[發(fā)明專利]一種MRAM芯片的物理不可克隆函數(shù)生成方法及裝置在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201710805331.6 | 申請日： | 2017-09-08 |
| 公開（公告）號： | CN109472169A | 公開（公告）日： | 2019-03-15 |
| 發(fā)明（設計）人： | 簡紅;蔣信 | 申請（專利權）人： | 中電海康集團有限公司 |
| 主分類號： | G06F21/73 | 分類號： | G06F21/73;G11C11/16 |
| 代理公司： | 杭州君度專利代理事務所(特殊普通合伙) 33240 | 代理人： | 楊天嬌 |
| 地址： | 311121 浙江省杭州*** | 國省代碼： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 芯片 物理不可克隆函數(shù) 參考位元 磁性隧道結(jié) 邏輯狀態(tài)圖 電阻 位元 初始化模塊 比較模塊 記錄比較 生成模塊 選擇模塊 成正比 預設 | ||
1.一種MRAM芯片的物理不可克隆函數(shù)生成方法，其特征在于，所述方法包括：
將MRAM芯片初始化為低阻態(tài)或高阻態(tài)；
從MRAM芯片中選擇任意一個磁性隧道結(jié)MTJ位元作為參考位元；
依次將MRAM芯片中預設數(shù)量的其他磁性隧道結(jié)MTJ位元的電阻與參考位元的電阻進行比較，記錄比較結(jié)果，生成邏輯狀態(tài)圖；
利用所述邏輯狀態(tài)圖生成MRAM芯片的物理不可克隆函數(shù)PUF。
2.如權利要求1所述的MRAM芯片的物理不可克隆函數(shù)生成方法，其特征在于，所述MRAM芯片的物理不可克隆函數(shù)生成方法，還包括：
從MRAM芯片中選取另一個磁性隧道結(jié)MTJ位元作為參考位元；
依次將MRAM芯片中預設數(shù)量的其他磁性隧道結(jié)MTJ位元的電阻與參考位元的電阻進行比較，記錄比較結(jié)果，生成邏輯狀態(tài)圖；
利用所述邏輯狀態(tài)圖生成MRAM芯片的物理不可克隆函數(shù)。
3.如權利要求1或2所述的MRAM芯片的物理不可克隆函數(shù)生成方法，其特征在于，所述依次將MRAM芯片中預設數(shù)量的其他磁性隧道結(jié)MTJ位元的電阻與參考位元的電阻進行比較，記錄比較結(jié)果，生成邏輯狀態(tài)圖，包括：
從MRAM芯片中預設數(shù)量的其他磁性隧道結(jié)MTJ位元中選擇一個磁性隧道結(jié)MTJ位元作為待比較的磁性隧道結(jié)MTJ位元；
打開與參考位元磁性隧道結(jié)MTJ位元連接的MOS開關管，以及與待比較的磁性隧道結(jié)MTJ位元連接的MOS開關管，將磁性隧道結(jié)MTJ位元和待比較的磁性隧道結(jié)MTJ位元連接到靈敏放大器的兩個輸入端；
根據(jù)靈敏放大器的輸出生成待比較的磁性隧道結(jié)MTJ位元對應的邏輯狀態(tài)；
依次遍歷MRAM芯片中預設數(shù)量的其他磁性隧道結(jié)MTJ位元，生成邏輯狀態(tài)圖。
4.如權利要求1所述的MRAM芯片的物理不可克隆函數(shù)生成方法，其特征在于，所述物理不可克隆函數(shù)的激勵為參考位元地址，所述物理不可克隆函數(shù)的響應為與該參考位元對應的邏輯狀態(tài)圖。
5.如權利要求4所述的MRAM芯片的物理不可克隆函數(shù)生成方法，其特征在于，所述邏輯狀態(tài)圖包括每一個磁性隧道結(jié)MTJ位元的地址。
6.一種MRAM芯片的物理不可克隆函數(shù)生成裝置，其特征在于，所述裝置包括：
初始化模塊，用于將MRAM芯片初始化為低阻態(tài)或高阻態(tài)；
參考位元選擇模塊，用于從MRAM芯片中選擇任意一個磁性隧道結(jié)MTJ位元作為參考位元；
比較模塊，用于依次將MRAM芯片中預設數(shù)量的其他磁性隧道結(jié)MTJ位元的電阻與參考位元的電阻進行比較，記錄比較結(jié)果，生成邏輯狀態(tài)圖；
PUF生成模塊，用于利用所述邏輯狀態(tài)圖生成MRAM芯片的物理不可克隆函數(shù)PUF。
7.如權利要求6所述的MRAM芯片的物理不可克隆函數(shù)生成裝置，其特征在于，所述參考位元選擇模塊，還用于從MRAM芯片中選取另一個磁性隧道結(jié)MTJ位元作為參考位元；則：
比較模塊，還用于依次將MRAM芯片中預設數(shù)量的其他磁性隧道結(jié)MTJ位元的電阻與參考位元的電阻進行比較，記錄比較結(jié)果，生成邏輯狀態(tài)圖；
PUF生成模塊，還用于利用所述邏輯狀態(tài)圖生成MRAM芯片的物理不可克隆函數(shù)。
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