[發(fā)明專利]一種針對產(chǎn)品量測區(qū)域缺陷監(jiān)控的方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201710797272.2 | 申請日: | 2017-09-06 |
| 公開(公告)號: | CN107437514B | 公開(公告)日: | 2020-01-24 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 許向輝 | 申請(專利權(quán))人: | 上海華力微電子有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/66 | 分類號: | H01L21/66 |
| 代理公司: | 31237 上海思微知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) | 代理人: | 智云 |
| 地址: | 201203 上海市*** | 國省代碼: | 上海;31 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 針對 產(chǎn)品 區(qū)域 缺陷 監(jiān)控 方法 | ||
1.一種針對產(chǎn)品量測區(qū)域缺陷監(jiān)控的方法,其特征在于,包括下列步驟:
步驟一:針對量測站點所選擇的量測區(qū)域,將該區(qū)域設(shè)置為缺陷檢測區(qū)域;
步驟二:根據(jù)該站點量測過程需要在芯片所選取的量測樣本,缺陷檢測程式將其所有的量測樣本作為缺陷檢測樣本;
步驟三:重復步驟一和步驟二對關(guān)鍵制成的每一步量測分別定義不同量測區(qū)域作為缺陷檢測區(qū)域,并且定義需要量測的樣本作為缺陷檢測樣本;
步驟四:定義缺陷檢測程式中各缺陷檢測樣本進行對比的順序安排;
步驟五:設(shè)定所有站點針對量測區(qū)域缺陷檢測程式的靈敏度,完成各量測區(qū)域缺陷檢測程式;
其中,所述量測區(qū)域為單元芯片之間分界區(qū)域上面的量測區(qū)域。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的針對產(chǎn)品量測區(qū)域缺陷監(jiān)控的方法,其特征在于,該方法還包括步驟六:在芯片完成制成到量測制成之前進行缺陷檢測,發(fā)現(xiàn)量測區(qū)域是否存在異常。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的針對產(chǎn)品量測區(qū)域缺陷監(jiān)控的方法,其特征在于,所述芯片版圖按照橫向和縱向分別進行劃分單元芯片。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的針對產(chǎn)品量測區(qū)域缺陷監(jiān)控的方法,其特征在于,利用光學檢測設(shè)備對各缺陷檢測樣本進行檢測。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





