[發(fā)明專利]多層陶瓷電容器和多層陶瓷電容器的制造方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201710795227.3 | 申請日： | 2017-09-06 |
| 公開（公告）號： | CN107799307B | 公開（公告）日： | 2021-04-06 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 千輝紀(jì)之 | 申請（專利權(quán)）人： | 太陽誘電株式會(huì)社 |
| 主分類號： | H01G4/30 | 分類號： | H01G4/30;H01G4/12 |
| 代理公司： | 北京尚誠知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11322 | 代理人： | 龍淳 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 多層 陶瓷 電容器 制造 方法 | ||
1.一種多層陶瓷電容器，其包括：
多層結(jié)構(gòu)，其中多個(gè)陶瓷電介質(zhì)層中的每一層和多個(gè)包括陶瓷共用材料的內(nèi)部電極層中的每一層交替層疊，
其中包括在所述陶瓷電介質(zhì)層中并與所述內(nèi)部電極層接觸的陶瓷晶粒中的Mg濃度小于所述共用材料中的Mg濃度，
其中所述共用材料包括Mo，
其中所述共用材料中的Mo濃度小于所述陶瓷電介質(zhì)層的陶瓷晶粒中的Mo濃度。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多層陶瓷電容器，其中在所述陶瓷電介質(zhì)層中在所述多層結(jié)構(gòu)的層疊方向上的陶瓷晶粒的數(shù)目為1個(gè)或2個(gè)的區(qū)域中，所述陶瓷晶粒是在所述層疊方向上的陶瓷晶粒中的任一個(gè)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多層陶瓷電容器，其中：
所述陶瓷電介質(zhì)層包括3個(gè)或更多個(gè)在所述陶瓷電介質(zhì)層的層疊方向上連續(xù)延續(xù)的陶瓷晶粒，并且
在不與所述內(nèi)部電極層接觸的陶瓷晶粒中的Mg濃度小于與所述內(nèi)部電極層接觸的陶瓷晶粒中的Mg濃度。
4.根據(jù)權(quán)利要求1-3中任一項(xiàng)所述的多層陶瓷電容器，其中所述陶瓷晶粒和所述共用材料的主要組分是鈦酸鋇。
5.根據(jù)權(quán)利要求1-3中任一項(xiàng)所述的多層陶瓷電容器，其中所述內(nèi)部電極層的主要組分是Ni。
6.一種制造多層陶瓷電容器的方法，其包括：
形成包括陶瓷顆粒的生片；
通過將所述生片和包括陶瓷共用材料的用于形成內(nèi)部電極的導(dǎo)電漿料交替層疊而形成多層結(jié)構(gòu)；和
焙燒所述多層結(jié)構(gòu)，
其中所述生片中相對于所述陶瓷顆粒的主要組分陶瓷的Mg原子濃度小于所述用于形成內(nèi)部電極的導(dǎo)電漿料的共用材料中相對于主要組分陶瓷的Mg原子濃度，
其中所述共用材料包括Mo，
其中所述生片中相對于所述陶瓷顆粒的主要組分陶瓷的Mo原子濃度大于所述共用材料中相對于主要組分陶瓷的Mo原子濃度。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其中：
在焙燒之前所述生片不包括Mg；并且
在焙燒之前所述用于形成內(nèi)部電極的導(dǎo)電漿料包括Mg。
8.根據(jù)權(quán)利要求6或7所述的方法，其中所述用于形成內(nèi)部電極的導(dǎo)電漿料的共用材料的一部分在焙燒過程中擴(kuò)散于所述生片。
9.根據(jù)權(quán)利要求6或7所述的方法，其中所述生片和所述共用材料的主要組分是鈦酸鋇。
10.根據(jù)權(quán)利要求6或7所述的方法，其中所述用于形成內(nèi)部電極的導(dǎo)電漿料的主要組分是Ni。
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