[發明專利]薄膜晶體管及制備方法、陣列基板及顯示裝置

有效

• 申請號: 201710813421.X
• 申請日: 2017-09-11
• 公開（公告）號: CN107579005B
• 公開（公告）日: 2020-03-17
• 發明（設計）人: 汪建國;李海旭
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: H01L21/34
• 分類號: H01L21/34;H01L29/06;H01L29/786
• 代理公司: 北京同達信恒知識產權代理有限公司 11291
• 代理人: 郭潤湘

1.一種薄膜晶體管的制備方法，其特征在于，包括：

在襯底基板上通過構圖工藝形成遮光層圖案和有源層圖案，其中，所述有源層圖案位于所述遮光層圖案背離所述襯底基板的一側，所述遮光層圖案的材料為樹脂；

在所述有源層圖案上形成柵絕緣層，柵極圖案，層間絕緣層和源漏電極；

在所述襯底基板上形成遮光層圖案和有源層圖案的構圖工藝為一次構圖工藝；

所述遮光層圖案的材料為感光型樹脂，所述在所述襯底基板上形成遮光層圖案和有源層圖案的構圖工藝，包括：

在所述襯底基板上涂覆感光型樹脂材料，經過軟烘工藝形成遮光薄膜；

在所述遮光薄膜上形成有源層前驅體薄膜；

對所述遮光層薄膜以及所述有源層前驅體薄膜進行曝光顯影、燒結固化，形成所述遮光層圖案和有源層圖案。

2.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述在所述遮光薄膜上形成有源層前驅體薄膜，包括:

在所述遮光薄膜表面涂布乙酰丙酮銦溶液，形成乙酰丙酮銦薄膜；

將水合硝酸鎵、氯化鋅化學活性組分在有機溶劑中溶解形成溶液、涂覆于所述乙酰丙酮銦薄膜，并通過曝光形成進行銦鎵鋅氧化物前驅體的薄膜。

3.根據權利要求1或2所述的制備方法，其特征在于，所述在所述有源層圖案上形成柵絕緣層，柵極圖案，層間絕緣層和源漏電極，包括：

在所述柵絕緣層上形成柵極金屬層，采用光刻工藝對所述柵極金屬層進行刻蝕，形成所述柵極圖案，通過等離子刻蝕處理，使沒有被所述柵極圖案覆蓋的所述有源層圖案部分導體化形成導體區；

在所述柵極圖案上形成層間絕緣層，在所述層間絕緣層上形成過孔；

在所述層間絕緣層上形成源漏電極金屬層，并通過構圖工藝形成源漏電極圖案，所述源漏電極圖案通過所述過孔與所述有源層圖案電連接。

4.一種薄膜晶體管，其特征在于，包括：

設置在襯底基板上的遮光層圖案和有源層圖案，其中，所述有源層圖案位于所述遮光層圖案背離所述襯底基板的一側，所述遮光層圖案的材料為樹脂；

所述薄膜晶體管還包括設于所述有源層圖案背離所述襯底基板一側的柵絕緣層、柵極圖案、層間絕緣層和源漏電極，其中：

所述有源層圖案的材料為銦鎵鋅氧化物或銦錫鋅氧化物；和/或,

所述層間絕緣層的制備材料為氮化錫，且所述層間絕緣層的厚度為300-400nm；和/或,

所述源漏電極的制備材料為金屬鉬、金屬鋁或金屬銅，且所述源漏電極的厚度為200-300nm。

5.一種陣列基板，其特征在于，包括如權利要求4所述的薄膜晶體管。

6.一種顯示裝置，其特征在于，包括如權利要求5所述的陣列基板。