[發明專利]一種通過提高ONO電容改善閃存單元耦合率的方法在審
| 申請號： | 201710796726.4 | 申請日： | 2017-09-06 |
| 公開（公告）號： | CN107546227A | 公開（公告）日： | 2018-01-05 |
| 發明（設計）人： | 田志;鐘林建 | 申請（專利權）人： | 上海華力微電子有限公司 |
| 主分類號： | H01L27/11521 | 分類號： | H01L27/11521;H01L21/336;H01L29/788 |
| 代理公司： | 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙)31237 | 代理人： | 智云 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 國省代碼： | 上海;31 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 通過 提高 ono 電容 改善 閃存 單元 耦合 方法 | ||
1.一種通過提高ONO電容改善閃存單元耦合率的方法，其特征在于，包括下列步驟：
將閃存單元流片至形成浮柵極工藝之前的步驟；
在上述結構上淀積浮柵極多晶硅層并進行化學機械研磨處理；
對存儲單元區部分進行濕法刻蝕，露出浮柵極的頂角；
對存儲單元區部分進行干法刻蝕，去除浮柵極頂角的尖角，使其形成圓滑結構；
進行閃存單元后續工藝處理流程。
2.根據權利要求1所述的通過提高ONO電容改善閃存單元耦合率的方法，其特征在于，該方法還包括：通過各向同性的濕法進行刻蝕，使ONO包圍區域的介質層厚度降低，從而使ONO區域的電容增加。
3.根據權利要求2所述的通過提高ONO電容改善閃存單元耦合率的方法，其特征在于，所述ONO介質層包括：氧化硅-氮化硅-氧化硅層。
4.根據權利要求1所述的通過提高ONO電容改善閃存單元耦合率的方法，其特征在于，所述對存儲單元區部分進行濕法刻蝕的深度為設定第一深度H1。
5.根據權利要求1所述的通過提高ONO電容改善閃存單元耦合率的方法，其特征在于，所述對存儲單元區部分進行干法刻蝕的深度為設定第二深度H2。
6.根據權利要求4和5所述的通過提高ONO電容改善閃存單元耦合率的方法，其特征在于，該方法還包括在浮柵極頂角圓滑結構形成之后對存儲單元區部分進行濕法刻蝕，其刻蝕深度為H3＝H-H1-H2，其中H代表為閃存單元淺溝槽隔離的深度。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于上海華力微電子有限公司，未經上海華力微電子有限公司許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201710796726.4/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇：一種煤分級轉化系統和煤分級轉化方法
- 下一篇：一種氣化爐下殼
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的；包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的；包括有熱磁組件的
