[發(fā)明專利]一種高純二氧化碲及其制備方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201710824711.4
• 申請日: 2017-09-14
• 公開（公告）號: CN107640749B
• 公開（公告）日: 2020-11-27
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 段威;李宗雨;朱濤;周大華
• 申請（專利權(quán)）人: 成都漢普高新材料有限公司
• 主分類號: C01B19/04
• 分類號: C01B19/04
• 代理公司: 北京化育知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11833
• 代理人: 涂琪順

1.一種高純二氧化碲的制備方法，其特征在于，包括：

(1)將碲錠破碎后置于蒸餾爐中并在真空度為5×10^-5-10^-4Pa的條件下加熱蒸餾，制得純碲；

所述加熱蒸餾的方法為：將所述蒸餾爐至下而上分成高、中、低三個加熱區(qū)進(jìn)行分區(qū)段加熱；其中，高溫區(qū)段對應(yīng)加熱所述蒸餾爐的下部，并且所述高溫區(qū)段的加熱溫度為580℃；中溫區(qū)段對應(yīng)加熱所述蒸餾爐的中部，并且所述中溫區(qū)段的加熱溫度為320℃；低溫區(qū)段對應(yīng)加熱所述蒸餾爐的上部，并且所述低溫區(qū)段的加熱溫度為240℃；

(2)將制得的所述純碲置于反應(yīng)爐中并在純氧氣氛下加熱反應(yīng)，制得二氧化碲；

所述加熱反應(yīng)的方法為：將所述反應(yīng)爐分成上、下兩個加熱區(qū)進(jìn)行分區(qū)段加熱，上部溫區(qū)的加熱溫度為450℃，下部溫區(qū)的加熱溫度為900℃，在反應(yīng)過程中對物料進(jìn)行攪拌處理，并向所述反應(yīng)爐中通入450℃的熱風(fēng)；

向所述反應(yīng)爐中通入為氧氣理論值1.8倍的氧氣量。

2.權(quán)利要求1所述的制備方法制備得到的高純二氧化碲。