[發明專利]基板排列裝置以及基板排列方法有效
| 申請號: | 201710826502.3 | 申請日: | 2017-09-14 |
| 公開(公告)號: | CN107887298B | 公開(公告)日: | 2021-07-06 |
| 發明(設計)人: | 宮本幸輝 | 申請(專利權)人: | 株式會社斯庫林集團 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67 |
| 代理公司: | 隆天知識產權代理有限公司 72003 | 代理人: | 向勇;崔炳哲 |
| 地址: | 日本京都*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 排列 裝置 以及 方法 | ||
基板排列裝置的基板對準機構,將第一基板組和第二基板組沿周向旋轉并確定周向的朝向。保持部升降機構將第一基板組的多個第一基板,以與多個第二基板正面背面相反的朝向,分別配置在第二基板組的多個第二基板之間。第一基板組和第二基板組的各基板在第一徑向上以最小曲率向厚度方向的一側彎曲,在與第一徑向正交的第二徑向上以最大曲率向厚度方向的上述一側彎曲。分別配置在多個第二基板之間的多個第一基板的第一徑向與多個第二基板的第一徑向大致正交。由此,在交替排列的多個第一基板和多個第二基板中,能夠提高沿排列方向相鄰的基板之間的排列方向的距離的上下方向上的均勻性。
技術領域
本發明涉及排列多個基板的技術。
背景技術
以往,在半導體基板(以下,簡稱為“基板”)的制造工序中,利用對基板實施各種處理的基板處理裝置。例如,在日本特開2010-93230號公報(文獻1)中,公開了對多個基板一并進行處理的批量式基板處理裝置。在該基板處理裝置中,以水平姿勢沿厚度方向排列的多個基板由批量機械手被搬入。然后,多個基板的姿勢由姿勢轉換機構一并轉換為垂直姿勢之后,被一并移交到推動機構。另外,新的多個基板被搬入,將其姿勢轉換為垂直姿勢之后,被一并移交到已保持有多個基板的推動機構。此時,已保持在推動機構的多個基板(以下,稱作“第一基板組”)被分別配置在新的多個基板(以下,稱作“第二基板組”)之間。
另外,在該基板處理裝置中,設置有對以垂直姿勢保持在卡盤的多個基板的方向進行對準的基板方向對準機構?;宸较驅蕶C構對準多個基板,以使設置在各基板的周緣部的凹口的朝向(即,周向的位置)相一致。
在日本特開2008-78544號公報(文獻2)中,公開了基板對準裝置的結構的一個例子。在該基板對準裝置中,驅動輥使垂直姿勢的多個基板旋轉,并將各基板的凹口卡合在沿多個基板的排列方向延伸的卡合軸,從而停止旋轉,由此進行多個基板的對準。
另一方面,在日本特開平7-307319號公報(文獻3)的半導體制造方法中,以防止因進行熱處理時發生的晶圓的翹曲而產生的多個晶圓之間的接觸損傷等為目的,翹曲方向相同的晶圓與多個晶圓被分離并收容在一個開口,對該開口內的多個晶圓進行熱處理。
順便提及,如文獻3中所記載地,在基板處理裝置中進行處理的基板,因在搬入基板處理裝置之前進行的處理的影響有可能會翹曲。翹曲的基板相比未翹曲的平坦的基板,其厚度方向的尺寸大。如文獻1所述,在將第一基板組的多個基板分別配置在第二基板組的多個基板之間的情況下,例如,當第一基板組的基板和第二基板組的基板以相互朝向相反方向凸出的方式翹曲時,會出現相鄰的基板之間的距離減小的部分,相鄰的基板彼此有可能會接觸。
發明內容
本發明涉及基板排列裝置,其目的在于提高相鄰的基板之間的距離的均勻性。本發明還涉及基板排列方法。
根據本發明的排列多個基板的基板排列裝置,具有:第一保持部,其保持以垂直姿勢沿厚度方向排列的多個第一基板的下緣部;第二保持部,其保持以垂直姿勢沿厚度方向排列的多個第二基板的下緣部;基板對準機構,其將具有所述多個第一基板的第一基板組以及具有所述多個第二基板的第二基板組中的至少一個基板組沿周向旋轉并確定周向的朝向;以及基板排列機構,其使所述第一保持部相對地接近所述第二保持部,從而將所述第一基板組的所述多個第一基板,以與所述多個第二基板正面背面相反的朝向,分別配置在所述第二基板組的所述多個第二基板之間。所述第一基板組和所述第二基板組的各基板在第一徑向上以最小曲率向厚度方向的一側彎曲,在與所述第一徑向以45度以上135度以下的角度交叉的第二徑向上,以最大曲率向厚度方向的所述一側彎曲。分別配置在所述多個第二基板之間的所述多個第一基板的所述第一徑向與所述多個第二基板的所述第一徑向正交。根據該基板排列裝置,能夠提高相鄰的基板之間的距離的均勻性。
在本發明一優選實施方式中,所述基板對準機構將所述第一基板組和所述第二基板組兩者沿周向旋轉并確定周向的朝向。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





