[發(fā)明專利]一種二維層狀CoMoS4納米片為超級(jí)電容器電極材料的制備方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201710819552.9
• 申請(qǐng)日: 2017-09-12
• 公開（公告）號(hào): CN107342174A
• 公開（公告）日: 2017-11-10
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 方林霞;邱艷;吳云云;王凡
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 信陽(yáng)師范學(xué)院
• 主分類號(hào): H01G11/86
• 分類號(hào): H01G11/86;H01G11/24;H01G11/30
• 代理公司: 鄭州科維專利代理有限公司41102
• 代理人: 趙繼福

1.一種二維層狀CoMoS₄納米片為超級(jí)電容器電極材料的制備方法,其特征在于，包括以下步驟：(1) 將六水合氯化鈷、四水合鉬酸銨、硫脲和去離子水按比例配制成前驅(qū)體溶液；(2) 將步驟(1)所得前驅(qū)體溶液加入反應(yīng)釜內(nèi)膽中,攪拌混勻；(3) 將步驟(2)中反應(yīng)釜內(nèi)膽放入不銹鋼反應(yīng)釜內(nèi)中,密封,然后進(jìn)行水熱反應(yīng)。

2.(4)水熱反應(yīng)完成后自然冷卻，取出生成物，離心，洗滌，干燥，即得。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種二維層狀CoMoS₄納米片為超級(jí)電容器電極材料的制備方法，其特征在于，所述步驟(1)中六水合氯化鈷與四水合鉬酸銨摩爾比為2:1。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種二維層狀CoMoS₄納米片為超級(jí)電容器電極材料的制備方法，其特征在于：具體物料用量為：1 mM四水合鉬酸銨，2 mM六水合氯化鈷， 2 mM硫脲和40 mL水。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種二維層狀CoMoS₄納米片為超級(jí)電容器電極材料的制備方法,其特征在于：所述步驟(1)中前驅(qū)體溶液中,六水合氯化鈷與四水合鉬酸銨的濃度均為1 mM-10 mM。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種二維層狀CoMoS₄納米片為超級(jí)電容器電極材料的制備方法,其特征在于：所述步驟(3)中水熱反應(yīng)溫度為140-160 °С，時(shí)間為6-8 h。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種一種二維層狀CoMoS₄納米片為超級(jí)電容器電極材料的制備方法,其特征在于：所述步驟(4)中洗滌為先去離子水洗滌3-5次，再用無水乙醇洗滌3-5次。

8.干燥溫度為60 °С-80 °С，干燥時(shí)間為10 h-12 h。