[發明專利]頂發射白光OLED顯示裝置有效
| 申請號： | 201710823036.3 | 申請日： | 2017-09-13 |
| 公開（公告）號： | CN107634084B | 公開（公告）日： | 2020-08-25 |
| 發明（設計）人： | 李夢真;劉玉成;羅志忠;高松 | 申請（專利權）人： | 云谷（固安）科技有限公司 |
| 主分類號： | H01L27/32 | 分類號： | H01L27/32;H01L51/52 |
| 代理公司： | 上海波拓知識產權代理有限公司 31264 | 代理人： | 楊波 |
| 地址： | 065500 河*** | 國省代碼： | 河北;13 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 發射 白光 oled 顯示裝置 | ||
1.一種頂發射白光OLED顯示裝置，其特征在于，包括反射型基板以及設置在所述反射型基板上的R像素區OLED、G像素區OLED、B像素區OLED、W像素區OLED，所述R像素區OLED、所述G像素區OLED、所述B像素區OLED及所述W像素區OLED均包括靠近所述反射型基板設置的第一電極、遠離所述反射型基板設置的第二電極、位于所述第一電極與所述第二電極之間的有機層以及位于所述反射型基板與所述第二電極之間的光程控制層，所述R像素區OLED、所述G像素區OLED及所述B像素區OLED的第二電極為半反半透電極，所述W像素區OLED的第二電極為透明電極，所述B像素區OLED與所述W像素區OLED相鄰且光程控制層的厚度相等，所述R像素區OLED、所述G像素區OLED、所述B像素區OLED的光程控制層的厚度依次遞減。
2.如權利要求1所述的頂發射白光OLED顯示裝置，其特征在于，所述R像素區OLED、所述G像素區OLED及所述B像素區OLED的半反半透電極層的厚度相等。
3.如權利要求1所述的頂發射白光OLED顯示裝置，其特征在于，所述R像素區OLED、所述G像素區OLED、所述B像素區OLED在所述第二電極的遠離所述反射型基板的一側均設置有透明電極，所述R像素區OLED、所述G像素區OLED、所述B像素區OLED的透明電極與所述W像素區OLED的透明電極的厚度相等。
4.如權利要求1所述的頂發射白光OLED顯示裝置，其特征在于，所述R像素區OLED、所述G像素區OLED、所述B像素區OLED及所述W像素區OLED的光程控制層均位于所述反射型基板與第一電極之間。
5.如權利要求4所述的頂發射白光OLED顯示裝置，其特征在于，所述R像素區OLED、所述G像素區OLED、所述B像素區OLED及所述W像素區OLED的光程控制層與第一電極均采用ITO制成。
6.如權利要求1所述的頂發射白光OLED顯示裝置，其特征在于，所述反射型基板為銀基板或鍍銀基板。
7.如權利要求1所述的頂發射白光OLED顯示裝置，其特征在于，所述R像素區OLED、所述G像素區OLED、所述B像素區OLED及所述W像素區OLED位于所述反射型基板與彩色濾光膜之間。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的；包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的；包括有熱磁組件的
