[發明專利]紅外線晶圓檢測機臺及芯片深層定位檢測方法

在審

• 申請號: 201710801002.4
• 申請日: 2017-09-07
• 公開（公告）號: CN109470713A
• 公開（公告）日: 2019-03-15
• 發明（設計）人: 王振華;陳毅均;高立群;丁紹瑜
• 申請（專利權）人: 鴻騏新技股份有限公司
• 主分類號: G01N21/95
• 分類號: G01N21/95
• 代理公司: 隆天知識產權代理有限公司 72003
• 代理人: 李昕巍;章侃銥

1.一種紅外線晶圓檢測機臺，以檢測多個芯片，所述多個芯片置于一載具上，其特征在于，所述紅外線晶圓檢測機臺包括：

一機臺底座；

一殼體，置于所述機臺底座上；所述殼體具有兩個相對的側壁，其中一個所述側壁具有一輸入口，另一個所述側壁具有一輸出口；

一平置式平臺，位于所述機臺底座上，所述平置式平臺設有X軸線性滑軌；

一X軸運輸架，沿著所述X軸線性滑軌可滑動設置于所述平置式平臺上；

一真空吸附載臺，設置于所述X軸運輸架上，用以吸附所述載具；

一直立式平臺，垂直地位于所述平置式平臺的一側，設有Y軸線性滑軌；

一紅外線檢測設備，沿著所述Y軸線性滑軌可滑動地設置于所述直立式平臺上；所述紅外線檢測設備包括一可見光光源、一紅外線光源、一自動對焦系統、一光學鏡頭及一紅外線相機；所述可見光光源發出可見光至所述光學鏡頭并通過所述自動對焦系統分別對焦于多個所述芯片，所述紅外線光源發出紅外線至所述光學鏡頭穿透到所述芯片深層的第一標靶及第二標靶；所述紅外線相機置于所述光學鏡頭的一側以擷取所述芯片的所述第一標靶及所述第二標靶的影像；

所述X軸運輸架能移動所述真空吸附載臺至所述紅外線檢測設備的下方；及

一操作設備，位于所述殼體外側。

2.如權利要求1所述的紅外線晶圓檢測機臺，其特征在于，還包括一氣流供應模塊，所述氣流供應模塊置于所述殼體的頂部，以提供經過過濾的空氣吹拂至待檢測所述芯片。

3.如權利要求1所述的紅外線晶圓檢測機臺，其特征在于，還包括一自動光學檢測設備，所述自動光學檢測設備置于所述紅外線檢測設備的一側。

4.如權利要求1所述的紅外線晶圓檢測機臺，其特征在于，其中該紅外線檢測設備還具有一條形碼掃描儀以掃描待檢測晶圓的條形碼。

5.如權利要求1所述的紅外線晶圓檢測機臺，其特征在于，其中該操作設備包括一主機以分析所述芯片的所述第一標靶及所述第二標靶的偏移量，并記錄所述偏移量。

6.一種芯片深層定位檢測方法，用以檢測位于一載具上的多個芯片，供下游工作站進行下一步工藝，其特征在于，所述芯片深層定位檢測方法包括：

提供一真空吸附載臺，用以吸附并加載所述載具，并將多個所述芯片移動至一光學鏡頭下；

提供一可見光光源，發出可見光至所述光學鏡頭；

提供一自動對焦系統，使所述光學鏡頭依序對焦于多個所述芯片；

提供一紅外線光源，發出紅外線至所述光學鏡頭，穿透所述芯片，并移動至所述芯片深層的第一標靶及第二標靶；

利用所述自動對焦系統使所述光學鏡頭對焦于所述芯片；

提供一紅外線相機，以擷取由所述光學鏡頭成像的影像；及

提供一主機，以分析所述芯片的所述第一標靶及所述第二標靶的偏移量，并且記錄分析所述芯片的所述偏移量。

7.如權利要求6所述的芯片深層定位檢測方法，其特征在于，其中還包括下列步驟：

多個所述芯片依(行,列)各編有一(X,Y)序號；

依據所述芯片的序號，移動所述紅外線光源至所述芯片的所述第一標靶上；

啟動自動對焦系統，以對焦于所述芯片；

利用所述紅外線相機擷取所述芯片的影像；

移動所述紅外線光源至所述芯片的所述第二標靶上；

啟動自動對焦系統，以對焦于所述芯片；

利用所述紅外線相機擷取所述芯片的影像；

分析所述第一標靶與所述第二標靶的偏移量；以及

依據所述芯片的序號，記錄分析所述偏移量。

8.如權利要求7所述的芯片深層定位檢測方法，其特征在于，其中所述偏移量包括位置偏移量與角度偏移量。