[發(fā)明專利]薄膜晶體管及制備方法、陣列基板及顯示裝置

有效

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• 申請日: 2017-09-11
• 公開（公告）號: CN107579005B
• 公開（公告）日: 2020-03-17
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 汪建國;李海旭
• 申請（專利權(quán)）人: 京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: H01L21/34
• 分類號: H01L21/34;H01L29/06;H01L29/786
• 代理公司: 北京同達(dá)信恒知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11291
• 代理人: 郭潤湘

本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，公開了一種薄膜晶體管及制備方法、陣列基板及顯示裝置，該薄膜晶體管的制備方法包括在襯底基板上通過構(gòu)圖工藝形成遮光層圖案和有源層圖案，其中，有源層圖案位于遮光層圖案背離襯底基板的一側(cè)，遮光層圖案的材料為樹脂；在有源層圖案上形成柵絕緣層，柵極圖案，層間絕緣層和源漏電極。該方式不僅減少了工藝步驟，節(jié)省了成本，而且減少了遮光層圖案與源漏電極之間的電容和感應(yīng)電荷，從而提高了使用該方法制成的陣列基板的薄膜晶體管的穩(wěn)定性和偏壓信賴性。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種薄膜晶體管及陣列基板及制備方法、顯示裝置。

背景技術(shù)

薄膜晶體管(Thin Film Transistor，簡稱TFT)的結(jié)構(gòu)主要包括頂柵結(jié)構(gòu)和底柵結(jié)構(gòu)。對于頂柵結(jié)構(gòu)的TFT液晶顯示器陣列基板，在半導(dǎo)體層的下方形成有作為半導(dǎo)體層的光學(xué)保護(hù)層的遮光層圖形，以防止因背光源發(fā)出的光照射到半導(dǎo)體層、產(chǎn)生光生載流子從而破壞半導(dǎo)體層的電學(xué)特性。

而且，現(xiàn)在采用直接在基板上沉積遮光層來阻止背光源發(fā)出的光照射到半導(dǎo)體層上，這樣會增加一次構(gòu)圖工藝，增加成本。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明提供了薄膜晶體管及制備方法、陣列基板及顯示裝置，上述薄膜晶體管的制備方法通過改進(jìn)工藝方案，減少了工藝步驟，利于增強使用該方法制成的陣列基板的薄膜晶體管的穩(wěn)定性和偏壓信賴性。

為達(dá)到上述目的，本發(fā)明提供以下技術(shù)方案：

一種薄膜晶體管的制備方法，包括：

在襯底基板上通過構(gòu)圖工藝形成遮光層圖案和有源層圖案，其中，所述有源層圖案位于所述遮光層圖案背離所述襯底基板的一側(cè)，所述遮光層圖案的材料為樹脂；

在所述有源層圖案上形成柵絕緣層，柵極圖案，層間絕緣層和源漏電極。

上述薄膜晶體管的制備方法中，在襯底基板上通過構(gòu)圖工藝形成遮光層圖案和有源層圖案，且在有源層圖案上形成柵絕緣層，柵極圖案，層間絕緣層和源漏電極。由于有源層圖案位于遮光層圖案背離襯底基板的一側(cè)，且遮光層圖案的材料為樹脂，即遮光層圖案的材料不是導(dǎo)體，從而并不需要在遮光層圖案和有源層圖案間設(shè)置緩沖層使二者分隔。該方式不僅減少了工藝步驟，節(jié)省了成本，而且減少了遮光層圖案與源漏電極之間的電容和感應(yīng)電荷，從而提高了使用該方法制成的陣列基板的薄膜晶體管的穩(wěn)定性和偏壓信賴性。

因此，上述薄膜晶體管的制備方法通過改進(jìn)工藝方案，減少了工藝步驟，利于增強使用該方法制成的陣列基板的薄膜晶體管的穩(wěn)定性和偏壓信賴性。

優(yōu)選地，在所述襯底基板上形成遮光層圖案和有源層圖案的構(gòu)圖工藝為一次構(gòu)圖工藝。

優(yōu)選地，所述遮光層圖案的材料為感光型樹脂，所述在所述襯底基板上形成遮光層圖案和有源層圖案的構(gòu)圖工藝，包括：

在所述襯底基板上涂覆感光型樹脂材料，經(jīng)過軟烘工藝形成遮光薄膜；

在所述遮光薄膜上形成有源層前驅(qū)體薄膜；

對所述遮光層薄膜以及所述有源層前驅(qū)體薄膜進(jìn)行曝光顯影、燒結(jié)固化，形成所述遮光層圖案和有源層圖案。

優(yōu)選地，所述在所述遮光薄膜上形成有源層前驅(qū)體薄膜，包括:

在所述遮光薄膜表面涂布乙酰丙酮銦溶液，形成乙酰丙酮銦薄膜；

將水合硝酸鎵、氯化鋅化學(xué)活性組分在有機溶劑中溶解形成溶液、涂覆于所述乙酰丙酮銦薄膜，并通過曝光形成進(jìn)行銦鎵鋅氧化物前驅(qū)體的薄膜。

優(yōu)選地，所述在所述有源層圖案上形成柵絕緣層，柵極圖案，層間絕緣層和源漏電極，包括：