側彎曲,在與所述第一徑向以45度以上135度以下的角度交叉的第二徑向上,以最大曲率向厚度方向的所述一側彎曲,
在所述工序d中,分別配置在所述多個第二基板之間的所述多個第一基板的所述第一徑向與所述多個第二基板的所述第一徑向正交。
6.根據權利要求5所述的基板排列方法,其中,
在所述工序c中,將所述第一基板組和所述第二基板組兩者沿周向旋轉并確定周向的朝向。
7.根據權利要求5或6所述的基板排列方法,其中,
在所述工序a、工序b以及工序c結束后,所述多個第一基板的所述第一徑向朝向上下方向,所述多個第二基板的所述第一徑向朝向水平方向,
在工序d中,將所述多個第一基板從下方插入所述多個第二基板之間。
8.根據權利要求5或6所述的基板排列方法,其中,
在所述工序a、工序b以及工序c結束后,所述多個第一基板的所述第一徑向朝向水平方向,所述多個第二基板的所述第一徑向朝向上下方向,
在工序d中,將所述多個第一基板從下方插入所述多個第二基板之間。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





