[發明專利]一種利于均勻腐蝕的挖溝槽槽體

在審

• 申請號: 201710806305.5
• 申請日: 2017-09-08
• 公開（公告）號: CN109473375A
• 公開（公告）日: 2019-03-15
• 發明（設計）人: 齊風;甄輝;王彥君;孫晨光;徐長坡;陳澄;梁效峰;楊玉聰;王曉捧;王宏宇;徐艷超
• 申請（專利權）人: 天津環鑫科技發展有限公司
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67
• 代理公司: 天津諾德知識產權代理事務所(特殊普通合伙) 12213
• 代理人: 欒志超

一種利于均勻腐蝕的挖溝槽槽體，包括藥液槽，所述藥液槽內部設有旋轉裝置；所述藥液槽底部設有藥液槽進液系統；所述藥液槽外部設有循環冷卻系統，所述循環冷卻系統的進口與所述藥液槽連接；所述循環冷卻系統的出口與循環泵浦連接，所述循環泵浦與所述藥液槽進液系統連接；所述循環冷卻系統與設置在所述藥液槽旁邊的冷水機組冷卻連接。本申請的有益效果是：通過藥液的外部循環和冷卻，保證了藥液濃度的均勻性以及藥液溫度的均勻性；硅片旋轉裝置的設計，可以使先進入藥液進行腐蝕的硅片先被取出，從而保證了各個硅片腐蝕時間的一致，刻蝕深度更均勻，減少刻蝕深度的極差。

技術領域

本申請屬于硅片濕法刻蝕技術領域，具體地說，涉及一種利于均勻腐蝕的挖溝槽槽體。

背景技術

GPP是Glassivation passivation parts的縮寫，是玻璃鈍化類器件的統稱。該產品就是在現有產品普通硅整流擴散片的基礎上對擬分割的管芯P/N結面四周燒制一層玻璃，玻璃與單晶硅有很好的結合特性，使P/N結獲得最佳的保護，免受外界環境的侵擾，提高器件的穩定性，信賴性極佳。

而半導體硅片刻蝕工藝是半導體器件制作過程中的重要工藝。硅片在經過光刻、顯影等工藝流程后進行濕法刻蝕。為滿足產品品質需要，要求刻蝕形成的溝槽深度具備均勻性，片內、片間及批次間的溝槽深度級差均控制在7μm之內。目前影響刻蝕深度的因素有：1、刻蝕槽腐蝕藥液的濃度均勻性；2、刻蝕槽腐蝕藥液的溫度均勻性；3、硅片與藥液接觸時間的均勻性。為滿足半導體產品對刻蝕深度的級差要求就需要設計人員兼顧考慮以上三點因素。

目前市面上的半導體濕法刻蝕設備絕大多數采用靜止冷卻槽加高速機械抖動的方式進行刻蝕工藝，其存在以下缺點：

1、靜止槽中缺少藥液循環，僅憑機械手抖動攪拌藥液難以使藥液均勻；

2、靜止槽中僅依靠四周內置冷盤管控制藥液溫度會造成熱場的不均勻，溫度的偏差會直接影響片內的刻蝕深度級差；

3、傳統的槽體設備，硅片在藥液槽中無旋轉等動作，造成硅片底部先進后出，片底部的槽刻蝕深度比片頂部要深，影響刻蝕深度級差。

發明內容

有鑒于此，本申請所要解決的技術問題是提供一種利于均勻腐蝕的挖溝槽槽體，能夠使藥液的濃度、溫度均勻，還能使不同位置的硅片刻蝕時間一致，避免因藥液濃度、溫度的不均勻以及刻蝕時間的不同對刻蝕均勻性造成的不良影響。

為了解決上述技術問題，本申請公開了一種利于均勻腐蝕的挖溝槽槽體，并采用以下技術方案來實現。

一種利于均勻腐蝕的挖溝槽槽體，包括藥液槽，所述藥液槽內部設有旋轉裝置；所述藥液槽底部設有藥液槽進液系統；所述藥液槽外部設有循環冷卻系統，所述循環冷卻系統的進口與所述藥液槽連接；所述循環冷卻系統的出口與循環泵浦連接，所述循環泵浦與所述藥液槽進液系統連接；所述循環冷卻系統與設置在所述藥液槽旁邊的冷水機組冷卻連接。

進一步的，所述循環泵浦與所述藥液槽進液系統之間設有循環過濾器。

進一步的，所述循環冷卻系統包括一個冷卻槽；所述冷卻槽與所述藥液槽相連；所述冷卻槽內均勻設有冷水管路，所述冷水管路的進口和出口均與所述冷水機組相連。

進一步的，所述藥液槽進液系統的頂部設有均勻的進液孔。

進一步的，所述藥液槽的四周內壁上設有藥液槽冷卻系統，所述藥液槽冷卻系統與所述冷水機組相連。

進一步的，所述藥液槽冷卻系統包括若干冷卻盤，所述冷卻盤由冷卻盤管路構成，所述冷卻盤管路的入口和出口均與所述冷水機組相連。