[發明專利]TFT基板減薄方法

在審

• 申請號: 201710819512.4
• 申請日: 2017-09-12
• 公開（公告）號: CN109485262A
• 公開（公告）日: 2019-03-19
• 發明（設計）人: 吳偉
• 申請（專利權）人: 南昌歐菲生物識別技術有限公司
• 主分類號: C03C15/00
• 分類號: C03C15/00;G06K9/00
• 代理公司: 廣州華進聯合專利商標代理有限公司 44224
• 代理人: 吳平

1.一種TFT基板減薄方法，包括：

提供TFT基板；

對所述TFT基板的玻璃基板進行蝕刻；

判斷所述TFT基板的厚度減到適用于超聲波指紋識別模組的厚度時，停止所述蝕刻操作。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述對所述TFT基板的玻璃基板進行蝕刻的步驟為：

對所述TFT基板的玻璃基板利用化學物質進行蝕刻。

3.根據權利要求2所述的方法，其特征在于，所述化學物質為氫氟酸。

4.根據權利要求2所述的方法，其特征在于，所述對所述TFT基板的玻璃基板利用化學物質進行蝕刻的步驟包括：

在所述TFT基板的電路表面覆蓋一層保護膜；所述保護膜用于避免所述電路被所述化學物質蝕刻；

將覆蓋有所述保護膜的TFT基板放置于盛有所述化學物質的裝置中，以使得所述玻璃基板被所述化學物質蝕刻；

并且，在判斷所述TFT基板的厚度減到適用于超聲波指紋識別模組的厚度時，停止所述蝕刻操作之后，所述方法還包括：

將所述保護膜去除。

5.根據權利要求4所述的方法，其特征在于，所述保護膜為UV膜。

6.根據權利要求5所述的方法，其特征在于，在所述TFT基板的電路表面覆蓋一層保護膜的步驟之前，所述對所述TFT基板的玻璃基板利用化學物質進行蝕刻的步驟還包括：

在所述TFT基板的電路表面的有效顯示區域貼一層靜電紙。

7.根據權利要求5所述的方法，其特征在于，所述將所述保護膜去除的步驟包括：

利用真空平臺將蝕刻完成后的所述TFT基板吸附起來，并使得所述保護膜裸露在外；

利用紫外線對所述保護膜進行照射，并在照射完成后將所述保護膜撕除。

8.根據權利要求4至7中任一項權利要求所述的方法，其特征在于，在所述將覆蓋有所述保護膜的TFT基板放置于盛有所述化學物質的裝置中，以使得所述玻璃基板被所述化學物質蝕刻的步驟之前，所述對所述TFT基板的玻璃基板利用化學物質進行蝕刻的步驟還包括：

對覆蓋有所述保護膜的TFT基板進行脫泡處理，以去掉所述保護膜與所述TFT基板之間的氣泡。

9.根據權利要求1至7中任一項權利要求所述的方法，其特征在于，判斷所述TFT基板的厚度減到適用于超聲波指紋識別模組的厚度時，停止所述蝕刻操作的步驟包括：

利用長度測量工具實時檢測所述TFT基板的厚度；

根據所述長度測量工具測量的數據判斷所述TFT基板的厚度減到適用于超聲波指紋識別模組的厚度時，停止所述蝕刻操作。

10.根據權利要求2至7中任一項權利要求所述的方法，其特征在于，在判斷所述TFT基板的厚度減到適用于超聲波指紋識別模組的厚度時，停止所述蝕刻操作的步驟之后，所述方法還包括：

對減薄后的所述TFT基板進行清洗，以去除殘留在所述TFT基板上的所述化學物質。