[發(fā)明專利]頂發(fā)射白光OLED顯示裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201710823036.3
• 申請日: 2017-09-13
• 公開（公告）號: CN107634084B
• 公開（公告）日: 2020-08-25
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 李夢真;劉玉成;羅志忠;高松
• 申請（專利權(quán)）人: 云谷（固安）科技有限公司
• 主分類號: H01L27/32
• 分類號: H01L27/32;H01L51/52
• 代理公司: 上海波拓知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 31264
• 代理人: 楊波

一種頂發(fā)射白光OLED顯示裝置，包括反射型基板以及R像素區(qū)OLED、G像素區(qū)OLED、B像素區(qū)OLED、W像素區(qū)OLED，R像素區(qū)OLED、G像素區(qū)OLED、B像素區(qū)OLED及W像素區(qū)OLED均包括靠近反射型基板設(shè)置的第一電極、遠離反射型基板設(shè)置的第二電極、位于第一電極與第二電極之間的有機層以及位于反射型基板與第二電極之間的光程控制層，R像素區(qū)OLED、G像素區(qū)OLED及B像素區(qū)OLED的第二電極為半反半透電極，W像素區(qū)OLED的第二電極為透明電極。本發(fā)明的頂發(fā)射白光OLED顯示裝置在R像素區(qū)OLED、G像素區(qū)OLED、B像素區(qū)OLED中同時設(shè)置半反半透電極和光程控制層以形成可提高單色光的外量子效率的微腔結(jié)構(gòu)，在W像素區(qū)OLED采用透明頂電極而不有微腔結(jié)構(gòu)，從整體上有效提高白光OLED的外量子效率。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，特別是關(guān)于一種頂發(fā)射白光OLED顯示裝置。

背景技術(shù)

OLED(Organic Light-Emitting Diode，有機發(fā)光二極管)由于同時具備自發(fā)光、不需背光源、對比度高、厚度薄、視角廣、反應(yīng)速度快、可用于撓曲性面板、使用溫度范圍廣、構(gòu)造及制程較簡單等優(yōu)異特性，被認為是下一代的平面顯示器新興應(yīng)用技術(shù)。

利用白光OLED結(jié)合CF(Color Filter，彩色濾光膜)共同實現(xiàn)屏幕顏色顯示是目前常用的一種OLED顯示技術(shù)，該項技術(shù)的關(guān)鍵在于獲得高外量子效率和高純度的白光，然而，現(xiàn)有的白光OLED+CF顯示技術(shù)通常采用底發(fā)射型OLED，這使得器件發(fā)出的光只有一部分可以從驅(qū)動面板上設(shè)計的開口射出，開口率與效率均較低，并且需要借助高色域的CF來提高色飽和度，雖然采用頂發(fā)射型OLED可以提高開口率，但由于存在微腔效應(yīng)，只有特定波長的光符合共振模式后才可以出射，很難制備出具有高外量子效率的頂發(fā)射白光OLED。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的目的在于提供一種頂發(fā)射白光OLED顯示裝置，可提高白光OLED的外量子效率，實現(xiàn)高性能的WRGB四色顯示。

本發(fā)明提供一種頂發(fā)射白光OLED顯示裝置，包括反射型基板以及設(shè)置在所述反射型基板上的R像素區(qū)OLED、G像素區(qū)OLED、B像素區(qū)OLED、W像素區(qū)OLED，所述R像素區(qū)OLED、所述G像素區(qū)OLED、所述B像素區(qū)OLED及所述W像素區(qū)OLED均包括靠近所述反射型基板設(shè)置的第一電極、遠離所述反射型基板設(shè)置的第二電極、位于所述第一電極與所述第二電極之間的有機層以及位于所述反射型基板與所述第二電極之間的光程控制層，所述R像素區(qū)OLED、所述G像素區(qū)OLED及所述B像素區(qū)OLED的第二電極為半反半透電極，所述W像素區(qū)OLED的第二電極為透明電極。

進一步地，所述R像素區(qū)OLED、所述G像素區(qū)OLED及所述B像素區(qū)OLED的半反半透電極層的厚度相等。

進一步地，所述R像素區(qū)OLED、所述G像素區(qū)OLED、所述B像素區(qū)OLED在所述第二電極的遠離所述反射型基板的一側(cè)均設(shè)置有透明電極，所述R像素區(qū)OLED、所述G像素區(qū)OLED、所述B像素區(qū)OLED的透明電極與所述W像素區(qū)OLED的透明電極的厚度相等。

進一步地，所述R像素區(qū)OLED、所述G像素區(qū)OLED、所述B像素區(qū)OLED的其中之一與所述W像素區(qū)OLED相鄰且光程控制層的厚度相等。

進一步地，所述B像素區(qū)OLED與所述W像素區(qū)OLED相鄰且光程控制層的厚度相等。

進一步地，所述R像素區(qū)OLED、所述G像素區(qū)OLED、所述B像素區(qū)OLED的光程控制層之間厚度依次遞減。

進一步地，所述R像素區(qū)OLED、所述G像素區(qū)OLED、所述B像素區(qū)OLED及所述W像素區(qū)OLED的光程控制層均位于所述反射型基板與第一電極之間。

進一步地，所述R像素區(qū)OLED、所述G像素區(qū)OLED、所述B像素區(qū)OLED及所述W像素區(qū)OLED的光程控制層與第一電極均采用ITO制成。