[發明專利]掩模板關鍵尺寸的監控方法在審
| 申請號： | 201710824109.0 | 申請日： | 2017-09-13 |
| 公開（公告）號： | CN107643655A | 公開（公告）日： | 2018-01-30 |
| 發明（設計）人： | 葉序明;毛智彪;楊正凱;王丹 | 申請（專利權）人： | 上海華力微電子有限公司 |
| 主分類號： | G03F7/20 | 分類號： | G03F7/20;G03F1/00 |
| 代理公司： | 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙)31237 | 代理人： | 智云 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 模板 關鍵 尺寸 監控 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種掩模板關鍵尺寸的監控方法，其特征在于，包括：
晶圓廠制定掩模板的檢測規則，將所述檢測規則提供給掩模板制造商；
掩模板制造商根據所述檢測規則對掩模板的關鍵尺寸進行檢測，并將檢測結果反饋至晶圓廠；
晶圓廠對相應晶圓的關鍵尺寸進行檢測，并確認晶圓的關鍵尺寸是否滿足制程要求。
2.如權利要求1所述的掩模板關鍵尺寸的監控方法，其特征在于，晶圓廠制定所述檢測規則時參考的因素包括產品的設計、晶圓制造的光刻工藝、掩模板的工藝及量測要求。
3.如權利要求2所述的掩模板關鍵尺寸的監控方法，其特征在于，晶圓廠制定所述檢測規則時，參考的產品設計因素中包括器件區、邏輯區、器件結構或襯底類型。
4.如權利要求2所述的掩模板關鍵尺寸的監控方法，其特征在于，晶圓廠制定所述檢測規則時，參考的晶圓制造光刻工藝因素中包括光學臨近效應。
5.如權利要求1所述的掩模板關鍵尺寸的監控方法，其特征在于，所述檢測規則包括工藝平臺、工藝層次及不同工藝層次的測試圖形對應的結構、尺寸、方向信息。
6.如權利要求1所述的掩模板關鍵尺寸的監控方法，其特征在于，所述檢測結果包括圖形的結構、位置及關鍵尺寸信息。
7.如權利要求1所述的掩模板關鍵尺寸的監控方法，其特征在于，還包括：若晶圓廠確認晶圓的關鍵尺寸滿足制程要求，則繼續確認晶圓的良率是否滿足要求。
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