[發明專利]頂發射白光OLED顯示裝置

有效

• 申請號: 201710823036.3
• 申請日: 2017-09-13
• 公開（公告）號: CN107634084B
• 公開（公告）日: 2020-08-25
• 發明（設計）人: 李夢真;劉玉成;羅志忠;高松
• 申請（專利權）人: 云谷（固安）科技有限公司
• 主分類號: H01L27/32
• 分類號: H01L27/32;H01L51/52
• 代理公司: 上海波拓知識產權代理有限公司 31264
• 代理人: 楊波

1.一種頂發射白光OLED顯示裝置，其特征在于，包括反射型基板以及設置在所述反射型基板上的R像素區OLED、G像素區OLED、B像素區OLED、W像素區OLED，所述R像素區OLED、所述G像素區OLED、所述B像素區OLED及所述W像素區OLED均包括靠近所述反射型基板設置的第一電極、遠離所述反射型基板設置的第二電極、位于所述第一電極與所述第二電極之間的有機層以及位于所述反射型基板與所述第二電極之間的光程控制層，所述R像素區OLED、所述G像素區OLED及所述B像素區OLED的第二電極為半反半透電極，所述W像素區OLED的第二電極為透明電極，所述B像素區OLED與所述W像素區OLED相鄰且光程控制層的厚度相等，所述R像素區OLED、所述G像素區OLED、所述B像素區OLED的光程控制層的厚度依次遞減。

2.如權利要求1所述的頂發射白光OLED顯示裝置，其特征在于，所述R像素區OLED、所述G像素區OLED及所述B像素區OLED的半反半透電極層的厚度相等。

3.如權利要求1所述的頂發射白光OLED顯示裝置，其特征在于，所述R像素區OLED、所述G像素區OLED、所述B像素區OLED在所述第二電極的遠離所述反射型基板的一側均設置有透明電極，所述R像素區OLED、所述G像素區OLED、所述B像素區OLED的透明電極與所述W像素區OLED的透明電極的厚度相等。

4.如權利要求1所述的頂發射白光OLED顯示裝置，其特征在于，所述R像素區OLED、所述G像素區OLED、所述B像素區OLED及所述W像素區OLED的光程控制層均位于所述反射型基板與第一電極之間。

5.如權利要求4所述的頂發射白光OLED顯示裝置，其特征在于，所述R像素區OLED、所述G像素區OLED、所述B像素區OLED及所述W像素區OLED的光程控制層與第一電極均采用ITO制成。

6.如權利要求1所述的頂發射白光OLED顯示裝置，其特征在于，所述反射型基板為銀基板或鍍銀基板。

7.如權利要求1所述的頂發射白光OLED顯示裝置，其特征在于，所述R像素區OLED、所述G像素區OLED、所述B像素區OLED及所述W像素區OLED位于所述反射型基板與彩色濾光膜之間。