[發明專利]包括傳熱塊的半導體封裝及其制造方法

在審

• 申請號: 201710820887.2
• 申請日: 2017-09-13
• 公開（公告）號: CN108206178A
• 公開（公告）日: 2018-06-26
• 發明（設計）人: 成基俊;鄭來亨
• 申請（專利權）人: 愛思開海力士有限公司
• 主分類號: H01L25/18
• 分類號: H01L25/18;H01L23/367;H01L23/373;H01L23/31;H01L21/98
• 代理公司: 北京三友知識產權代理有限公司 11127
• 代理人: 李輝;劉久亮

包括傳熱塊的半導體封裝及其制造方法。可提供一種半導體封裝。該半導體封裝可包括設置在互連層上的第一半導體芯片和第二半導體芯片。該半導體封裝可包括設置在所述第一半導體芯片與所述第二半導體芯片之間以安裝在所述互連層上的傳熱塊。還提供了相關方法。

技術領域

本公開的實施方式可總體涉及半導體封裝，更具體地，涉及與傳熱塊(heattransferring block)有關的半導體封裝及其制造方法。

背景技術

在電子產業中，隨著小型電子系統或產品的多功能和更大存儲容量的發展，對包括多個半導體器件的單個統一封裝的需求不斷增加。單個統一封裝可被設計為減小其總尺寸并具有各種功能。單個統一封裝可被實現為包括具有不同功能的多個半導體芯片。這被用于一次處理大量數據。

已經提出系統級封裝(SIP)來提供單個統一封裝。例如，許多努力致力于將至少一個應用處理器芯片和至少一個存儲芯片集成在單個SIP中。如果在單個SIP中包括應用處理器芯片(例如，微處理器芯片)和存儲芯片，則在單個SIP操作的同時可能在單個SIP中產生大量熱量。因此，已經提出各種技術來有效地散發來自單個SIP的熱量。

發明內容

根據實施方式，可提供一種半導體封裝。該半導體封裝可包括設置在互連層上的第一半導體芯片和第二半導體芯片。該半導體封裝可包括設置在所述第一半導體芯片與所述第二半導體芯片之間以安裝在所述互連層上的傳熱塊。

根據實施方式，可提供一種半導體封裝。該半導體封裝可包括：第一半導體芯片和第二半導體芯片，所述第一半導體芯片和所述第二半導體芯片設置在互連層上并且彼此橫向間隔開；傳熱塊，所述傳熱塊設置在所述第一半導體芯片和所述第二半導體芯片之間以安裝在所述互連層上；密封劑(encapsulant)，所述密封劑填充所述傳熱塊與所述第一半導體芯片之間和所述傳熱塊與所述第二半導體芯片之間的空間并且覆蓋所述第一半導體芯片和所述第二半導體芯片的側壁；以及散熱層，所述散熱層連接至所述傳熱塊的與所述互連層相反的頂表面并且延伸以覆蓋所述密封劑的頂表面。所述傳熱塊可以被構造為減小施加到所述半導體封裝的熱應力。

根據實施方式，一種半導體封裝可包括：第一半導體芯片和第二半導體芯片，所述第一半導體芯片和所述第二半導體芯片設置在互連層上并且彼此橫向間隔開以容納散熱圖案；傳熱塊，所述傳熱塊設置在所述第一半導體芯片與所述第二半導體芯片之間，以安裝在所述互連層上并聯接至所述散熱圖案；密封劑，所述密封劑填充所述傳熱塊與所述第一半導體芯片之間和所述傳熱塊與所述第二半導體芯片之間的空間并且覆蓋所述第一半導體芯片和所述第二半導體芯片的側壁；以及散熱層，所述散熱層連接至所述傳熱塊的與所述互連層相反的頂表面，并延伸以覆蓋所述密封劑的頂表面。

根據實施方式，一種半導體封裝可包括：第一半導體芯片和第二半導體芯片，所述第一半導體芯片和所述第二半導體芯片設置在互連層上并彼此間隔開；傳熱塊，所述傳熱塊設置在所述第一半導體芯片與所述第二半導體芯片之間并且通過粘合層結合至所述互連層；密封劑，所述密封劑填充所述傳熱塊與所述第一半導體芯片之間和所述傳熱塊與所述第二半導體芯片之間的空間并且覆蓋所述第一半導體芯片和所述第二半導體芯片的側壁；以及散熱層，所述散熱層連接至所述傳熱塊的與所述互連層相反的頂表面并且延伸以覆蓋所述密封劑的頂表面。所述粘合層將所述互連層結合至所述傳熱塊的底表面。

根據實施方式，可提供一種制造半導體封裝的方法。該方法可包括以下步驟：在載體上形成互連層；在所述互連層上設置彼此間隔開的第一半導體芯片和第二半導體芯片；在所述第一半導體芯片與所述第二半導體芯片之間的所述互連層上設置傳熱塊；形成密封劑，所述密封劑填充所述傳熱塊與所述第一半導體芯片之間和所述傳熱塊與第二半導體芯片之間的空間并且覆蓋所述第一半導體芯片和所述第二半導體芯片的側壁；以及形成散熱層，所述散熱層連接至所述傳熱塊的與所述互連層相反的頂表面。所述散熱層延伸以覆蓋所述密封劑的頂表面。所述傳熱塊可以被構造為減小施加到所述半導體封裝的熱應力。