[發(fā)明專利]一種薄膜晶體管、陣列基板及其制備方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201710821855.4
• 申請日: 2017-09-13
• 公開（公告）號: CN107579006B
• 公開（公告）日: 2019-08-06
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 王慶賀;丁錄科;程磊磊;鮑俊;蘇同上;王東方;袁廣才
• 申請（專利權(quán)）人: 京東方科技集團股份有限公司;合肥鑫晟光電科技有限公司
• 主分類號: H01L21/34
• 分類號: H01L21/34;H01L29/786;H01L51/40;H01L51/05;H01L51/10
• 代理公司: 北京同達信恒知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11291
• 代理人: 郭潤湘

本申請?zhí)峁┮环N薄膜晶體管、陣列基板及其制備方法，以改善薄膜晶體管由于有源層易受水氧影響而導(dǎo)致穩(wěn)定性較差的問題。本申請實施例提供一種薄膜晶體管的制作方法，包括：在襯底基板之上依次形成柵極、柵極絕緣層以及有源層；在所述有源層之上形成圖案化的疏水層，其中，所述疏水層包括第一圖案部，所述第一圖案部在所述襯底基板上的正投影與所述有源層的溝道區(qū)在所述襯底基板上的正投影重疊；在所述疏水層之上形成源極和漏極，所述源極和所述漏極分別位于所述溝道區(qū)的兩側(cè)，與所述有源層接觸。

技術(shù)領(lǐng)域

本申請涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種薄膜晶體管、陣列基板及其制備方法。

背景技術(shù)

平面顯示器(F1at Pane1 Disp1ay，F(xiàn)PD)己成為市場上的主流產(chǎn)品，平面顯示器的種類也越來越多，如液晶顯示器(Liquid Crysta1 Disp1ay，LCD)、有機發(fā)光二極管(Organic Light Emitted Diode，OLED)顯示器、等離子體顯示面板(P1asma Disp1ayPane1，PDP)及場發(fā)射顯示器(Field Emission Display，F(xiàn)ED)等。

而作為FPD產(chǎn)業(yè)核心技術(shù)的薄膜晶體管(Thin Film Transistor，TFT)背板技術(shù)，也在經(jīng)歷著深刻的變革。但是，由于薄膜晶體管的有源層一般為半導(dǎo)體，容易受環(huán)境中水氧的影響，進而導(dǎo)致薄膜晶體管在實際驅(qū)動顯示器件的過程中，容易出現(xiàn)不穩(wěn)定的現(xiàn)象，進而導(dǎo)致顯示器件出現(xiàn)顯示不良的問題。

發(fā)明內(nèi)容

本申請?zhí)峁┮环N薄膜晶體管、陣列基板及其制備方法，以解決現(xiàn)有技術(shù)中的薄膜晶體管由于有源層受水氧影響而導(dǎo)致穩(wěn)定性較差的問題。

本申請實施例提供一種薄膜晶體管的制作方法，包括：

在襯底基板之上依次形成柵極、柵極絕緣層以及有源層；

在所述有源層之上形成圖案化的疏水層，其中，所述疏水層包括第一圖案部，所述第一圖案部在所述襯底基板上的正投影與所述有源層的溝道區(qū)在所述襯底基板上的正投影重疊；

在所述疏水層之上形成源極和漏極，所述源極和所述漏極分別位于所述溝道區(qū)的兩側(cè)，與所述有源層接觸。

優(yōu)選的，所述疏水層還包括第二圖案部，所述第二圖案部在所述襯底基板上的正投影與所述有源層的第一區(qū)域在所述襯底基板上的正投影重疊，其中，所述第一區(qū)域為位于所述溝道區(qū)兩側(cè)除用于設(shè)置所述源極和所述漏極以外的其它區(qū)域。

優(yōu)選的，所述在所述有源層之上形成圖案化的疏水層，具體包括：

在所述有源層之上形成具有第一預(yù)設(shè)厚度的圖案化的光刻膠層，其中，所述光刻膠層的圖案與所述疏水層的圖案相互補；

在圖案化的所述光刻膠層之上形成具有第二預(yù)設(shè)厚度的疏水薄膜，所述第二預(yù)設(shè)厚度小于所述第一預(yù)設(shè)厚度；

通過光刻膠剝離液剝離圖案化的所述光刻膠層，同時去除所述光刻膠層之上與所述光刻膠層相接觸的所述疏水薄膜，形成圖案化的所述疏水層。

優(yōu)選的，所述在所述有源層之上形成圖案化的疏水層，具體包括：

在所述有源層之上形成圖案化的全氟聚合物疏水層。

優(yōu)選的，所述在襯底基板之上依次形成柵極、柵極絕緣層以及有源層，具體包括：

在襯底基板之上形成鋁/鉬金屬薄膜，并圖案化形成柵極；

在所述柵極之上形成二氧化硅薄膜，并刻蝕形成柵極絕緣層；

在所述柵極絕緣層之上形成銦鎵鋅氧化物薄膜，并形成圖案化的有源層；

所述在所述疏水層之上形成源極和漏極，具體包括：在所述疏水層之上形成鉬/鋁/鉬金屬薄膜，并圖案化形成源極和漏極。