[發明專利]包括傳熱塊的半導體封裝及其制造方法

在審

• 申請號: 201710820887.2
• 申請日: 2017-09-13
• 公開（公告）號: CN108206178A
• 公開（公告）日: 2018-06-26
• 發明（設計）人: 成基俊;鄭來亨
• 申請（專利權）人: 愛思開海力士有限公司
• 主分類號: H01L25/18
• 分類號: H01L25/18;H01L23/367;H01L23/373;H01L23/31;H01L21/98
• 代理公司: 北京三友知識產權代理有限公司 11127
• 代理人: 李輝;劉久亮

1.一種半導體封裝，該半導體封裝包括：

第一半導體芯片和第二半導體芯片，所述第一半導體芯片和所述第二半導體芯片設置在互連層上并且彼此橫向間隔開；

傳熱塊，所述傳熱塊設置在所述第一半導體芯片和所述第二半導體芯片之間以安裝在所述互連層上；

密封劑，所述密封劑填充所述傳熱塊與所述第一半導體芯片之間和所述傳熱塊與所述第二半導體芯片之間的空間并且覆蓋所述第一半導體芯片和所述第二半導體芯片的側壁；以及

散熱層，所述散熱層連接至所述傳熱塊的與所述互連層相反的頂表面并且延伸以覆蓋所述密封劑的頂表面，

其中，所述傳熱塊被構造為減小施加到所述半導體封裝的熱應力。

2.根據權利要求1所述的半導體封裝，

其中，所述傳熱塊被構造成通過包括塊主體來減小施加到所述半導體封裝的熱應力，所述塊主體包括熱導率高于所述密封劑的材料的熱導率的材料。

3.根據權利要求1所述的半導體封裝，

其中，所述傳熱塊包括塊主體，并且

其中，所述傳熱塊被構造為通過利用塊主體的體積減少所述密封劑的總量來減小施加到所述半導體封裝的熱應力。

4.根據權利要求1所述的半導體封裝，

其中，所述傳熱塊包括塊主體，并且

其中，所述傳熱塊被構造為通過包括塊主體來減小施加到所述半導體封裝的熱應力，所述塊主體的熱膨脹系數基本等于所述第一半導體芯片和所述第二半導體芯片的熱膨脹系數。

5.根據權利要求1所述的半導體封裝，

其中，所述傳熱塊被構造為通過包括以下材料來減小施加到所述半導體封裝的熱應力，所述材料被構造為抑制由于塊主體與所述第一半導體芯片和所述第二半導體芯片的熱膨脹系數之間的差異所引起的熱應力而在所述半導體封裝中產生的缺陷。

6.根據權利要求1所述的半導體封裝，

其中，所述傳熱塊包括塊主體，并且

其中，所述傳熱塊被構造為通過包括具有半導體材料的塊主體來減小施加到所述半導體封裝的熱應力。

7.根據權利要求1所述的半導體封裝，其中，所述傳熱塊包括：

塊主體，所述塊主體被構造為具有面向所述散熱層的頂表面和面向所述互連層的底表面；以及

多個通孔，所述多個通孔穿透所述塊主體，

其中，所述多個通孔的上端暴露在所述塊主體的頂表面處，并且所述多個通孔的下端暴露在所述塊主體的底表面處。

8.根據權利要求7所述的半導體封裝，其中，所述塊主體具有硅裸片的形狀。

9.根據權利要求7所述的半導體封裝，其中，所述塊主體具有在與所述第一半導體芯片和所述第二半導體芯片所排列的方向基本垂直的方向上比所述第一半導體芯片的寬度和所述第二半導體芯片的寬度大的寬度。

10.根據權利要求7所述的半導體封裝，其中，所述多個通孔包括熱導率比所述塊主體的熱導率高的材料。

11.根據權利要求7所述的半導體封裝，其中，所述多個通孔包括金屬材料。

12.根據權利要求11所述的半導體封裝，其中，所述多個通孔包括銅材料。