[發(fā)明專利]半導(dǎo)體裝置及半導(dǎo)體封裝在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201710804579.0 | 申請(qǐng)日: | 2017-09-08 |
| 公開(公告)號(hào): | CN109309063A | 公開(公告)日: | 2019-02-05 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 莊立樸;普翰屏;潘信瑜;許森貴 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L23/367 | 分類號(hào): | H01L23/367;H01L23/467;H01L23/485;H01L21/60 |
| 代理公司: | 南京正聯(lián)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 32243 | 代理人: | 顧伯興 |
| 地址: | 中國臺(tái)灣新竹科*** | 國省代碼: | 中國臺(tái)灣;71 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 導(dǎo)電性通孔 導(dǎo)熱性 保護(hù)層 接墊 通孔 連接圖案 管芯 半導(dǎo)體封裝 半導(dǎo)體裝置 延伸穿過 | ||
1.一種半導(dǎo)體裝置,其特征在于,包括:
管芯,包括多個(gè)第一接墊及多個(gè)第二接墊;
保護(hù)層,設(shè)置在所述管芯上;
多個(gè)第一導(dǎo)電性通孔及多個(gè)第二導(dǎo)電性通孔,延伸穿過所述保護(hù)層并分別接觸所述第一接墊及所述第二接墊;
多個(gè)導(dǎo)熱性通孔,設(shè)置在所述保護(hù)層之上,其中所述導(dǎo)熱性通孔中的每一個(gè)與所述第一導(dǎo)電性通孔及所述第二導(dǎo)電性通孔間隔開;以及
連接圖案,設(shè)置在所述保護(hù)層上且連接所述導(dǎo)熱性通孔及所述第一導(dǎo)電性通孔,其中所述導(dǎo)熱性通孔通過所述連接圖案及所述第一導(dǎo)電性通孔連接到所述第一接墊。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司,未經(jīng)臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請(qǐng)聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201710804579.0/1.html,轉(zhuǎn)載請(qǐng)聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。





