[發明專利]一種選擇性銅腐蝕液及應用

有效

• 申請號: 201710825462.0
• 申請日: 2017-09-14
• 公開（公告）號: CN107604360B
• 公開（公告）日: 2019-10-15
• 發明（設計）人: 李森虎;殷福華;徐輝;趙文虎;顧玲燕
• 申請（專利權）人: 江陰江化微電子材料股份有限公司
• 主分類號: C23F1/18
• 分類號: C23F1/18
• 代理公司: 無錫堅恒專利代理事務所(普通合伙) 32348
• 代理人: 杜興

1.一種選擇性銅腐蝕液，其特征在于，按重量百分比計包含：1～20%的氧化劑、0.001～5%的過氧化氫穩定劑、0.01～10%的無機酸、1～4%的可溶性有機酸二價銅鹽、0.01～8%的螯合劑和/或緩蝕劑、0.001～3%的表面活性劑和余量水，氧化劑的主要組成為過氧化氫；所述氧化劑還包括結構式為R-S=O-R’的亞砜類化合物，其中R和R’分別選自烷基、烯烴基、苯基、芐基、(CH₂)_mS-R1，m為1以上的整數，R1為烷基。

2.根據權利要求1所述的選擇性銅腐蝕液，其特征在于，氧化劑由過氧化氫和亞砜類化合物組合而成，氧化劑中過氧化氫的重量百分比為83～95%。

3.根據權利要求2所述的選擇性銅腐蝕液，其特征在于，亞砜類化合物結構式中的R和R’分別為C1～C3的烷基。

4.根據權利要求2所述的選擇性銅腐蝕液，其特征在于，可溶性有機酸二價銅鹽為可溶性氨基酸螯合銅、檸檬酸銅、琥珀酸銅中的一種或者兩種以上的組合。

5.根據權利要求4所述的選擇性銅腐蝕液，其特征在于，無機酸為硫酸。

6.根據權利要求5所述的選擇性銅腐蝕液，其特征在于，緩蝕劑為選自鉬酸鈉、鉬酸鉀、鉬酸銨、硅酸鈉、硅酸鉀中的至少一種。

7.根據權利要求5所述的選擇性銅腐蝕液，其特征在于，螯合劑為選自酪氨酸、賴氨酸、蛋氨酸中的一種或兩種以上的組合。

8.權利要求1-7中任意一項所述的選擇性銅腐蝕液在半導晶片上腐蝕銅或銅化合物層的應用。