[發明專利]一種針對產品量測區域缺陷監控的方法有效
| 申請號: | 201710797272.2 | 申請日: | 2017-09-06 |
| 公開(公告)號: | CN107437514B | 公開(公告)日: | 2020-01-24 |
| 發明(設計)人: | 許向輝 | 申請(專利權)人: | 上海華力微電子有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/66 | 分類號: | H01L21/66 |
| 代理公司: | 31237 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) | 代理人: | 智云 |
| 地址: | 201203 上海市*** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 針對 產品 區域 缺陷 監控 方法 | ||
本發明提出一種針對產品量測區域缺陷監控的方法,包括:針對量測站點所選擇的量測區域,將該區域設置為缺陷檢測區域;根據該站點量測過程需要在芯片所選取的量測樣本,缺陷檢測程式將其所有的量測樣本作為缺陷檢測樣本;重復對關鍵制成的每一步量測分別定義不同量測區域作為缺陷檢測區域,并且定義需要量測的樣本作為缺陷檢測樣本;定義缺陷檢測程式中各缺陷檢測樣本進行對比的順序安排;設定所有站點針對量測區域缺陷檢測程式的靈敏度,完成各量測區域缺陷檢測程式;在芯片完成制成到量測制成之前進行缺陷檢測,發現量測區域是否存在異常。本發明用來監控產品的所有量測區域的缺陷狀況,進而快速發現量測區域的缺陷異常,提高生產工作效率。
技術領域
本發明涉及半導體集成電路制造領域,且特別涉及一種針對產品量測區域缺陷監控的方法。本發明屬于半導體良率提升領域,涉及不同產品所有站點量測區域缺陷檢測區域設定,以及在不同站點對產品相關量測區域進行缺陷偵測的新方法。
背景技術
半導體行業制造日新月異,產品的線寬在不斷減小。產品生產過程包含百步以上不同的生產流程,對于每一步生產過程都需要進行質量監控,業界普遍采用在重要生產制成之后對該生產流程進行厚度,劑量,關鍵尺寸大小以及外觀形貌進行定量檢測。針對不同制成以及不同檢測項目普遍會在芯片上選擇不同的電路圖形進行數據收集,而這些電路結構多設計在單元芯片(Single die)之間的scrubber line上面(芯片之間分界區域),如圖1所示。現有的缺陷檢測方法普遍采用單元芯片之間進行對比來發現是否存在缺陷,而單元芯片之間的scrubber line不包含在缺陷檢測區域之內。生產中常量測使用的電路結構區出現缺陷影響量測過程正常數據收集進而出現工程誤判影響產品質量。現有生產中沒有較好方法對所有量測區域進行缺陷檢測,對缺陷引起的量測數值異常反映較慢影響生產過程。
發明內容
本發明提出一種針對產品量測區域缺陷監控的方法,用來監控產品的所有量測區域的缺陷狀況,進而快速發現量測區域的缺陷異常,提高生產工作效率。
為了達到上述目的,本發明提出一種針對產品量測區域缺陷監控的方法,包括下列步驟:
步驟一:針對量測站點所選擇的量測區域,將該區域設置為缺陷檢測區域;
步驟二:根據該站點量測過程需要在芯片所選取的量測樣本,缺陷檢測程式將其所有的量測樣本作為缺陷檢測樣本;
步驟三:重復步驟一和步驟二對關鍵制成的每一步量測分別定義不同量測區域作為缺陷檢測區域,并且定義需要量測的樣本作為缺陷檢測樣本;
步驟四:定義缺陷檢測程式中各缺陷檢測樣本進行對比的順序安排;
步驟五:設定所有站點針對量測區域缺陷檢測程式的靈敏度,完成各量測區域缺陷檢測程式。
進一步的,該方法還包括步驟六:在芯片完成制成到量測制成之前進行缺陷檢測,發現量測區域是否存在異常。
進一步的,該方法針對單元芯片之間分界區域上面的量測區域進行缺陷檢測。
進一步的,所述芯片版圖按照橫向和縱向分別進行劃分單元芯片。
進一步的,所述缺陷檢測設備為光學檢測設備。
本發明提出的針對產品量測區域缺陷監控的方法,針對產品各量測站點需要量測的區域進缺陷檢測,通過該方法可以快速發現量測區域是否存在缺陷異常,進而避免因為缺陷造成關鍵制成量測結果出現異常,影響對關鍵制成的實時監控,進而提高產品良率。
附圖說明
圖1所示為產品一個光罩定義的單元芯片以及之間scrubber line機構示意圖。
圖2所示為本發明較佳實施例的針對產品量測區域缺陷監控的方法流程圖。
圖3所示為有源區刻蝕后檢測掃描區域設置示意圖。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





