[發(fā)明專利]一種薄膜晶體管、陣列基板及其制備方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201710821855.4
• 申請(qǐng)日: 2017-09-13
• 公開（公告）號(hào): CN107579006B
• 公開（公告）日: 2019-08-06
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 王慶賀;丁錄科;程磊磊;鮑俊;蘇同上;王東方;袁廣才
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 京東方科技集團(tuán)股份有限公司;合肥鑫晟光電科技有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/34
• 分類號(hào): H01L21/34;H01L29/786;H01L51/40;H01L51/05;H01L51/10
• 代理公司: 北京同達(dá)信恒知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11291
• 代理人: 郭潤(rùn)湘

1.一種薄膜晶體管的制作方法，其特征在于，包括：

在襯底基板之上依次形成柵極、柵極絕緣層以及有源層；

在所述有源層之上形成圖案化的疏水層，其中，所述疏水層包括第一圖案部，所述第一圖案部在所述襯底基板上的正投影與所述有源層的溝道區(qū)在所述襯底基板上的正投影重疊；

在所述疏水層之上形成源極和漏極，所述源極和所述漏極分別位于所述溝道區(qū)的兩側(cè)，與所述有源層接觸。

2.如權(quán)利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述疏水層還包括第二圖案部，所述第二圖案部在所述襯底基板上的正投影與所述有源層的第一區(qū)域在所述襯底基板上的正投影重疊，其中，所述第一區(qū)域?yàn)槲挥谒鰷系绤^(qū)兩側(cè)除用于設(shè)置所述源極和所述漏極以外的其它區(qū)域。

3.如權(quán)利要求1或2所述的制作方法，其特征在于，所述在所述有源層之上形成圖案化的疏水層，具體包括：

在所述有源層之上形成具有第一預(yù)設(shè)厚度的圖案化的光刻膠層，其中，所述光刻膠層的圖案與所述疏水層的圖案相互補(bǔ)；

在圖案化的所述光刻膠層之上形成具有第二預(yù)設(shè)厚度的疏水薄膜，所述第二預(yù)設(shè)厚度小于所述第一預(yù)設(shè)厚度；

通過光刻膠剝離液剝離圖案化的所述光刻膠層，同時(shí)去除所述光刻膠層之上與所述光刻膠層相接觸的所述疏水薄膜，形成圖案化的疏水層。

4.如權(quán)利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述在所述有源層之上形成圖案化的疏水層，具體包括：在所述有源層之上形成圖案化的全氟聚合物疏水層。

5.如權(quán)利要求4所述的制作方法，其特征在于，

所述在襯底基板之上依次形成柵極、柵極絕緣層以及有源層，具體包括：

在襯底基板之上依次形成鋁金屬薄膜、鉬金屬薄膜，并圖案化形成柵極；

在所述柵極之上形成二氧化硅薄膜，并刻蝕成柵極絕緣層；

在所述柵極絕緣層之上形成銦鎵鋅氧化物薄膜，并形成圖案化的有源層；

所述在所述疏水層之上形成源極和漏極，具體包括：在所述疏水層之上依次形成鉬金屬薄膜、鋁金屬薄膜、鉬金屬薄膜，并圖案化形成源極和漏極。

6.如權(quán)利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述在所述有源層之上形成圖案化的疏水層，具體包括：在所述有源層之上形成圖案化的六甲基硅烷疏水層。

7.如權(quán)利要求6所述的制作方法，其特征在于，

所述在襯底基板之上依次形成柵極、柵極絕緣層以及有源層，具體包括：

在襯底基板之上形成石墨烯薄膜，并圖案化形成柵極；

在所述柵極之上形成聚乙烯吡咯烷酮薄膜，并刻蝕形成柵極絕緣層；

在所述柵極絕緣層之上形成并五苯薄膜，并圖案化形成有源層；

所述在圖案化的疏水層之上形成源極和漏極，具體包括：在圖案化的所述疏水層之上形成石墨烯薄膜，并圖案化形成源極和漏極。

8.一種采用如權(quán)利要求1-7任一項(xiàng)所述的制作方法制作的薄膜晶體管，其特征在于，所述薄膜晶體管包括：

依次設(shè)置在襯底基板之上的柵極、柵極絕緣層以及有源層；

設(shè)置在所述有源層之上圖案化的疏水層，其中，所述疏水層包括第一圖案部，所述第一圖案部在所述襯底基板上的正投影與所述有源層的溝道區(qū)在所述襯底基板上的正投影重疊；

設(shè)置在所述疏水層之上的源極和漏極，所述源極和所述漏極分別位于所述溝道區(qū)的兩側(cè)，與所述有源層接觸。

9.如權(quán)利要求8所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述疏水層的材質(zhì)為全氟聚合物或六甲基硅烷。

10.一種陣列基板，其特征在于，包括如權(quán)利要求8所述的薄膜晶體管。