[發明專利]掩模板關鍵尺寸的監控方法

在審

• 申請號: 201710824109.0
• 申請日: 2017-09-13
• 公開（公告）號: CN107643655A
• 公開（公告）日: 2018-01-30
• 發明（設計）人: 葉序明;毛智彪;楊正凱;王丹
• 申請（專利權）人: 上海華力微電子有限公司
• 主分類號: G03F7/20
• 分類號: G03F7/20;G03F1/00
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙)31237
• 代理人: 智云

技術領域

本發明涉及集成電路設計技術領域，尤其涉及一種光刻工藝熱點的整合方法。

背景技術

半導體制造工藝中，通過一系列的光刻、刻蝕、摻雜、薄膜沉積、平坦化以及清洗等工藝在半導體晶圓上形成具有各種功能的集成電路，其中，用于定義刻蝕或摻雜區域的刻工光藝起著十分重要的作用。由于設計以及制造工藝的需要，光刻工藝是分很多工藝層次的，對應的需要很多光刻掩模版，以完成不同的圖形轉移。

其中的光刻掩模版，也稱作為光刻掩模板或者光罩，是一種對于曝光光線具有選擇性透光的玻璃基板，掩模版的質量很大程度上影響了掩模版的圖形轉移到晶圓上圖形的質量以及準確性，因此，掩模版的質量檢測以及改善顯得尤為重要。關于掩模版的質量檢測，有CD(關鍵尺寸)、Registration(對準精度)、Defect(缺陷)、Phase Angle(相角)等，其中CD是掩模版質量最基本的要求，準確性以及均一性是掩模版關鍵尺寸的核心表征。

傳統CD均一性的檢測通過在掩模版上設計額外的特定檢測圖形，再去測量特定檢測圖形，但是由于空間限制，這些特定檢測圖形放置數目都是很有限的，有時候并不能很好監控CD的均一性，特別是局部CD的均一性。如果掩模版的CD的均一性有問題，很大程度上會影響晶圓上的CD的均一性，進而影響到產品良率。

發明內容

本發明的目的在于，提供一種掩模板關鍵尺寸的監控方法，有利于對掩模板的關鍵尺寸進行檢查。

為了實現上述目的，本發明提供一種掩模板關鍵尺寸的監控方法，包括：

晶圓廠制定掩模板的檢測規則，將所述檢測規則提供給掩模板制造商；

掩模板制造商根據所述檢測規則對掩模板的關鍵尺寸進行檢測，并將檢測結果反饋至晶圓廠；

晶圓廠對相應晶圓的關鍵尺寸進行檢測，并確認晶圓的關鍵尺寸是否滿足制程要求。

進一步的，晶圓廠制定所述檢測規則時參考的因素包括產品的設計、晶圓制造的光刻工藝、掩模板的工藝及量測要求。

進一步的，晶圓廠制定所述檢測規則時，參考的產品設計因素中包括器件區、邏輯區、器件結構或襯底類型。

進一步的，晶圓廠制定所述檢測規則時，參考的晶圓制造光刻工藝因素中包括光學臨近效應。

進一步的，所述檢測規則包括工藝平臺、工藝層次及不同工藝層次的測試圖形對應的結構、尺寸、方向信息。

進一步的，所述檢測結果包括圖形的結構、位置及關鍵尺寸信息。

進一步的，還包括：若晶圓廠確認晶圓的關鍵尺寸滿足制程要求，則繼續確認晶圓的良率是否滿足要求。

與現有技術相比，本發明的掩模板關鍵尺寸的監控方法具有以下有益效果：

本發明提供的掩模板關鍵尺寸的監控方法中，包括：晶圓廠制定掩模板的檢測規則，將所述檢測規則提供給掩模板制造商；掩模板制造商根據所述檢測規則對掩模板的關鍵尺寸進行檢測，并將檢測結果反饋至晶圓廠；晶圓廠對相應的晶圓的關鍵尺寸進行檢測，并確認晶圓的關鍵尺寸是否滿足制程要求。本發明中，可以有效監控以及改善掩模版全局以及局部關鍵尺寸的均一性，以最終改善晶圓產品的關鍵尺寸的均一性，從而改善產品良率。

附圖說明

圖1為本發明一實施例中掩模板關鍵尺寸監控方法的流程圖；

圖2為本發明一實施例中掩模板關鍵尺寸監控方法的反饋示意圖。

具體實施方式

下面將結合示意圖對本發明的掩模板關鍵尺寸的監控方法進行更詳細的描述，其中表示了本發明的優選實施例，應該理解本領域技術人員可以修改在此描述的本發明，而仍然實現本發明的有利效果。因此，下列描述應當被理解為對于本領域技術人員的廣泛知道，而并不作為對本發明的限制。

在下列段落中參照附圖以舉例方式更具體地描述本發明。根據下面說明和權利要求書，本發明的優點和特征將更清楚。需說明的是，附圖均采用非常簡化的形式且均使用非精準的比例，僅用以方便、明晰地輔助說明本發明實施例的目的。

本發明的核心思想在于，提供一種掩模板關鍵尺寸的監控方法，包括：晶圓廠制定掩模板的檢測規則，將所述檢測規則提供給掩模板制造商；掩模板制造商根據所述檢測規則對掩模板的關鍵尺寸進行檢測，并將檢測結果反饋至晶圓廠；晶圓廠對相應的晶圓的關鍵尺寸進行檢測，并確認晶圓的關鍵尺寸是否滿足制程要求。本發明中，可以有效監控以及改善掩模版全局以及局部關鍵尺寸的均一性，以最終改善晶圓產品的關鍵尺寸的均一性，從而改善產品良率。